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가요성을 갖는 불투명 기판;상기 불투명 기판상에 굴절률이 서로 다른 물질로 각각 이루어진 2개 이상의 박막이 각각 1회 이상 번갈아 적층되어 이루어지는 분산 브래그 반사기 전극;상기 분산 브래그 반사기 전극의 상측에 형성되며, 정공을 주입 및 수송하는 정공층;상기 정공층의 상측에 구비되며, 전자를 주입 및 수송하는 전자층;상기 정공층과 상기 전자층의 사이에 구비되고, 유기물로 이루어져 상기 전자와 상기 정공의 결합으로 인한 빛을 발생하는 발광층; 및상기 전자층의 상면에 형성되는 투명 전극;을 포함하는 가요성 유기 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 분산 브래그 반사기 전극은,Alq3, NPD, BCP, Bphen, CuPc, PDMS, Polyimid, SU8의 유기 화합물 계열로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종과,WO3, MoO3, ZnS, ITO, MgO, ZrO2, SnO2, SiO2, Al2O3의 금속 산화물, 금속 질화물, 플로라이드 계열로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종이 각각 1회 이상 번갈아 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 가요성 유기 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 분산 브래그 반사기 전극은,굴절률이 1
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제1항에 있어서,상기 분산 브래그 반사기 전극을 이루는 2개 이상의 박막의 총 적층수가 2층 이상 22층 이하인 것을 특징으로 하는 가요성 유기 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 불투명 기판은,금속으로 이루어진 가요성의 호일(foil)로 구비되는 것을 특징으로 하는 가요성 유기 발광 다이오드
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제5항에 있어서,상기 불투명 기판은,스틸, 스테인리스 스틸, 도금 스틸, 구리, 알루미늄, 은, 마그네슘 중 1종 이상을 포함하여 이루어진 호일로 구비되는 것을 특징으로 하는 가요성 유기 발광 다이오드
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가요성 유기 발광 다이오드는,상기 분산 브래그 반사기 전극의 전기 전도성을 향상시켜 전하 주입 특성이 제고되도록 상기 분산 브래그 반사기 전극의 상면에 형성되는 전도성 산화막;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 유기 발광 다이오드
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제7항에 있어서,상기 전도성 산화막은,ITO, ZnO, SnO2, IZO, AZO, GZO로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 가요성 유기 발광 다이오드
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가요성을 갖는 불투명 기판상에 굴절률이 서로 다른 2종 이상의 박막을 각각 1회 이상 번갈아 적층하여 분산 브래그 반사기 전극을 형성하는 단계;상기 분산 브래그 반사기 전극 상에 정공을 주입 및 수송하는 정공층을 형성하는 단계;유기물로 이루어져 정공과 전자의 결합으로 인한 빛을 발생하는 발광층을 상기 정공층의 상면에 형성하는 단계;상기 발광층의 상면에 전자를 주입 및 수송하는 전자층을 형성하는 단계; 및상기 전자층의 상면에 투명 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 가요성 유기발광 다이오드의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 분산 브래그 반사기 전극은,Alq3, NPD, BCP, Bphen, CuPc, PDMS, Polyimid, SU8의 유기 화합물 계열로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종과,WO3, MoO3, ZnS, ITO, MgO, ZrO2, SnO2, SiO2, Al2O3의 금속 산화물, 금속 질화물, 플로라이드 계열로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종이 각각 1회 이상 번갈아 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 가요성 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 분산 브래그 반사기 전극은,굴절률이 1
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제9항에 있어서,상기 분산 브래그 반사기 전극은,굴절률이 서로 다른 2종 이상의 박막을 스퍼터링, 전자선 증착법, 열증착법, 화학 기상법, 분산법, 스핀코팅법, 바코팅법 및 레이저 증착법 중 어느 하나의 방법으로 각각 1회 이상 번갈아 적층하여 형성되는 것을 특징으로 하는 가요성 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가요성 유기 발광 다이오드의 제조방법은,상기 분산 브래그 반사기 전극의 상면에 상기 분산 브래그 반사기 전극의 전기 전도성을 향상시키는 전도성 산화막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 전도성 산화막은,ITO, ZnO, SnO2, IZO, AZO, GZO로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 가요성 유기 발광 다이오드의 제조방법
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