1 |
1
제1 도전형 기저층;상기 제1 도전형 기저층 상에 위치하며, 복수의 개구부를 포함하는 마스크층;상기 복수의 개구부 상에 위치하며, 서로 이격된 복수의 발광 구조체; 및상기 복수의 발광 구조체의 상부를 부분적으로 덮는 누설전류 방지층을 포함하는 발광 소자
|
2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 복수의 발광 구조체 각각은 그 상부에 형성된 첨단부 또는 단부를 포함하며,상기 단부의 면적은 상기 발광 구조체 하면의 면적보다 작은 발광 소자
|
3 |
3
청구항 2에 있어서,상기 누설전류 방지층은 상기 첨단부 또는 단부를 덮는 발광 소자
|
4 |
4
청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,상기 복수의 발광 구조체 각각은 육각뿔, 절두형 육각뿔, 및 다면체 중 적어도 하나의 형태인 발광 소자
|
5 |
5
청구항 2에 있어서,상기 복수의 발광 구조체 각각은 경사진 측면을 포함하며,상기 경사진 측면은 상기 제1 도전형 기저층의 상면에 대하여 60 내지 65°의 경사각을 갖는 발광 소자
|
6 |
6
청구항 1에 있어서,상기 복수의 발광 구조체는 상기 마스크층을 부분적으로 덮는 발광 소자
|
7 |
7
청구항 1에 있어서,상기 누설전류 방지층은 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자
|
8 |
8
청구항 1에 있어서,상기 복수의 발광 구조체 각각은,제1 도전형 반도체층;상기 제1 도전형 반도체층을 덮는 활성층; 및상기 활성층을 덮는 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 소자
|
9 |
9
청구항 8에 있어서,상기 복수의 발광 구조체, 누설전류 방지층 및 마스크층을 덮으며, 상기 복수의 발광 구조체의 측면과 전기적으로 접촉하는 투명 전극을 더 포함하는 발광 소자
|
10 |
10
청구항 9에 있어서,상기 복수의 발광 구조체 사이를 채우며, 상기 마스크층과 상기 투명 전극 사이에 개재된 절연층을 더 포함하는 발광 소자
|
11 |
11
청구항 9에 있어서,상기 제1 도전형 기저층의 상면이 노출된 영역,상기 노출된 영역 상에 위치하는 제1 전극, 및상기 투명 전극 상에 위치하는 제2 전극을 더 포함하는 발광 소자
|
12 |
12
청구항 1에 있어서,상기 개구부들의 폭은 200nm 내지 20㎛이고, 상기 개구부들 간의 간격은 500nm 내지 50㎛인 발광 소자
|
13 |
13
기판 상에 제1 도전형 기저층을 형성하고;상기 제1 도전형 기저층 상에 복수의 개구부를 포함하는 마스크층을 형성하고;상기 개구부들 상에 서로 이격된 복수의 발광 구조체를 형성하고; 및상기 복수의 발광 구조체의 상면을 부분적으로 덮는 누설전류 방지층을 형성하는 것을 포함하는 발광 소자 제조 방법
|
14 |
14
청구항 13에 있어서,상기 복수의 발광 구조체 각각은 그 상부에 형성된 첨단부 또는 단부를 포함하며, 상기 첨단부 또는 단부의 면적은 상기 발광 구조체 하면의 면적보다 작으며,상기 복수의 발광 구조체는 수평 성장 및 수직 성장을 동반하여 성장된 발광 소자 제조 방법
|
15 |
15
청구항 14에 있어서,상기 누설전류 방지층을 형성하는 것은,상기 복수의 발광 구조체 및 상기 마스크층을 적어도 부분적으로 덮는 포토레지스츠를 형성하되, 상기 첨단부 또는 단부를 노출시키고;상기 포토레지스트, 및 상기 첨단부 또는 단부를 덮는 절연물질을 형성하고; 및상기 포토레지스트 및 상기 포토레지스트 상에 형성된 절연물질을 제거하는 것을 포함하는 발광 소자 제조 방법
|
16 |
16
청구항 14에 있어서,상기 복수의 발광 구조체 각각은 육각뿔, 절두형 육각뿔, 및 다면체 중 적어도 하나의 형태인 발광 소자 제조 방법
|
17 |
17
청구항 14에 있어서,상기 복수의 발광 구조체 각각은 경사진 측면을 포함하며,상기 경사진 측면은 상기 제1 도전형 기저층의 상면에 대하여 60 내지 65°의 경사각을 갖는 발광 소자 제조 방법
|
18 |
18
청구항 14에 있어서,상기 발광 구조체를 형성하는 것은,상기 개구부에 노출된 상기 제1 도전형 기저층을 시드로 제1 도전형 반도체층을 성장시키고;상기 제1 도전형 반도체층을 덮는 활성층을 성장시키고; 및상기 활성층을 덮는 제2 도전형 반도체층을 성장시키는 것을 포함하되,상기 제1 도전형 반도체층은 그 성장면으로 제1 도전형 기저층의 성장면과 다른 면을 더 포함하는 발광 소자 제조 방법
|
19 |
19
청구항 13에 있어서,상기 복수의 발광 구조체, 누설전류 방지층 및 상기 마스크층을 덮는 투명 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 소자 제조 방법
|
20 |
20
청구항 19에 있어서,상기 투명 전극을 형성하기 전에,상기 복수의 발광 구조체 사이를 부분적으로 채우되, 상기 복수의 발광 구조체의 측면을 노출시키는 절연층을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 소자 제조 방법
|