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발광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015170234
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광 소자 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 발광 소자는, 제1 도전형 기저층, 상기 제1 도전형 기저층 상에 위치하며, 복수의 개구부를 포함하는 마스크층, 상기 복수의 개구부 상에 위치하며, 서로 이격된 복수의 발광 구조체, 및 상기 복수의 발광 구조체의 상부를 부분적으로 덮는 누설전류 방지층을 포함한다. 이에 따라, 누설 전류의 발생이 최소화된 발광 소자가 제공된다.
Int. CL H01L 33/08 (2010.01) H01L 33/20 (2010.01)
CPC H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01)
출원번호/일자 1020130096330 (2013.08.14)
출원인 포항공과대학교 산학협력단, 서울바이오시스 주식회사, 주식회사 글로우원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0020418 (2015.02.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 서울바이오시스 주식회사 대한민국 경기도 안산시 단원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김지현 대한민국 경기도 안산시 상록구
3 박준모 대한민국 광주광역시 남구
4 예병욱 대한민국 울산광역시 울주군
5 김범준 대한민국 경기 고양시 일산동구
6 백정민 대한민국 울산광역시 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인에이아이피 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, AIP빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0736835-55
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.09.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-5126387-92
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5089977-41
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.17 수리 (Accepted) 4-1-2014-5110518-03
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2016-5192898-06
7 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2018.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0440447-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전형 기저층;상기 제1 도전형 기저층 상에 위치하며, 복수의 개구부를 포함하는 마스크층;상기 복수의 개구부 상에 위치하며, 서로 이격된 복수의 발광 구조체; 및상기 복수의 발광 구조체의 상부를 부분적으로 덮는 누설전류 방지층을 포함하는 발광 소자
2 2
청구항 1에 있어서,상기 복수의 발광 구조체 각각은 그 상부에 형성된 첨단부 또는 단부를 포함하며,상기 단부의 면적은 상기 발광 구조체 하면의 면적보다 작은 발광 소자
3 3
청구항 2에 있어서,상기 누설전류 방지층은 상기 첨단부 또는 단부를 덮는 발광 소자
4 4
청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,상기 복수의 발광 구조체 각각은 육각뿔, 절두형 육각뿔, 및 다면체 중 적어도 하나의 형태인 발광 소자
5 5
청구항 2에 있어서,상기 복수의 발광 구조체 각각은 경사진 측면을 포함하며,상기 경사진 측면은 상기 제1 도전형 기저층의 상면에 대하여 60 내지 65°의 경사각을 갖는 발광 소자
6 6
청구항 1에 있어서,상기 복수의 발광 구조체는 상기 마스크층을 부분적으로 덮는 발광 소자
7 7
청구항 1에 있어서,상기 누설전류 방지층은 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자
8 8
청구항 1에 있어서,상기 복수의 발광 구조체 각각은,제1 도전형 반도체층;상기 제1 도전형 반도체층을 덮는 활성층; 및상기 활성층을 덮는 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 소자
9 9
청구항 8에 있어서,상기 복수의 발광 구조체, 누설전류 방지층 및 마스크층을 덮으며, 상기 복수의 발광 구조체의 측면과 전기적으로 접촉하는 투명 전극을 더 포함하는 발광 소자
10 10
청구항 9에 있어서,상기 복수의 발광 구조체 사이를 채우며, 상기 마스크층과 상기 투명 전극 사이에 개재된 절연층을 더 포함하는 발광 소자
11 11
청구항 9에 있어서,상기 제1 도전형 기저층의 상면이 노출된 영역,상기 노출된 영역 상에 위치하는 제1 전극, 및상기 투명 전극 상에 위치하는 제2 전극을 더 포함하는 발광 소자
12 12
청구항 1에 있어서,상기 개구부들의 폭은 200nm 내지 20㎛이고, 상기 개구부들 간의 간격은 500nm 내지 50㎛인 발광 소자
13 13
기판 상에 제1 도전형 기저층을 형성하고;상기 제1 도전형 기저층 상에 복수의 개구부를 포함하는 마스크층을 형성하고;상기 개구부들 상에 서로 이격된 복수의 발광 구조체를 형성하고; 및상기 복수의 발광 구조체의 상면을 부분적으로 덮는 누설전류 방지층을 형성하는 것을 포함하는 발광 소자 제조 방법
14 14
청구항 13에 있어서,상기 복수의 발광 구조체 각각은 그 상부에 형성된 첨단부 또는 단부를 포함하며, 상기 첨단부 또는 단부의 면적은 상기 발광 구조체 하면의 면적보다 작으며,상기 복수의 발광 구조체는 수평 성장 및 수직 성장을 동반하여 성장된 발광 소자 제조 방법
15 15
청구항 14에 있어서,상기 누설전류 방지층을 형성하는 것은,상기 복수의 발광 구조체 및 상기 마스크층을 적어도 부분적으로 덮는 포토레지스츠를 형성하되, 상기 첨단부 또는 단부를 노출시키고;상기 포토레지스트, 및 상기 첨단부 또는 단부를 덮는 절연물질을 형성하고; 및상기 포토레지스트 및 상기 포토레지스트 상에 형성된 절연물질을 제거하는 것을 포함하는 발광 소자 제조 방법
16 16
청구항 14에 있어서,상기 복수의 발광 구조체 각각은 육각뿔, 절두형 육각뿔, 및 다면체 중 적어도 하나의 형태인 발광 소자 제조 방법
17 17
청구항 14에 있어서,상기 복수의 발광 구조체 각각은 경사진 측면을 포함하며,상기 경사진 측면은 상기 제1 도전형 기저층의 상면에 대하여 60 내지 65°의 경사각을 갖는 발광 소자 제조 방법
18 18
청구항 14에 있어서,상기 발광 구조체를 형성하는 것은,상기 개구부에 노출된 상기 제1 도전형 기저층을 시드로 제1 도전형 반도체층을 성장시키고;상기 제1 도전형 반도체층을 덮는 활성층을 성장시키고; 및상기 활성층을 덮는 제2 도전형 반도체층을 성장시키는 것을 포함하되,상기 제1 도전형 반도체층은 그 성장면으로 제1 도전형 기저층의 성장면과 다른 면을 더 포함하는 발광 소자 제조 방법
19 19
청구항 13에 있어서,상기 복수의 발광 구조체, 누설전류 방지층 및 상기 마스크층을 덮는 투명 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 소자 제조 방법
20 20
청구항 19에 있어서,상기 투명 전극을 형성하기 전에,상기 복수의 발광 구조체 사이를 부분적으로 채우되, 상기 복수의 발광 구조체의 측면을 노출시키는 절연층을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.