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고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법

  • 기술번호 : KST2015170239
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법은, 세정액을 이용하여 대상물을 씻어내는 습식세정단계 및 승화성 입자를 분사하여 상기 대상물 잔류하는 상기 세정액 및 상기 세정액에 포함된 오염물질 또는 불순물을 동시에 제거하는 건식세정단계를 포함하여 이루어진다.
Int. CL B08B 7/02 (2006.01) B08B 6/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120148974 (2012.12.18)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1272785-0000 (2013.06.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130611) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.18)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김인호 대한민국 부산 사상구
2 이진원 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유)화우 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로***길 **, *층 (대치동, 삼호빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-1056030-46
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.12.18 무효 (Invalidation) 1-1-2012-1056052-40
3 보정요구서
Request for Amendment
2012.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0154114-18
4 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0007217-50
5 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2013.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0013784-05
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0195898-77
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0402007-89
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.05.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0402000-60
9 등록결정서
Decision to grant
2013.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0366493-56
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
세정액을 이용하여 대상물을 씻어내는 습식세정단계;승화성 입자를 분사하여 상기 대상물에 잔류하는 상기 세정액 및 상기 세정액에 포함된 오염물질 또는 불순물을 동시에 제거하는 건식세정단계;를 포함하되,상기 건식세정단계는,입자생성가스를 제1팽창부와 제2팽창부를 포함하는 노즐에 통과시켜 대상물에 분사하되, 상기 제2팽창부의 평균 팽창각이 상기 제1팽창부의 팽창각 보다 큰 것을 특징으로 하는 것으로서,상기 입자생성가스가 상기 노즐의 노즐목에 마련된 오리피스를 통과하면서 급속 팽창되어 핵 생성이 이루어지는 핵생성단계;상기 핵생성단계를 거친 후, 노즐목 출구로부터 이어지는 제1팽창부를 통과하면서 핵 성장이 이루어져 승화성 입자가 생성되는 입자생성단계; 및상기 입자생성단계를 거친 후, 상기 제1팽창부의 출구로부터 이어지며 상기 제1팽창부의 팽창각보다 더 큰 평균 팽창각을 가지는 제2팽창부를 통과하면서 경계층의 성장을 상쇄하고 상기 승화성 입자의 분사속도가 상승되는 입자가속단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 건식세정단계에서 승화성 입자에 의한 대상물 표면의 냉각으로 상기 대상물의 표면에 수분응축이 발생되지 않도록 상기 건식세정단계와 동시에 상기 대상물을 건조시키는 건조단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 건조단계는,상기 대상물의 하부에 가열장치를 마련하여 상기 대상물을 가열시키는 가열단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
4 4
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 건조단계는, 상기 대상물에 질소를 분사하여 표면을 건조시키는 질소분사단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 건식세정단계는 밀폐 챔버 내에서 이루어지되,상기 챔버는 승화성 입자에 의한 대상물의 표면의 냉각으로 상기 대상물의 표면에 수분응축이 발생되지 않도록 이산화탄소 또는 질소로 채워진 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 습식세정단계 후 상기 대상물을 건식세정 위치로 로딩하는 제1이송단계; 및상기 건식세정단계 후 상기 대상물을 건식세정 위치에서 언로딩하는 제2이송단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 입자생성가스는 이산화탄소로 이루어지며,상기 제1팽창부은 0°초과 30°미만의 팽창각을 가지고,상기 제2팽창부은 상기 제1팽창부의 팽창각 보다 10°~ 45° 증가된 평균 팽창각을 가지는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 건식세정단계는,상기 입자가속단계를 거친 후, 상기 제2팽창부의 출구로부터 이어지며 상기 제2팽창부의 평균 팽창각 보다 10°~ 45° 증가되되 최대 90°미만의 팽창각을 가지는 제3팽창부를 통과하면서 승화성 입자의 고속 코어를 노즐 외부로 형성시키는 유동조절단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
9 9
승화성 입자를 분사하여 대상물에 존재하는 액막 및 상기 액막에 포함된 불순물 또는 오염물질을 제거하는 건식세정단계;를 포함하되,상기 건식세정단계는,입자생성가스를 제1팽창부와 제2팽창부를 포함하는 노즐에 통과시켜 대상물에 분사하되, 상기 제2팽창부의 평균 팽창각이 상기 제1팽창부의 팽창각 보다 큰 것을 특징으로 하는 것으로서,상기 입자생성가스가 상기 노즐의 노즐목에 마련된 오리피스를 통과하면서 급속 팽창되어 핵 생성이 이루어지는 핵생성단계;상기 핵생성단계를 거친 후, 노즐목 출구로부터 이어지는 제1팽창부를 통과하면서 핵 성장이 이루어져 승화성 입자가 생성되는 입자생성단계; 및상기 입자생성단계를 거친 후, 상기 제1팽창부의 출구로부터 이어지며 상기 제1팽창부의 팽창각보다 더 큰 평균 팽창각을 가지는 제2팽창부를 통과하면서 경계층의 성장을 상쇄하고 상기 승화성 입자의 분사속도가 상승되는 입자가속단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 건식세정단계에서 승화성 입자에 의한 대상물의 표면의 냉각으로 상기 대상물의 표면에 수분응축이 발생되지 않도록 상기 건식세정단계와 동시에 상기 대상물을 건조시키는 건조단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 건조단계는 상기 대상물의 하부에 가열장치를 마련하여 상기 대상물을 가열시키는 가열단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
12 12
제10항 또는 제11항에 있어서,상기 건조단계는,상기 대상물에 질소를 분사하여 표면을 건조시키는 질소분사단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
13 13
제9항에 있어서,상기 건식세정단계는 밀폐 챔버 내에서 이루어지되,상기 챔버는 승화성 입자에 의한 대상물의 표면의 냉각으로 상기 대상물의 표면에 수분응축이 발생되지 않도록 이산화탄소 또는 질소로 채워진 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
14 14
제9항에 있어서,상기 건식세정단계의 전단계로서,상기 대상물을 건식세정 위치로 로딩하는 제1이송단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
15 15
제9항에 있어서,상기 건식세정단계는,상기 입자생성가스는 이산화탄소로 이루어지며,상기 제1팽창부은 0°초과 30°미만의 팽창각을 가지고,상기 제2팽창부은 상기 제1팽창부의 팽창각 보다 10°~ 45° 증가된 평균 팽창각을 가지는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
16 16
제15항에 있어서,상기 건식세정단계는,상기 입자가속단계를 거친 후, 상기 제2팽창부의 출구로부터 이어지며 상기 제2팽창부의 평균 팽창각 보다 10°~ 45° 증가되되 최대 90° 미만의 팽창각을 가지는 제3팽창부를 통과하면서 승화성 입자의 고속 코어를 노즐 외부로 형성시키는 유동조절단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
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1 CN104853854 CN 중국 FAMILY
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3 JP05944595 JP 일본 FAMILY
4 JP06266015 JP 일본 FAMILY
5 JP28505371 JP 일본 FAMILY
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13 US20150325429 US 미국 FAMILY
14 WO2014098364 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
15 WO2014098365 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
16 WO2014098487 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
17 WO2014098488 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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3 CN104854682 CN 중국 DOCDBFAMILY
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6 JP2016511135 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP5944595 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 JP6266015 JP 일본 DOCDBFAMILY
9 US2015323252 US 미국 DOCDBFAMILY
10 WO2014098365 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 포항공과대학교 도약연구지원사업(도전) 고속 나노입자빔을 이용한 나노오염물질 제거 기술