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세정액을 이용하여 대상물을 씻어내는 습식세정단계;승화성 입자를 분사하여 상기 대상물에 잔류하는 상기 세정액 및 상기 세정액에 포함된 오염물질 또는 불순물을 동시에 제거하는 건식세정단계;를 포함하되,상기 건식세정단계는,입자생성가스를 제1팽창부와 제2팽창부를 포함하는 노즐에 통과시켜 대상물에 분사하되, 상기 제2팽창부의 평균 팽창각이 상기 제1팽창부의 팽창각 보다 큰 것을 특징으로 하는 것으로서,상기 입자생성가스가 상기 노즐의 노즐목에 마련된 오리피스를 통과하면서 급속 팽창되어 핵 생성이 이루어지는 핵생성단계;상기 핵생성단계를 거친 후, 노즐목 출구로부터 이어지는 제1팽창부를 통과하면서 핵 성장이 이루어져 승화성 입자가 생성되는 입자생성단계; 및상기 입자생성단계를 거친 후, 상기 제1팽창부의 출구로부터 이어지며 상기 제1팽창부의 팽창각보다 더 큰 평균 팽창각을 가지는 제2팽창부를 통과하면서 경계층의 성장을 상쇄하고 상기 승화성 입자의 분사속도가 상승되는 입자가속단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
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제1항에 있어서,상기 건식세정단계에서 승화성 입자에 의한 대상물 표면의 냉각으로 상기 대상물의 표면에 수분응축이 발생되지 않도록 상기 건식세정단계와 동시에 상기 대상물을 건조시키는 건조단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
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제2항에 있어서,상기 건조단계는,상기 대상물의 하부에 가열장치를 마련하여 상기 대상물을 가열시키는 가열단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 건조단계는, 상기 대상물에 질소를 분사하여 표면을 건조시키는 질소분사단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
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제1항에 있어서,상기 건식세정단계는 밀폐 챔버 내에서 이루어지되,상기 챔버는 승화성 입자에 의한 대상물의 표면의 냉각으로 상기 대상물의 표면에 수분응축이 발생되지 않도록 이산화탄소 또는 질소로 채워진 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
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제1항에 있어서,상기 습식세정단계 후 상기 대상물을 건식세정 위치로 로딩하는 제1이송단계; 및상기 건식세정단계 후 상기 대상물을 건식세정 위치에서 언로딩하는 제2이송단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
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제1항에 있어서,상기 입자생성가스는 이산화탄소로 이루어지며,상기 제1팽창부은 0°초과 30°미만의 팽창각을 가지고,상기 제2팽창부은 상기 제1팽창부의 팽창각 보다 10°~ 45° 증가된 평균 팽창각을 가지는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
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제7항에 있어서,상기 건식세정단계는,상기 입자가속단계를 거친 후, 상기 제2팽창부의 출구로부터 이어지며 상기 제2팽창부의 평균 팽창각 보다 10°~ 45° 증가되되 최대 90°미만의 팽창각을 가지는 제3팽창부를 통과하면서 승화성 입자의 고속 코어를 노즐 외부로 형성시키는 유동조절단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
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승화성 입자를 분사하여 대상물에 존재하는 액막 및 상기 액막에 포함된 불순물 또는 오염물질을 제거하는 건식세정단계;를 포함하되,상기 건식세정단계는,입자생성가스를 제1팽창부와 제2팽창부를 포함하는 노즐에 통과시켜 대상물에 분사하되, 상기 제2팽창부의 평균 팽창각이 상기 제1팽창부의 팽창각 보다 큰 것을 특징으로 하는 것으로서,상기 입자생성가스가 상기 노즐의 노즐목에 마련된 오리피스를 통과하면서 급속 팽창되어 핵 생성이 이루어지는 핵생성단계;상기 핵생성단계를 거친 후, 노즐목 출구로부터 이어지는 제1팽창부를 통과하면서 핵 성장이 이루어져 승화성 입자가 생성되는 입자생성단계; 및상기 입자생성단계를 거친 후, 상기 제1팽창부의 출구로부터 이어지며 상기 제1팽창부의 팽창각보다 더 큰 평균 팽창각을 가지는 제2팽창부를 통과하면서 경계층의 성장을 상쇄하고 상기 승화성 입자의 분사속도가 상승되는 입자가속단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
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제9항에 있어서,상기 건식세정단계에서 승화성 입자에 의한 대상물의 표면의 냉각으로 상기 대상물의 표면에 수분응축이 발생되지 않도록 상기 건식세정단계와 동시에 상기 대상물을 건조시키는 건조단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
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제10항에 있어서,상기 건조단계는 상기 대상물의 하부에 가열장치를 마련하여 상기 대상물을 가열시키는 가열단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
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제10항 또는 제11항에 있어서,상기 건조단계는,상기 대상물에 질소를 분사하여 표면을 건조시키는 질소분사단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
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제9항에 있어서,상기 건식세정단계는 밀폐 챔버 내에서 이루어지되,상기 챔버는 승화성 입자에 의한 대상물의 표면의 냉각으로 상기 대상물의 표면에 수분응축이 발생되지 않도록 이산화탄소 또는 질소로 채워진 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
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제9항에 있어서,상기 건식세정단계의 전단계로서,상기 대상물을 건식세정 위치로 로딩하는 제1이송단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
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제9항에 있어서,상기 건식세정단계는,상기 입자생성가스는 이산화탄소로 이루어지며,상기 제1팽창부은 0°초과 30°미만의 팽창각을 가지고,상기 제2팽창부은 상기 제1팽창부의 팽창각 보다 10°~ 45° 증가된 평균 팽창각을 가지는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
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제15항에 있어서,상기 건식세정단계는,상기 입자가속단계를 거친 후, 상기 제2팽창부의 출구로부터 이어지며 상기 제2팽창부의 평균 팽창각 보다 10°~ 45° 증가되되 최대 90° 미만의 팽창각을 가지는 제3팽창부를 통과하면서 승화성 입자의 고속 코어를 노즐 외부로 형성시키는 유동조절단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
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