| 1 |
1
기판;상기 기판 상에 실장되는 LED칩; 및상기 LED칩으로부터의 광이 통과하는 위치에 배치되는 연질 무기물-형광체 복합체를 포함하며,상기 연질 무기물-형광체 복합체는 상기 LED칩으로부터 광에 의해 여기되어 다른 파장의 빛을 발하는 1종 이상의 형광체 5~50wt%와 상기 형광체를 담지하는 연질 무기물 담지체 95~50wt%를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서, 상기 LED칩은 UV LED칩 또는 청색 LED칩인 것을 특징으로 하는 발광소자
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서, 상기 형광체는 도핑된 가닛(garnet), 알루미네이트, 나이트라이드, 실리케이트, 설파이드, 옥시-설파이드, 옥시-나이트라이드, 포스페이트, 클로-포스페이트, 보레이트, 텅스테이트 형광체 또는 양자점 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
|
| 4 |
4
청구항 3에 있어서, 상기 도핑된 가닛 형광체는 YAG:Ce 또는 (Y,Gd)AG:Ce를 포함하고, 상기 알루미네이트 형광체는 BaMg2Al16O27:Eu,Mn, Sr2Al14O25:Eu 또는 BAM:Eu를 포함하고, 상기 나이트라이드 형광체는 CaAlSiN3:Eu, Ca(Sr)AlSiN3:Eu 또는 AESi2O2N2:Eu를 포함하고, 상기 실리케이트 형광체는 SrBaSiO:Eu를 포함하고, 상기 설파이드 형광체는 ZnS:Ag, CaS:Eu 또는 SrGa2S4:Eu를 포함하고, 옥시-나이트라이드 형광체는 β-SiAlON:Eu를 포함하고, 상기 클로-포스페이트 형광체는 Sr5(PO4)3Cl:Eu를 포함하고, 상기 텅스테이트 형광체는 CaWO4를 포함하고, 상기 양자점 형광체 Si, Ge, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, InN, InP, InAs, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP 또는 GaAs를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서, 상기 연질 무기물 담지체는 400nm~700nm 파장영역에서 투명한 연질 무기물 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서, 상기 연질 무기물 담지체는 전형 원소 또는 전이 금속의 염화물, 브롬화물, 요오드화물 또는 불화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서, 상기 연질 무기물 담지체는 Sn, Pb, 또는 K의 염화물, 브롬화물, 요오드화물 또는 불화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
|
| 8 |
8
연질 무기물 담지체에 1종 이상의 형광체가 담지된 발광소자용 무기물-형광체를 소결법으로 제조하는 방법으로서,연질 무기물과 형광체를 분말 상태로 혼합하는 혼합 단계와;상기 연질 무기물과 형광체의 혼합 분말을 몰드에 넣고 프레스 압력을 가하는 성형 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자용 연질 무기물-형광체 복합체의 제조방법
|
| 9 |
9
청구항 8에 있어서, 상기 혼합 단계는 형광체 분말 5~50wt%와 연질 무기물 분말 95~50wt%를 혼합하는 것을 특징으로 하는 발광소자용 연질 무기물-형광체 복합체의 제조방법
|
| 10 |
10
청구항 8에 있어서, 상기 연질 무기물은 전형 원소 또는 전이 금속의 염화물, 브롬화물, 요오드화물 또는 불화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자용 연질 무기물-형광체 복합체의 제조방법
|
| 11 |
11
청구항 8에 있어서, 상기 연질 무기물은 Sn, Pb, 또는 K의 염화물, 브롬화물, 요오드화물 또는 불화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자용 연질 무기물-형광체 복합체의 제조방법
|
| 12 |
12
청구항 8에 있어서, 상기 성형 단계에서 400℃ 이내 온도를 가하는 것을 특징으로 하는 발광소자용 연질 무기물-형광체 복합체의 제조방법
|
| 13 |
13
청구항 8에 있어서, 상기 형광체는 도핑된 가닛(garnet), 알루미네이트, 나이트라이드, 실리케이트, 설파이드, 옥시-설파이드, 옥시-나이트라이드, 포스페이트, 클로-포스페이트, 보레이트, 텅스테이트 형광체 또는 양자점 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자용 연질 무기물-형광체 복합체의 제조방법
|
| 14 |
14
청구항 13에 있어서, 상기 도핑된 가닛 형광체는 YAG:Ce 또는 (Y,Gd)AG:Ce를 포함하고, 상기 알루미네이트 형광체는 BaMg2Al16O27:Eu,Mn, Sr2Al14O25:Eu 또는 BAM:Eu를 포함하고, 상기 나이트라이드 형광체는 CaAlSiN3:Eu, Ca(Sr)AlSiN3:Eu 또는 AESi2O2N2:Eu를 포함하고, 상기 실리케이트 형광체는 SrBaSiO:Eu를 포함하고, 상기 설파이드 형광체는 ZnS:Ag, CaS:Eu 또는 SrGa2S4:Eu를 포함하고, 옥시-나이트라이드 형광체는 β-SiAlON:Eu를 포함하고, 상기 클로-포스페이트 형광체는 Sr5(PO4)3Cl:Eu를 포함하고, 상기 텅스테이트 형광체는 CaWO4를 포함하고, 상기 양자점 형광체 Si, Ge, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, InN, InP, InAs, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP 또는 GaAs를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자용 연질 무기물-형광체 복합체의 제조방법
|
