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제1항에 있어서,1
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제1항에 있어서,상기 금속은 전이금속(transition metal), 전이후 금속(post-transition metal) 및 이들의 조합에서 선택되는 하나를 포함하는 것인 금속 아산화물
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제1항에 있어서,상기 금속은 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 러더포늄(Rf), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈(Ta), 더브늄(Db), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 시보규움(Sg), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 탈륨(Tl), 주석(Sn), 납(Pb), 비스무트(Bi) 및 이들의 조합에서 선택되는 하나를 포함하는 것인 금속 아산화물
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제5항에 있어서,상기 금속 아산화물은 티타늄 아산화물이고, 상기 티타늄은 +2 내지 +3
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제1항에 있어서,상기 금속 아산화물은 기공을 포함하는 것인 금속 아산화물
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제1항, 제2항 및 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 금속 아산화물을 포함하는 촉매
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제1항, 제2항 및 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 금속 아산화물을 포함하는 전기화학장치
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금속 아산화물 전구체; 하이드록시기로 치환된 방향족 화합물; 그리고 C1 내지 C30 알데히드, C3 내지 C30 케톤 및 이들의 조합에서 선택되는 하나를 포함하는 연결 전구체를 포함하는 혼합물을 제조하는 단계,상기 하이드록시기로 치환된 방향족 화합물; 그리고 상기 연결 전구체를 반응시켜 상기 금속 아산화물 전구체 표면에 고분자를 형성하는 단계,열처리하는 단계 및탄소를 제거하는 단계를 포함하는 금속 아산화물의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 금속 아산화물 전구체는 금속의 황산염, 금속의 할로겐화물, 금속의 알콕사이드 및 이들의 조합에서 선택되는 하나를 포함하는 것인 금속 아산화물의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 금속 아산화물 전구체는 1Å 내지 1000Å의 평균 입경을 가지는 것인 금속 아산화물의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 하이드록시기로 치환된 방향족 화합물은 페놀, 디하이드록시 벤젠, 트리하이드록시 벤젠, 하이드록시 나프탈렌, 디하이드록시 나프탈렌, 트리하이드록시 나프탈렌, 하이드록시 안트라센, 디하이드록시 안트라센, 트리하이드록시 안트라센, 하이드록시 페난트렌, 디하이드록시 페난트렌, 트리하이드록시 페난트렌, 하이드록시 티오펜, 디하이드록시 티오펜, 트리하이드록시 티오펜, 하이드록시 퓨란, 디하이드록시 퓨란, 트리하이드록시 퓨란, 하이드록시 피롤, 디하이드록시 피롤, 트리하이드록시 피롤 및 이들의 조합에서 선택되는 하나를 포함하는 것인 금속 아산화물의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 연결 전구체는 포름알데히드, 아세트알데히드, 프로피온알데히드, 아세톤, 메틸에틸 케톤, 디에틸 케톤 및 이들의 조합에서 선택되는 하나를 포함하는 것인 금속 아산화물의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 혼합물을 제조하는 단계에서 물; 방향족 탄화수소류; 포화 탄화수소류; 할로겐화 포화 탄화수소류; 알데히드류; 알코올류; 에테르류; 카르복시산류; 에스테르류; 케톤류; 니트릴류; 및 이들의 조합에서 선택되는 용매를 사용하는 것인 금속 아산화물의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 열처리는 800℃ 내지 1500℃의 온도에서 수행하는 것인 금속 아산화물의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 탄소는 비정질 탄소인 것인 금속 아산화물의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 혼합물을 제조하는 단계에서 기공 형성제를 더 포함하는 것인 금속 아산화물의 제조 방법
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제18항에 있어서,상기 기공 형성제는 실리카, 알루미나, 오팔, 금속 입자, 계면활성제, 고분자 물질 및 이들의 조합에서 선택되는 하나를 포함하는 것인 금속 아산화물의 제조 방법
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제18항에 있어서,상기 기공 형성제는 0
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제18항에 있어서,상기 탄소를 제거하는 단계 후에, 상기 기공 형성제를 제거하는 단계를 더 포함하는 것인 금속 아산화물의 제조 방법
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