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유기 전계 발광 소자

  • 기술번호 : KST2015170244
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 측면에 따라 기판, 상기 기판 위의 투명한 캐소드, 상기 캐소드과 마주하는 애노드, 상기 캐소드와 상기 애노드 사이의 발광층 및 상기 캐소드와 상기 발광층 사이의 이미다졸 유도체를 함유한 제1 전자수송층을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
Int. CL H01L 51/50 (2006.01.01) C09K 11/06 (2006.01.01)
CPC H01L 51/5076(2013.01) H01L 51/5076(2013.01) H01L 51/5076(2013.01) H01L 51/5076(2013.01) H01L 51/5076(2013.01) H01L 51/5076(2013.01) H01L 51/5076(2013.01) H01L 51/5076(2013.01)
출원번호/일자 1020120099544 (2012.09.07)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1989057-0000 (2019.06.07)
공개번호/일자 10-2014-0032808 (2014.03.17) 문서열기
공고번호/일자 (20190614) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.01)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이선희 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 송원준 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 이관희 대한민국 경기도 용인시 기흥구
4 이태우 대한민국 경북 포항시 남구
5 박민호 대한민국 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구
2 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0725681-28
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2017-0741926-78
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0086448-73
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.07.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0456883-76
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2018-0866682-10
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.08.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0866683-55
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0076777-66
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.03.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0221249-93
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2019-0221248-47
15 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2019.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0183737-27
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 위의 투명한 캐소드; 상기 캐소드와 마주하는 애노드; 상기 캐소드와 상기 애노드 사이의 발광층; 및 상기 캐소드와 상기 발광층 사이의 호스트 물질 및 DMBI 유도체로 이루어진 제1 전자수송층;을 포함하고,상기 DMBI 유도체는 상기 제1 전자수송층 재료의 전체 100 중량부에 대하여 0
2 2
제1 항에 있어서, 상기 캐소드는 ITO(인듐 주석 산화물), IZO(인듐 아연 산화물), ZnO(아연 산화물), AZO(Al 도핑된 아연 산화물), In2O3(인듐 산화물) 또는 SnO2(주석 산화물)을 포함하는 유기 발광 소자
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 DMBI 유도체는 DMBI, Cl-DMBI (2-(2,4-dichlorophenyl)-2,3-dihydro-1,3-dimethyl-1H-benzo[d]imidazole, 2-(2,4-디클로로페닐)-2,3-디하이드로-1,3-디메틸-2-페닐-1H-벤조[d]이미다졸), N-DMBI (4-(2,3-dihydro-1,3-dimethyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)-N,N-dimethylbenzenamine, (4-(2,3-디하이드로-1,3-디메틸-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)-N,N-디메틸벤젠아민), 또는 OH-DMBI(2-(2,3-dihydro-1,3-dimethyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenol, 2-(2,3-디하이드로-1,3-디메틸-2-페닐-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)페놀)을 포함하는 유기 발광 소자
6 6
삭제
7 7
제1 항에 있어서, 상기 제1 전자수송층과 상기 발광층 사이의 제2 전자수송층을 더 포함하는 유기 발광 소자
8 8
제7 항에 있어서, 상기 제2 전자수송층과 상기 발광층 사이에 정공 저지층을 더 포함하는 유기 발광 소자
9 9
제1 항에 있어서, 상기 발광층과 상기 애노드 사이에 정공수송층 또는 정공주입층을 더 포함하는 유기 발광 소자
10 10
제1 항에 있어서, 상기 애노드는 Ag, Al, 또는 Au 로 이루어진 금속층을 포함하는 유기 발광 소자
11 11
제10항에 있어서, 상기 애노드는 상기 금속층과 접한 MoO3, V2O5, 또는 WO3 으로 이루어진 금속 산화물층을 더 포함하는 유기 발광 소자
12 12
기판; 상기 기판 위의 애노드; 상기 애노드와 마주하는 캐소드; 상기 애노드와 상기 캐소드 사이의 발광층; 및 상기 발광층과 상기 캐소드 사이의 호스트 물질 및 DMBI 유도체로 이루어진 제1 전자수송층;을 포함하고,상기 DMBI 유도체는 상기 제1 전자수송층 재료의 전체 100 중량부에 대하여 0
13 13
제12 항에 있어서, 상기 애노드는 ITO(인듐 주석 산화물), IZO(인듐 아연 산화물), ZnO(아연 산화물), AZO(Al 도핑된 아연 산화물), In2O3(인듐 산화물) 또는 SnO2(주석 산화물)을 포함하는 유기 발광 소자
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
제12항에 있어서, 상기 DMBI 유도체는 DMBI, Cl-DMBI, N-DMBI 또는 OH-DMBI을 포함하는 유기 발광 소자
17 17
삭제
18 18
제12 항에 있어서, 상기 캐소드는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In) 또는 마그네슘-은(Mg-Ag)을 포함하는 유기 발광 소자
19 19
제12 항에 있어서, 상기 애노드와 상기 발광층 사이에 정공수송층 또는 정공주입층을 더 포함하는 유기 발광 소자
20 20
제12 항에 있어서, 상기 제1 전자수송층과 상기 발광층 사이에 제2 전자수송층을 더 포함하는 유기 발광 소자
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08916860 US 미국 FAMILY
2 US20140070178 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2014070178 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8916860 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.