| 1 |
1
베이스 상에 폴리머를 도포하고,제1 나노 패턴을 갖는 마스터 템플릿을 이용하여 상기 제1 나노 패턴을 상기 폴리머에 임프린트하여 상기 제1 나노 패턴에 상응하는 예비 나노 패턴을 형성하고,상기 예비 나노 패턴의 형상을 변화시켜 제2 나노 패턴을 형성하는 것을 포함하되,상기 예비 나노 패턴의 형상을 변화시키는 것은 열처리를 이용하여 수행되며,상기 열처리는,상기 폴리머가 소정 온도가 되도록 상기 폴리머를 가열하되, 상기 폴리머를 가열하는 동안 상기 마스터 템플릿을 상기 폴리머에 대해서 가압하고,상기 가열된 폴리머를 상기 소정 온도에서 소정 시간동안 유지하고,상기 폴리머를 가압하는 것을 중지한 후, 상기 가열된 폴리머를 냉각하는 것을 포함하는 나노 임프린트 몰드 제조 방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서,상기 가열된 폴리머를 냉각하는 것은 상기 가압하는 것을 중지한 직후에 수행되는 나노 임프린트 몰드 제조 방법
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서,냉각 후에 상기 마스터 템플릿을 상기 폴리머로부터 분리하는 것을 더 포함하는 나노 임프린트 몰드 제조 방법
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서,상기 소정 온도는 상온보다 높고 상기 폴리머의 끓는점보다 낮은 나노 임프린트 몰드 제조 방법
|
| 8 |
8
청구항 7에 있어서,상기 소정 온도는 최소 점도 온도(minimum viscosity temperature)보다 낮은 나노 임프린트 몰드 제조 방법
|
| 9 |
9
청구항 1에 있어서,상기 냉각하는 것은 자연 냉각(natural cooling)하는 것인 나노 임프린트 몰드 제조 방법
|
| 10 |
10
청구항 1에 있어서,상기 폴리머는 1~3 바(bar)의 범위 내의 압력으로 가압되는 나노 임프린트 몰드 제조 방법
|
| 11 |
11
청구항 1에 있어서,상기 예비 나노 패턴 형상을 변화시키는 것은 100 mTorr 이하의 진공 분위기에서 수행되는 나노 임프린트 몰드 제조 방법
|
| 12 |
12
청구항 1에 있어서,상기 마스터 템플릿은 PUA, PDMS 또는 PMMA로 형성된 나노 임프린트 몰드 제조 방법
|
| 13 |
13
청구항 1에 있어서,상기 폴리머는 열에 의해 경화되는 폴리머인 나노 임프린트 몰드 제조 방법
|
| 14 |
14
청구항 13에 있어서,상기 폴리머는 PMMA, PDMS 또는 포토 레지스트인 나노 임프린트 몰드 제조 방법
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
기판 상에 하부 반도체층, 활성층, 및 상부 반도체층을 포함하는 발광 구조체를 형성하고,상기 발광 구조체 상에 나노 패턴을 갖는 나노 임프린트 레지스트층을 형성하는 것을 포함하되,상기 나노 패턴은,청구항 1, 및 청구항 5 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 따른 제조 방법을 이용하여 나노 임프린트 몰드를 제조하고,상기 나노 임프린트 몰드를 이용하여 상기 나노 패턴을 상기 나노 임프린트 레지스트층에 전사함으로써 형성되는 발광 다이오드 제조 방법
|
| 17 |
17
청구항 16에 있어서,상기 나노 패턴을 상기 나노 임프린트 레지스트층 상에 전사하는 것은,상기 발광 구조체 상에 레지스트를 도포하고,상기 나노 임프린트 몰드를 상기 레지스트에 대하여 가압하고,상기 레지스트를 경화하는 것을 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
|
| 18 |
18
청구항 17에 있어서,상기 레지스트는 UV 경화성 폴리머로 형성된 발광 다이오드 제조 방법
|
