| 1 |
1
반도체의 출광면 상에 형성되는 나노구조체를 포함하는 발광다이오드로서,상기 나노구조체는 상기 출광면상에 형성되며 상부로 갈수록 직경이 줄어드는 복수의 제1 나노와이어와, 상기 제1 나노와이어의 표면에 특정 방향으로 배향되어 돌출 형성된 복수의 제2 나노와이어를 포함하고,상기 제2 나노와이어는 상기 제1 나노와이어의 팁에 형성됨과 동시에 상기 제1 나노와이어의 측면에도 출광면의 상방향으로 경사지게 형성되는 발광다이오드
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제1 나노와이어의 굴절률은 제2 나노와이어의 굴절률에 비해 큰 발광다이오드
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 제1 나노와이어는 Zn 산화물 또는 Ti 산화물을 포함하는 발광다이오드
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 제2 나노와이어는 MgO, WO3, TiO2, SiO2, ITO 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 발광다이오드
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 제2 나노와이어의 반경은 17
|
| 7 |
7
제5항에 있어서,상기 제2 나노와이어의 길이는 400~600nm 인 발광다이오드
|
| 8 |
8
제4항에 있어서,상기 Zn 산화물은 ZnO, Al-doped ZnO, In-doped ZnO 및 Ga-doped ZnO 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 발광다이오드
|
| 9 |
9
제4항에 있어서,상기 Zn 산화물은 추가로 ZrO2, TiO2, SiO2, SiO, Al2O3, CuOx 및 ITO 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 발광다이오드
|
| 10 |
10
제5항에 있어서,상기 MgO는 추가로 B, In, Zn, Ti, Al, Sn, Ga, Te, Si, C, Ge, N, P, As, Sb, Bi, S, Se, Br, I, Ti, Be, Ca, Sr 및 Ba 중에서 선택된 1종 이상의 원소를 포함하는 발광다이오드
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 제2 나노와이어는 전자선 증착 시 그림자 효과에 의해 형성되는 발광다이오드
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 제1 나노와이어의 직경이 줄어드는 비율의 조절을 통해 상기 제2 나노와이어의 크기 또는 밀도가 조절되는 발광다이오드
|
