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발광 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015170268
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 발광 다이오드는 금속 기판, 상기 금속 기판 상에 형성된 시드층, 상기 시드층 상에 형성된 버퍼층 및 상기 버퍼층 상에 형성되어 있으며 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층으로 이루어진 발광 구조체를 포함하여 구성되고, 상기 버퍼층은 상기 금속 기판과 상기 발광 구조체 간의 격자 부정합을 줄이는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따르면, 금속 기판에 발광 다이오드를 구성하는 에피층들을 성장시킴으로써, 금속 기판의 우수한 열전도도로 인해 발광다이오드의 방열 특성을 향상시킬 수 있고, 기판의 대면적화가 용이하며, 제조 단가가 사파이어 또는 반도체 기판에 비해 매우 저렴하여 발광 다이오드의 제조 단가를 획기적으로 줄일 수 있는 효과가 있고, 금속 기판에 발광 다이오드를 구성하는 에피층들을 성장시키는 과정에서의 기능층들 간의 격자 불일치 즉, 격자 부정합을 줄여 성장되는 기능층의 내부 결함을 줄임으로써, 발광 다이오드의 발광 효율이 향상되는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01)
출원번호/일자 1020110121490 (2011.11.21)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1279073-0000 (2013.06.20)
공개번호/일자 10-2013-0055852 (2013.05.29) 문서열기
공고번호/일자 (20130626) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.21)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 손준호 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0918321-44
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.10.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.11.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0084932-34
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0704075-80
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0057762-27
6 보정요구서
Request for Amendment		 2013.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0010467-11
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0157593-20
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.02.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0157594-76
9 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2013.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0084510-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
11 등록결정서
Decision to grant		 2013.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0404239-57
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
발광 다이오드에 있어서,금속 기판;상기 금속 기판 상에 형성된 시드층;상기 시드층 상에 형성된 버퍼층; 및상기 버퍼층 상에 형성되어 있으며 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층으로 이루어진 발광 구조체를 포함하고,상기 버퍼층은 상기 금속 기판과 상기 발광 구조체 간의 격자 부정합을 줄이는 것이고,상기 금속 기판은 비정질 또는 다결정질이고, 상기 시드층과 상기 버퍼층 및 상기 발광 구조체는 결정질이며,상기 금속 기판 상에 형성되어 상기 금속 기판으로부터의 불순물의 확산을 방지하기 위한 도전성을 갖는 확산 방지층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드
2 2
제1 항에 있어서,상기 시드층 상에 패턴화되어 형성되어 있으며, 상기 발광 구조체의 결정 결함을 줄이고 상기 활성층에서 생성된 광을 산란시켜 광추출 효율을 향상시키는 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드
3 3
제1 항에 있어서,상기 버퍼층 상에 패턴화되어 형성되어 있으며, 상기 발광 구조체의 결정 결함을 줄이고 상기 활성층에서 생성된 광을 산란시켜 광추출 효율을 향상시키는 패턴화된 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드
4 4
제3 항에 있어서,상기 n형 반도체층은 상기 절연층을 구성하는 패턴들 사이의 버퍼층의 노출면으로부터 에피텍셜 측면 과성장되어 있고,상기 활성층은 상기 n형 반도체층 상에 형성되어 있고,상기 p형 반도체층은 상기 활성층 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드
5 5
제3 항에 있어서,상기 n형 반도체층은 상기 절연층을 구성하는 패턴들 사이의 버퍼층의 노출면 상에 형성되어 있고,상기 활성층은 상기 n형 반도체층의 측면에 형성되어 있고,상기 p형 반도체층은 상기 활성층의 측면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제1 항에 있어서,상기 확산 방지층은 Cr, Ru, Pt, Ni, Pd, Ir, Rh, Nb, W, Ti, Ta, 루테늄산화물(RuOx), 니켈산화물(NiOx), 이리듐산화물(IrOx), 로듐산화물(RhOx), 니오븀산화물(NbOx), 타이타늄산화물(TiOx), 탈륨산화물(TaOx) 및 크롬산화물(CrOx, x는 0
9 9
제1 항에 있어서,상기 금속 기판은 Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, W, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Ta, Ti, Sn, Zn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh, Mg, INVAR 및 스테인리스강으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드
10 10
제1 항에 있어서,상기 시드층은 Ti, Ni, Pt, Pd, Cr, CrN, TiN 및 BN으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드
11 11
제10 항에 있어서,상기 시드층의 두께는 50nm 이상 1000nm 이하인 것을 특징으로 하는, 발광다이오드
12 12
제1 항에 있어서,상기 버퍼층은 AlN, GaN, InN, Si, Ge, GaAs, ZnSe, ZnS, CdSe, ZnO, SiGe, AlP, InAs, 그래핀(Graphene), GaP, InP 및 ZnTe로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드
13 13
발광 다이오드 제조방법에 있어서,금속 기판 상에 시드층을 형성하는 시드층 형성단계;상기 시드층 상에 버퍼층을 형성하는 버퍼층 형성단계; 및상기 버퍼층 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층으로 이루어진 발광 구조체를 형성하는 발광 구조체 형성단계를 포함하고,상기 버퍼층은 상기 금속 기판과 상기 발광 구조체 간의 격자 부정합을 줄이는 것이고, 상기 금속 기판은 비정질 또는 다결정질이며, 상기 시드층과 상기 버퍼층 및 상기 발광 구조체는 결정질이고,상기 시드층 형성단계 이전에, 상기 발광 구조체를 성장시키는 과정에서 상기 금속 기판으로부터의 불순물의 확산을 방지하기 위한 도전성을 갖는 확산 방지층을 상기 금속 기판 상에 형성하는 확산 방지층 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
14 14
제13 항에 있어서,상기 발광 구조체의 결정 결함을 줄이고 상기 활성층에서 생성된 광을 산란시켜 광추출 효율을 향상시키는 패턴화된 절연층을 상기 시드층 상에 형성하는 절연층 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
15 15
제14 항에 있어서,상기 버퍼층 형성단계에서,상기 버퍼층을 상기 절연층을 구성하는 패턴들 사이의 시드층의 노출면으로부터 에피텍셜 측면 과성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
16 16
제13 항에 있어서,상기 발광 구조체의 결정 결함을 줄이고 상기 활성층에서 생성된 광을 산란시켜 광추출 효율을 향상시키는 패턴화된 절연층을 상기 버퍼층 상에 형성하는 절연층 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
17 17
제16 항에 있어서,상기 발광 구조체 형성단계에서,상기 n형 반도체층을 상기 절연층을 구성하는 패턴들 사이의 버퍼층의 노출면으로부터 에피텍셜 측면 과성장시켜 형성하고,상기 활성층을 상기 n형 반도체층 상에 형성하고,상기 p형 반도체층을 상기 활성층 상에 형성하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
18 18
제16 항에 있어서,상기 발광 구조체 형성단계에서,상기 n형 반도체층을 상기 절연층을 구성하는 패턴들 사이의 버퍼층의 노출면 상에 형성하고,상기 활성층을 상기 n형 반도체층의 측면에 형성하고,상기 p형 반도체층을 상기 활성층의 측면에 형성하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
19 19
삭제
20 20
삭제
21 21
제13 항에 있어서,상기 확산 방지층은 Cr, Ru, Pt, Ni, Pd, Ir, Rh, Nb, W, Ti, Ta, 루테늄산화물(RuOx), 니켈산화물(NiOx), 이리듐산화물(IrOx), 로듐산화물(RhOx), 니오븀산화물(NbOx), 타이타늄산화물(TiOx), 탈륨산화물(TaOx) 및 크롬산화물(CrOx, x는 0
22 22
제13 항에 있어서,상기 금속 기판은 Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, W, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Ta, Ti, Sn, Zn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh, Mg, INVAR 및 스테인리스강으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
23 23
제13 항에 있어서,상기 시드층은 Ti, Ni, Pt, Pd, Cr, CrN, TiN 및 BN으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
24 24
제23 항에 있어서,상기 시드층의 두께는 50nm 이상 1000nm 이하인 것을 특징으로 하는, 발광다이오드 제조방법
25 25
제13 항에 있어서,상기 버퍼층은 AlN, GaN, InN, Si, Ge, GaAs, ZnSe, ZnS, CdSe, ZnO, SiGe, AlP, InAs, 그래핀(Graphene), GaP, InP 및 ZnTe로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.