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발광 다이오드 제조방법에 있어서,N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 적층하여 반도체 발광 구조물을 형성하는 반도체 발광 구조물 형성단계;상기 활성층에서 생성된 광이 출사되는 광방출면 상에 증착물질의 플럭스 선이 상기 광방출면의 수선에 대해 경사각을 갖도록 증착하는 방식인 경사각 증착법을 이용하여 광파장 필터를 형성하는 광파장 필터 형성단계; 및상기 활성층에서 생성된 광인 제1 파장 대역에서 최대 세기를 갖는 제1 전자기파에 의해 여기되어 상기 제1 파장 대역과 다른 제2 파장 대역에서 최대 세기를 갖는 제2 전자기파를 발생시키는 파장 변환층을 상기 광파장 필터 상에 형성하는 파장 변환층 형성단계를 포함하여 구성되고,상기 광파장 필터 형성단계에서 형성되는 광파장 필터는 상기 활성층에서 생성된 상기 제1 전자기파에 대해 투과율이 높으며, 상기 파장 변환층에서 발생한 상기 제2 전자기파에 대해서는 반사율이 높으며,상기 광파장 필터를 형성하는 물질은 투명 전도성 물질로 이루어지고, 상기 광파장 필터는 P형 오믹 전극의 역할을 수행하며,상기 경사각 증착법을 이용하여 광파장 필터를 형성하기 전에, P형 접합을 위해 상기 P형 반도체층과 접하는 면에는 경사각을 0도로 하여 소정 두께로 광파장 필터 물질을 증착하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
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제12항에 있어서,상기 활성층에서 생성된 상기 제1 전자기파와 상기 파장 변환층에서 발생하는 상기 제2 전자기파의 조합에 의해 백색광이 생성되어 출사되는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
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제12항에 있어서,상기 제1 파장 대역은 400nm 이상 500nm 이하이고,상기 제2 파장 대역은 500nm 이상 700nm 이하이고,상기 파장 변환층은 상기 제1 파장 대역에서 최대 세기를 갖는 제1 전자기파를 흡수하여 상기 제2 파장 대역에서 최대 세기를 갖는 제2 전자기파로 변환시키는 형광체층인 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
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제12항에 있어서,상기 광파장 필터는 ITO(Indium Tin Oxide), ZITO(Zinc-doped Indium Tin Oxide), ZIO(Zinc Indium Oxide), GIO(Gallium Indium Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), FTO(Fluorine-doped Tin Oxide), AZO(Aluminium-doped Zinc Oxide), GZO(Gallium-doped Zinc Oxide), In4Sn3O12 및 Zn1-xMgxO(Zinc Magnesium Oxide, 0≤x≤1)로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
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제12항에 있어서,상기 광파장 필터 형성단계는제1 굴절률을 갖는 제1 물질층을 형성하는 제1 물질층 형성단계; 및상기 제1 굴절률과 다른 제2 굴절률을 갖는 제2 물질층을 형성하는 제2 물질층 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
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제16항에 있어서,상기 광파장 필터 형성단계에서,상기 제1 물질층 형성단계와 상기 제2 물질층 형성단계를 반복적으로 수행하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
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제16항 또는 제17항에 있어서,상기 광파장 필터 형성단계에서,상기 제1 물질층을 형성하기 위한 증착물질인 제1 물질 또는 상기 제2 물질층을 형성하기 위한 증착물질인 제2 물질의 플럭스 선과 상기 광방출면의 수선이 이루는 각도인 경사각과, 상기 광방출면의 회전 속도 및 상기 광방출면의 회전 방향중 적어도 하나를 조절하여 상기 제1 물질층과 상기 제2 물질층이 갖는 다공성 나노 구조의 형상을 조절하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
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제18항에 있어서,상기 광파장 필터 형성단계에서,상기 경사각은 90도 미만인 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
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제18항에 있어서,상기 제1 물질층과 상기 제2 물질층이 갖는 다공성 나노 구조는 나노 헬릭스(nano helix), 나노 막대(nano rod), 경사 나노 막대(oblique nano rod), 나노 와이어(nano wire), 나노 리본(nano ribbon), 나노 스프링(nano spring), 나노 콘(nano cone) 중 어느 하나의 형상인 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
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제12항에 있어서,상기 N형 반도체층, 상기 P형 반도체층 및 상기 활성층은 질화물계 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
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