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(a) 복제 몰드용 수지와 광개시제를 혼합하여 몰드조성물을 제조하는 단계;(b) 상기 (a)단계의 몰드조성물을 마스터(원판) 몰드에 도포하여 몰드용 기판으로 덮어 가압한 후, 자외선을 조사 / 경화시켜 복제 몰드를 제조하는 단계;(c) 상기 (b)단계에서 제조된 복제 몰드에 임프린트용 수지를 도포하여 제2기판에 접촉/가압한 후, 자외선 또는 열을 가하여 패턴된 수지를 제2기판에 경화하는 단계; (d) 패턴된 수지가 전이된 제2기판과 복제 몰드를 이형시키는 단계;(e) 상기 (d)단계에서 패턴된 수지가 전이된 제2기판 위에 제2물질을 도포한 다음 임프린트 수지를 제거하여 제2물질의 패턴을 형성하는 단계; 및(f) 임프린트용 수지 식각 용액에 처리하여 제2기판 상의 임프린트용 수지를 제거하는 단계; 를 포함하는, 패터닝 방법
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제1항에 있어서, 상기 (a)단계에서 복제 몰드용 수지는 아크릴수지, 에폭시수지, 우레탄 아크릴레이트 수지 또는 UV 경화성수지 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 패터닝 방법
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제1항에 있어서, 상기 (b)단계의 기판은 유리, 세라믹, 플라스틱 또는 폴리카보네이트(PC; polycarbonate)필름인 것을 특징으로 하는, 패터닝 방법
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제1항에 있어서, 상기 (b)단계의 마스터(원판) 몰드는 금속판, 유리판, 플라스틱판, 실리콘 웨이퍼, 금속산화물 웨이퍼 및 플라스틱 필름으로 이루어진 군으로부터 어느 1종인 것을 특징으로 하는, 패터닝 방법
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제1항에 있어서, 상기 (b)단계의 마스터(원판)몰드 제조 방법은 광리소그라피, 전자빔리소그라피, 이온빔리소그라피, 광프로젝션 리소그라피, 극자외선 리소그라피, 엑스레이 리소그라피, 홀로그래픽 리소그라피(레이저 간섭 리소그라피), 임프린트 리소그라피(열 및 UV 방식), 사출성형 및 전기도금으로 이루어진 군으로 부터 선택된 1종으로 제조하는 것을 특징으로 하는, 패터닝 방법
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제1항에 있어서, 상기 (c)단계의 임프린트용 수지는 자외선(UV) 경화성 수지, 열가소성 수지 및 열경화성 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 패터닝 방법
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제1항에 있어서, 상기 (c)단계의 임프린트용 수지는 스핀코팅, 딥코팅, 블레이드코팅으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나의 방식으로 도포하는 것을 특징으로 하는, 패터닝 방법
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제1항에 있어서, 상기 (c)단계의 임프린트용 수지는 저점도 임프린트용 수지를 사용하는 것을 특징으로 하는, 패터닝 방법
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제1항에 있어서, 상기 (c)단계의 제2기판은 금속, 실리콘 웨이퍼, 유리, 세라믹, 플라스틱 재질로서 평평한 판상형태, 표면이 평평하지 않고 굴곡이 있는 형태 및 유연한 필름 형태로 이루어진 군으로 부터 선택된 1종인 것을 특징으로 하는, 패터닝 방법
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제1항에 있어서, 상기 (c)단계의 가압은 롤러를 이용하는 방법; 또는 공기 및 액체의 압력을 이용하는 것을 특징으로 하는, 패터닝 방법
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제1항에 있어서, 상기 (c)단계의 경화방법은 UV 경화; 열경화; 및 가열/성형 후 냉각에 의한 경화로 이루어진 군으로부터 선택된 1종인 것을 특징으로 하는, 패터닝 방법
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제1항에 있어서, 상기 (e)단계의 제2물질은 금속, 산화물, 반도체, 고분자재료 및 유기물로 이루어진 군으로 부터 선택된 1종으로서 1nm~500㎛ 두께 범위의 막 형태로 제조가 가능한 것을 특징으로 하는, 패터닝 방법
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(a) 복제 몰드용 수지와 광개시제를 혼합하여 몰드조성물을 제조하는 단계;(b) 상기 (a)단계의 몰드조성물을 마스터(원판) 몰드에 도포하여 몰드용 기판으로 덮어 가압한 후, 자외선을 조사 / 경화시켜 복제 몰드를 제조하는 단계;(c) 상기 (b)단계에서 제조된 복제 몰드에 임프린트용 수지를 도포하고, 제2물질이 도포된 제2기판에 접촉/가압한 후, 자외선 또는 열을 가하여 패턴된 수지를 제2기판에 경화하는 단계; (d) 패턴된 수지가 전이된 제2기판과 복제 몰드를 이형시키는 단계;(e) 패턴된 수지가 전이된 제2기판 상의 최하부에 도포된 제2물질을 식각하여 제2물질의 패턴을 형성하는 단계; 및 (f) 임프린트용 수지 식각 용액에 처리하여 제2기판 상의 임프린트용 수지를 제거하는 단계; 를 포함하는, 패터닝 방법
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제14항에 있어서, 상기 제2물질의 식각은 산, 염기, 유기용매를 이용한 습식식각; 또는 이온 밀링(ion milling), RIE(reactive ion etching), ICP(inductively coupled plasma)의 건식식각법으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 패터닝 방법
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제1항 또는 제14항에 있어서, 상기 제2물질의 도포는 딥코팅, 스핀코팅, 블레이드 코팅, 스퍼터링(sputtering), 전자빔증착법(E-beam evaporation), 열증착법(Thermal evaporation), 플라즈마 화학기상증착법(Plasma enhanced chemical vapor deposition; PECVD) 및 저압력 화학기상증착법(Low pressure chemical vapor deposition; LPCVD)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종의 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는, 패터닝 방법
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제1항에 있어서, 상기 (f)단계의 상기 임프린트 수지의 제거는 산소 플라즈마의 건식식각; 또는 산, 염기 및 유기용매를 이용한 습식식각법으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 패터닝 방법
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제1항에 있어서, 상기 (a)단계 내지 (f)단계의 공정을 반복하여 둘 이상의 패턴을 다층으로 구현할 수 있는 것을 특징으로 하는, 패터닝 방법
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제1항에 있어서, 상기 패터닝 방법에 의해 구현된 패턴의 크기는 10nm~1mm 범위인 것을 특징으로 하는, 패터닝 방법
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