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유기전기발광소자, 이에 적용되는 금속 프탈로시아닌 함유 폴리이미드 수지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015171596
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열안정성이 우수한 금속 프탈로시아닌을 함유한 폴리이미드 수지 및 이를 전하 수송층으로 적용하여 그 특성이 향상된 유기전기발광소자를 개시한다. 프탈로시아닌, 공중합, 폴리이미드, 불소, OLED, 전하수송층, 열특성
Int. CL C09K 11/06 (2006.01)
CPC C09K 11/06(2013.01)C09K 11/06(2013.01)C09K 11/06(2013.01)C09K 11/06(2013.01)C09K 11/06(2013.01)C09K 11/06(2013.01)
출원번호/일자 1020040024203 (2004.04.08)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0575184-0000 (2006.04.24)
공개번호/일자 10-2005-0099112 (2005.10.13) 문서열기
공고번호/일자 (20060503) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.04.08)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 하창식 대한민국 부산광역시금정구
2 정신혜 대한민국 울산광역시남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 임평섭 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로 ***-*, *층(당산동*가, 정우빌딩)(임특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2004-0145198-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.12.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0082720-84
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0645262-62
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0111500-08
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.03.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0189417-66
7 의견서
Written Opinion
2006.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0189162-18
8 등록결정서
Decision to grant
2006.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0182735-19
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2007-5049227-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전하 수송층을 포함하는 유기전기발광소자에 있어서,상기 전하 수송층은, 디아민 성분, 불소 함유 디안하이드라이드 성분 및 다음 화학식 1로 표시되는 금속 프탈로시아닌 유도체를 공중합한 것으로 중량평균분자량이 50,000 내지 60,000이고 유리전이온도가 215 내지 230℃인 폴리이미드 수지로 이루어진 것임을 특징으로 하는 유기전기발광소자
2 2
다음 화학식 1로 표시되는 금속 프탈로시아닌 유도체와 디아민 성분을 혼합하여 교반하는 단계;불소 함유 디안하이드라이드 성분을 첨가하여 질소기류 하에서 디메틸 술폭사이드에서 반응시켜 폴리아믹산을 만드는 단계; 및상기 폴리아믹산을 열경화 또는 화학적 처리를 수행하여 폴리이미드화함으로써 중량평균분자량이 50,000 내지 60,000이고 유리전이온도가 215 내지 230℃인 폴리이미드 수지를 제조하는 단계를 포함하는 폴리이미드 수지의 제조방법
3 3
삭제
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 디아민 성분은 4,4'-옥시 디아닐린(ODA), 2,4,5,6-테트라메칠-1,4-페닐렌-디아민(4MPDA), p-페닐렌 디아민, 2,2'-비스(3-아미노페녹시)벤젠(APB) 및 2,2'-비스(4-디아미노페닐)헥사플루오로프로판(6FDAM) 중에서 선택된 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 폴리이미드 수지의 제조방법
5 5
제 2 항에 있어서, 상기 불소 함유 디안하이드라이드 성분은 2,2-비스(3,3-디카르복시페닐)헥사플루로프로판 디안하이드라이드인 것임을 특징으로 하는 폴리이미드 수지의 제조방법
6 6
삭제
7 7
제 2 항에 있어서, 상기 폴리이미드화 단계에서 화학적 처리는 아세틱 안하이드라이드와 트리에칠아민을 더하여 반응을 수행하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 수지의 제조방법
8 8
ITO 기판을 준비하는 단계;디아민 성분, 불소 함유 디안하이드라이드 성분 및 화학식 1로 표시되는 금속 프탈로시아닌 유도체를 공중합한 것으로 중량평균분자량이 50,000 내지 60,000이고 유리전이온도가 215 내지 230℃인 폴리이미드 수지를, 습식으로 상기 ITO 기판 위에 코팅하고 건조하여 전하 수송층을 형성하는 단계;상기 전하 수송층 위에 발광층을 형성하는 단계; 및상기 발광층 위에 알루미늄을 진동 증착하는 단계를 포함하는 유기전기발광소자의 제조방법
9 9
디아민 성분, 불소 함유 디안하이드라이드 성분 및 다음 화학식 1로 표시되는 금속 프탈로시아닌 유도체를 공중합한 것으로, 중량평균분자량이 50,000 내지 60,000이고 유리전이온도가 215 내지 230℃인 폴리이미드 수지
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 디아민 성분은 4,4'-옥시 디아닐린(ODA), 2,4,5,6-테트라메칠-1,4-페닐렌-디아민(4MPDA), p-페닐렌 디아민, 2,2'-비스(3-아미노페녹시)벤젠(APB) 및 2,2'-비스(4-디아미노페닐)헥사플루오로프로판(6FDAM) 중에서 선택된 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 폴리이미드 수지
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 불소 함유 디안하이드라이드 성분은 2,2-비스(3,3-디카르복시페닐)헥사플루로프로판 디안하이드라이드인 것임을 특징으로 하는 폴리이미드 수지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.