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탄소나노튜브의 표면 개질방법

  • 기술번호 : KST2015171615
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노튜브의 표면을 개질하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명은, (S1)원자이동 반응을 통해 유기 라디칼을 형성할 수 있는 유기 화합물을 준비하는 단계; (S2)상기 준비된 유기화합물, 탄소나노튜브, 전이금속 화합물(Mtn+Xn), 리간드(L) 및 환원성 금속 파우더를 포함하는 전이금속 착물을 유기용매에 혼합하는 단계; (S3)원자이동 라디칼 첨가반응(ATRA)에 따라, 상기 첨가된 유기 화합물이 상기 전이금속 착물과 반응하여 유기 라디칼을 형성하고, 형성된 유기 라디칼이 상기 탄소나노튜브의 표면에 공유결합을 형성하여 탄소나노튜브의 표면을 개질시키는 단계; 및 (S4)상기 표면이 개질된 탄소나노튜브를 여과하고 건조하여 수득하는 단계;를 포함하여 진행하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 다양한 유기화합물을 이용하여 그 표면에 공유결합시킴으로써 간편하게 탄소나노튜브의 표면을 개질할 수 있고, 이로써 기존에 문제시 되었던 탄소나노튜브의 고유의 용해성과 낮은 분산성을 향상시킬 수 있으므로, 탄소나노튜브의 응용분야가 더욱 확대될 수 있다. 탄소나노튜브, 표면 개질, 원자이동 반응
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C01B 32/168(2013.01) C01B 32/168(2013.01) C01B 32/168(2013.01) C01B 32/168(2013.01) C01B 32/168(2013.01) C01B 32/168(2013.01)
출원번호/일자 1020040080376 (2004.10.08)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0652861-0000 (2006.11.24)
공개번호/일자 10-2006-0031375 (2006.04.12) 문서열기
공고번호/일자 (20061206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.10.08)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백현종 대한민국 부산광역시 금정구
2 김복기 대한민국 부산광역시 금정구
3 최진환 대한민국 울산광역시 북구
4 오샛별 대한민국 경상남도 창녕군
5 박춘호 대한민국 경상남도 양산시
6 김미진 대한민국 경상남도 양산시
7 정태호 대한민국 부산광역시 금정구
8 장준호 대한민국 부산광역시 금정구
9 조홍열 대한민국 울산광역시 울주군
10 한정훈 대한민국 부산광역시 남구
11 조수경 대한민국 부산광역시 해운대구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이상용 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)
2 류완수 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 **, 진석빌딩 본관 *층 특허법인필앤온지 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2004-0457508-18
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0118348-18
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.04.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0292892-13
4 의견서
Written Opinion		 2006.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0292891-78
5 등록결정서
Decision to grant		 2006.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0490406-94
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2007-5049227-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
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번호 청구항
1 1
(S1)원자이동 반응을 통해 유기 라디칼을 형성할 수 있는 유기 화합물을 준비하는 단계;(S2)상기 준비된 유기화합물, 탄소나노튜브, 전이금속 화합물(Mtn+Xn), 리간드(L) 및 환원성 금속 파우더를 포함하는 전이금속 착물을 유기용매에 혼합하는 단계;(S3)원자이동 라디칼 첨가반응(ATRA)에 따라, 상기 첨가된 유기 화합물이 상기 전이금속 착물과 반응하여 유기 라디칼을 형성하고, 형성된 유기 라디칼이 상기 탄소나노튜브의 표면에 공유결합을 형성하여 탄소나노튜브의 표면을 개질시키는 단계; 및(S4)상기 표면이 개질된 탄소나노튜브를 여과하고 건조하여 수득하는 단계;를 포함하여 진행하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 표면 개질방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (S1)단계에서 준비되는 유기 화합물은, 저분자 유기화합물 또는 고분자 유기화합물인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 표면 개질방법
3 3
제1항에 있어서,상기 (S2)단계의 전이금속 화합물(Mtn+Xn)에서의 전이금속(Mtn+)은, Cu1+, Cu2+, Fe2+, Fe3+, Ru2+, Ru3+, Cr2+, Cr3+, Mo0, Mo+, Mo2+, Mo3+, W2+, W3+, Rh3+, Rh4+, Co+, Co2+, Re2+, Re3+, Ni0, Ni+, Mn3+, Mn4+, V2+, V3+, Zn+, Zn2+, Au+, Au2+, Ag+ 및 Ag2+로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나이고, 상기 (S2)단계의 전이금속 화합물(Mtn+Xn)에서의 X는, 할로겐, 탄소수 1 내지 6인 알콕시, (SO4)1/2, (PO4)1/3, (HPO4)1/2, (H2PO4), 트리플레이트, 헥사플루오로포스페이트, 메탄설포네이트, 아릴설포네이트, SeR1, CN 및 R2CO2 로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하되, 상기 R1은 아릴 또는 탄소수가 1 내지 20인 직쇄 또는 분지상 알킬기이고, 상기 R2는 H 또는 탄소수 1 내지 6인 직쇄 또는 분지상 알킬기이며, 상기 (S2)단계의 전이금속 화합물(Mtn+Xn)에서의 n은, 전이금속의 형식전하로서 0≤n≤7인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 표면 개질방법
4 4
제1항에 있어서,상기 (S2)단계의 탄소나노튜브는, 단일벽 또는 다중벽으로 형성된 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 표면 개질방법
5 5
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6 5
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