| 1 |
1
전이금속 합금반도체를 제공하는 단계;상기 합금반도체에 수소를 주입하여,상기 전이 금속 합금 반도체를 구성하는 원자들 사이의 반결합 준위에 수소 전자가 포획되어 복합체 분자를 형성하는 과정, 결합 궤도가 침입형자리로 확장되어 반결합 위치에서 수소 다리 결합을 형성하여 새로운 수소 에너지 준위를 만드는 과정, 상기 새로운 수소 에너지 준위에 의해 두 개의 이웃하는 전이 금속 스핀들이 수소를 매개로 평행하게 결합되도록 하는 과정에 의해 합금 반도체가 자화되도록 하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 합금반도체의 자화방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 전이금속은 Mn, Fe, Co, Ni, Cu 로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 합금반도체의 자화방법
|
| 3 |
3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전이금속 합금반도체는 II-VI-전이금속 합금반도체인 것을 특징으로 하는 합금반도체의 자화방법
|
| 4 |
4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전이금속 합금반도체는 III-V-전이금속 합금반도체인 것을 특징으로 하는 합금반도체의 자화방법
|
| 5 |
5
제 1 항의 방법에 의해 자화되는 전이금속 합금반도체
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제 5 항에 있어서,상기 전이금속 합금반도체는 II-VI 반도체내 고농도의 수소 및 전이금속 이온을 함유하는 (II,TM)VI:H 의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 전이금속 합금반도체
|
| 9 |
9
제 5 항에 있어서,상기 전이금속 합금반도체는 III-V 반도체내 고농도의 수소 및 전이금속 이온을 함유하는 (III,TM)V:H 의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 전이금속 합금반도체
|
| 10 |
10
제 1 항의 방법에 의해 자화되고 저농도의 수소를 함유하고 TM-H-TM 의 구성을 갖고 II-VI 반도체내에 형성되는 것을 특징으로 하는 분자 자석
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서,상기 TM은 Co인 것을 특징으로 하는 분자 자석
|
| 12 |
12
제 10 항에 있어서,상기 TM은 Mn인 것을 특징으로 하는 분자 자석
|
