맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

갈륨나이트라이드 박막 위에 에피탁셜 성장된 갈륨옥사이드투명 전계효과 트랜지스터 제조방법 및 그 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015171701
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명 전계효과 트랜지스터에 관한 것으로서, 사파이어(Al2O3) 기판 위에 갈륨나이트라이드(GaN) 박막을 증착시키는 박막증착단계와; 상기 갈륨나이트라이드(GaN) 박막 위에 소스-드레인영역을 형성시키는 소자영역형성단계와; 상기 갈륨나이트라이드(GaN) 박막 위에 산소공급률 1~15sccm 하에서 갈륨옥사이드(Ga2O3) 박막을 상기 갈륨나이트라이드(GaN) 박막에 대해 에피탁셜(epitaxial)하게 증착시켜 절연층을 형성시키는 게이트절연층형성단계와; 상기 게이트절연층 위에 투명전도성 산화물 박막을 형성시키는 게이트전극형성단계;를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드(GaN) 박막 위에 에피탁셜(epitaxial) 성장된 갈륨옥사이드(Ga2O3) 투명 전계효과 트랜지스터 제조방법 및 이에 의해 제조된 전계효과 트랜지스터를 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 갈륨나이트라이드(GaN) 박막 상면에 갈륨옥사이드(Ga2O3)를 증착시키므로써, 갈륨나이트라이드(GaN) 박막 상면의 갈륨옥사이드(Ga2O3) 박막이 화학적으로 안정적으로 증착되고, 갈륨옥사이드(Ga2O3) 자체가 갈륨나이트라이드(GaN)의 고유 옥사이드(native oxide)가 되어 갈륨나이트라이드(GaN) 박막의 표면 오염을 최소화시켜 갈륨나이트라이드(GaN) 및 갈륨옥사이드(Ga2O3) 계면에서의 오염을 막을 수 있어 고품위의 박막을 증착시킬 수 있는 이점이 있으며, 또한, 갈륨나이트라이드(GaN) 박막 상면에 갈륨옥사이드(Ga2O3)는 산소공급률에 따라 에피탁셜(epitaxial)하게 증착되어, 높은 비등방물리적 특성을 가지고 있고, 깊은(deep) 자외선(UV) 영역에서도 투명하여 투명한 전계효과 트랜지스터뿐만 아니라, 도파관, UV디텍터, UV-visible 광학장치, 전자광학(EO) 등 다양한 분야에 효과적으로 적용할 수 있을 것으로 기대되고 있다.전계효과 트랜지스터 산화물반도체 에피탁셜 계면 산소공급
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/823437(2013.01) H01L 21/823437(2013.01) H01L 21/823437(2013.01) H01L 21/823437(2013.01)
출원번호/일자 1020060102941 (2006.10.23)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0774359-0000 (2007.11.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.23)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조채용 대한민국 경상남도 밀양시
2 정세영 대한민국 부산광역시 금정구
3 이상아 대한민국 부산광역시 남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0763624-19
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2007-5049227-69
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.08.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.09.17 수리 (Accepted) 9-1-2007-0056623-78
5 등록결정서
Decision to grant		 2007.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0528140-14
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
사파이어(Al2O3) 기판 위에 갈륨나이트라이드(GaN) 박막을 증착시키는 박막증착단계와;상기 갈륨나이트라이드(GaN) 박막 위에 소스-드레인영역을 형성시키는 소자영역형성단계와;상기 갈륨나이트라이드(GaN) 박막 위에 산소공급률 1~15sccm 하에서 갈륨옥사이드(Ga2O3) 박막을 상기 갈륨나이트라이드(GaN) 박막에 대해 에피탁셜(epitaxial)하게 증착시켜 절연층을 형성시키는 게이트절연층형성단계와;상기 게이트절연층 위에 투명전도성 산화물 박막을 형성시키는 게이트전극형성단계;를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드 박막 위에 에피탁셜 성장된 갈륨옥사이드 투명 전계효과 트랜지스터 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 소자영역형성단계의 소스-드레인영역은 투명전도성 산화물로 형성시키는 것을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드(GaN) 박막 위에 에피탁셜(epitaxial) 성장된 갈륨옥사이드(Ga2O3) 투명 전계효과 트랜지스터 제조방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 투명전도성 산화물은 AZO 또는 ITO인 것을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드 박막 위에 에피탁셜 성장된 갈륨옥사이드 투명 전계효과 트랜지스터 제조방법
4 4
제 2항에 있어서, 게이트절연층형성단계는,펄스레이저증착법으로 갈륨옥사이드(Ga2O3)층을 증착시키는 것을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드 박막 위에 에피탁셜 성장된 갈륨옥사이드 투명 전계효과 트랜지스터 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 게이트전극형성단계의 투명전도성 산화물은 AZO 또는 ITO인 것을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드 박막 위에 에피탁셜 성장된 갈륨옥사이드 투명 전계효과 트랜지스터 제조방법
6 6
사파이어(Al2O3) 기판 상면에 금속유기화학증착법에 의해 형성된 갈륨나이트라이드(GaN) 박막층과;상기 갈륨나이트라이드(GaN) 박막층 상면에 펄스레이저증착법 또는 교류스파터링증착법에 의해 형성된 소스-드레인영역층과;상기 갈륨나이트라이드(GaN) 박막 상면에 갈륨옥사이드(Ga2O3)를 펄스레이저증착법에 의해 산소공급률 1~15sccm 하에서 상기 갈륨나이트라이드(GaN) 박막에 대해 에피탁셜(epitaxial)하게 증착시킴에 의해 형성된 게이트절연층과;상기 게이트절연층 상면에 투명전도성 산화물을 펄스레이저증착법 또는 교류스파터링증착법에 의해 증착시킴에 의해 형성된 게이트전극;을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드 박막 위에 에피탁셜 성장된 갈륨옥사이드 투명 전계효과 트랜지스터
7 7
제 6항에 있어서, 상기 소스-드레인영역층은 투명전도성 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드 박막 위에 에피탁셜 성장된 갈륨옥사이드 투명 전계효과 트랜지스터
8 8
제 7항에 있어서, 상기 투명전도성 산화물은 AZO 또는 ITO인 것을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드 박막 위에 에피탁셜 성장된 갈륨옥사이드 투명 전계효과 트랜지스터
9 9
제 7항에 있어서, 상기 게이트전극의 투명전도성 산화물은 AZO 또는 ITO인 것을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드 박막 위에 에피탁셜 성장된 갈륨옥사이드 투명 전계효과 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.