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진공챔버 내부에 ZnTMO 타겟, ZnO 및 TM 타겟, Zn 및 TM 타켓 중에 어느 하나의 타겟을 장착하는 단계(TM은 전이금속을 나타냄)와;상기 진공챔버를 고진공으로 형성시키는 단계와;상기 타켓에 대향되는 위치에 장착된 기판을 가열하는 단계와;상기 진공챔버 내부에 아르곤-수소 혼합가스 또는 아르곤 반응가스 분위기에 수소가스를 주입하는 단계;를 포함하여 이루어지는 RF 마그네트론 스파터링 과정을 거침으로써, 상기 기판 상에 수소가 첨가된 ZnTMO:H 박막을 제조시키는 것을 특징으로 하는 수소저장체 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 TM은,Cr, Mn, Fe, Co, Ni 중 어느 하나의 원소인 것을 특징으로 하는 수소저장체 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 ZnTMO:H 박막은,내부에 TM의 농도에 따라 TM-H-TM 이합체를 형성시키며, 자기장의 조절에 의한 TM 간의 스핀의 평행 또는 반평행 방향 변화에 따라 수소를 저장 또는 추출할 수 있는 수소저장체가 되는 것을 특징으로 하는 수소저장체 제조방법
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Zn(CH3CO2)2·2H2O에서 물을 증발시켜 남은 Zn(CH3CO2)2와 용액 안정제인 모노에탄올아민(MEA)과 용매인 2-메톡시에탄올(2-MOE)을 혼합하여 용해시키는 용액제조단계와;상기 용액에 TM 이소프로옥사이드가 이소프로패놀에 녹아 있는 용액을 혼합시키는 용액혼합단계(TM은 전이금속을 나타냄)와;상기 용액에 Zn과 H2O의 중량비가 1:1이 되도록 혼합하여 상기 용액에 혼합하여 상기 용액을 겔화시키는 겔화단계와;상기 겔화된 용액을 기판 상에 스핀코팅시켜 박막을 형성시키는 박막형성단계와;상기 기판 상에 형성된 박막을 열처리시키는 열처리단계;를 포함하여 이루어져, 상기 기판 상에 수소가 첨가된 ZnTMO:H 박막을 제조시키는 것을 특징으로 하는 수소저장체 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 박막형성단계 및 열처리단계는 일정 두께의 박막을 형성시킬 때까지 반복되는 것을 특징으로 하는 수소저장체 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 열처리단계 후에 에피탁시한 박막을 얻기 위해 700℃~750℃에서 상기 박막을 급속 열처리시키는 급속 열처리단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 수소저장체 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 TM은, Cr, Mn, Fe, Co, Ni 중 어느 하나의 원소인 것을 특징으로 하는 수소저장체 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 ZnTMO:H 박막은,내부에 TM의 농도에 따라 TM-H-TM 이합체를 형성시키며, 자기장의 조절에 의한 TM 간의 스핀의 평행 또는 반평행 방향 변화에 따라 수소를 저장 또는 추출할 수 있는 수소저장체가 되는 것을 특징으로 하는 수소저장체 제조방법
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진공챔버 내부에 ZnTMO 타겟, ZnO 및 TM 타겟, Zn 및 TM 타켓 중에 어느 하나의 타겟을 장착하는 단계(TM은 전이금속을 나타냄)와;상기 진공챔버를 고진공으로 형성시키는 단계와;상기 타켓에 대향되는 위치에 장착된 기판을 가열하는 단계와;상기 진공챔버 내부에 아르곤-산소 혼합가스 또는 아르곤 반응가스 분위기에 산소가스를 주입하는 단계;를 포함하여 이루어진 RF 마그네트론 스파터링 과정을 거쳐 기판 상에 ZnTMO 박막을 형성시키고,상기 ZnTMO 박막을 아르곤-수소 혼합가스 분위기에서 열처리시켜, ZnTMO 박막 내부로 확산에 의해 수소가 침투되도록 하여, 상기 기판 상에 수소가 첨가된 ZnTMO:H 박막을 제조시키는 것을 특징으로 하는 수소저장체 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 TM은, Cr, Mn, Fe, Co, Ni 중 어느 하나의 원소인 것을 특징으로 하는 수소저장체 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 ZnTMO:H 박막은,내부에 TM의 농도에 따라 TM-H-TM 이합체를 형성시키며, 자기장의 조절에 의한 TM 간의 스핀의 평행 또는 반평행 방향 변화에 따라 수소를 저장 또는 추출할 수 있는 수소저장체가 되는 것을 특징으로 하는 수소저장체 제조방법
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제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 수소저장체
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