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Li과 Ⅶ족 불순물을 동시 도핑한 p-형 ZnO반도체

  • 기술번호 : KST2015171772
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ZnO에 Li 과 Ⅶ 족 불순물을 동시에 도핑하여 p-형 반도체를 구현하는 방법에 관한 것으로서, ZnO에 Li과 Ⅶ족 불순물을 동시도핑(codoping)하여 Li과 Ⅶ족 불순물이 결합된 불순물복합체에 의해 만들어지는 받게 에너지준위(acceptor energy level)가 순수 Li 받게 에너지준위보다 낮아지는 것을 기술적 특징으로 하여, ZnO에 매우 얕은 받게 불순물 준위를 형성하여 p-형 전도도가 높은 반도체가 되는 효과가 있으며, 특히 Ⅶ족 불순물중 F를 Li과 함께 사용할 때 불순물준위가 가장 얕아져 양질의 p-형 ZnO반도체 구현이 가능해 지는 효과가 있다. p형 반도체, ZnO, Li, F, 동시도핑
Int. CL H01L 31/0328 (2006.01) H01L 21/265 (2006.01) H01L 31/0296 (2006.01)
CPC H01L 31/022483(2013.01) H01L 31/022483(2013.01) H01L 31/022483(2013.01) H01L 31/022483(2013.01)
출원번호/일자 1020080014599 (2008.02.18)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0958137-0000 (2010.05.07)
공개번호/일자 10-2009-0089184 (2009.08.21) 문서열기
공고번호/일자 (20100518) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.18)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박철홍 대한민국 부산광역시 동래구
2 강일준 대한민국 부산광역시 사하구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0120273-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0081834-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0319280-19
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0604288-45
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0673575-40
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0738540-11
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.12.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0815939-53
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0815953-93
10 등록결정서
Decision to grant
2010.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0177263-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Ⅱ-Ⅳ족 반도체인 ZnO에 O-2p 궤도보다 낮은 에너지를 가지는 받게형 불순물 Li과 홀전하궤도를 형성하는 주게형 Ⅶ족 불순물을 동시도핑(codoping)하여 받게형 불순물 Li과 VII족을 주입하는 것을 특징으로 하는 Li과 Ⅶ족 불순물을 동시도핑한 p-형 ZnO 반도체
2 2
제 1항에 있어서, 상기 불순물 Li의 농도는 Ⅶ족 불순물의 농도보다 상대적으로 높은 것을 특징으로 하는 Li과 Ⅶ족 불순물을 동시도핑한 p-형 ZnO 반도체
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 불순물 Li와 Ⅶ족 불순물의 농도가 2:1인 것을 특징으로 하는 Li과 VII족 불순물을 동시도핑한 p-형 ZnO 반도체
4 4
제 3항에 있어서, 상기 Ⅶ족 불순물은, 원소 F인 것을 특징으로 하는 Li과 Ⅶ족 불순물을 동시도핑한 p-형 ZnO 반도체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.