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불순물 Na 및 F로 코도핑되는 p-형 ZnO 반도체

  • 기술번호 : KST2015171782
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, Ⅱ-Ⅳ족 반도체인 ZnO에 받개형 불순물인 Na 및 주개형 불순물인 F가 코도핑되는 것을 기술적 특징으로 하여, ZnO에 매우 얕은 받개 불순물 준위를 형성을 통해 p-형 전도도가 높은 반도체가 되는 효과가 있으며, 특히 F를 Na과 함께 코도핑할 때, 불순물준위가 가장 얕아져 양질의 p-형 ZnO반도체 구현이 가능해지는 효과가 있다. p형 반도체, ZnO, Na, F, 코도핑
Int. CL H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/22 (2006.01)
CPC H01L 21/22(2013.01) H01L 21/22(2013.01) H01L 21/22(2013.01)
출원번호/일자 1020080021093 (2008.03.06)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0995704-0000 (2010.11.15)
공개번호/일자 10-2009-0095877 (2009.09.10) 문서열기
공고번호/일자 (20101119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.03.06)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박철홍 대한민국 부산광역시 동래구
2 강일준 대한민국 부산광역시 사하구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-0166034-79
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.03.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0022974-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0029652-45
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0191348-34
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0329782-20
7 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2010.09.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0040496-71
8 등록결정서
Decision to grant
2010.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0504972-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
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번호 청구항
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Ⅱ-Ⅳ족 반도체인 ZnO에 불순물을 코도핑하되, 불순물 준위 자체가 O-2p 궤도 준위보다 낮은 주개형 불순물 F와 그리고 받개형 불순물 Na를 코도핑하여 주개형 불순물 F 궤도와 받개형 불순물 Na-O 혼성결합에 의해 Na-O 받개 준위를 낮추는 것을 특징으로 하는 불순물 Na 및 F로 코도핑되는 p-형 ZnO 반도체
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제 1항에 있어서, 불순물 Na의 농도는 불순물 F의 농도보다 상대적으로 더 높은 것을 특징으로 하는 불순물 Na 및 F로 코도핑되는 p-형 ZnO 반도체
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 불순물 Na과 불순물 F의 농도의 비율이 2:1인 것을 특징으로 하는 불순물 Na 및 F로 코도핑한 p-형 ZnO 반도체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.