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부분 화소형 섬광체 엑스선 센서

  • 기술번호 : KST2015171809
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 섬광체층 및 화소 어레이층을 포함하며, 상기 섬광체층은 엑스선이 입사되는 일측 표면의 일정 깊이까지는 섬광체로 이루어져 입사되는 거의 모든 엑스선을 광으로 변환시키고, 상기 일정 깊이 이하에서는 상기 광이 상기 화소 어레이층의 단위 화소로 분리되어 입사되도록 하는 광가이드를 구비하여 DQE(Detective Quantum Efficiency)의 특성이 우수해지고, 해상도가 우수한 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서를 제공한다. 부분 화소형, 엑스선 센서, 섬광체층, 화소 어레이층, 광가이드
Int. CL G03B 42/02 (2006.01)
CPC G03B 42/021(2013.01) G03B 42/021(2013.01) G03B 42/021(2013.01) G03B 42/021(2013.01) G03B 42/021(2013.01)
출원번호/일자 1020080074123 (2008.07.29)
출원인 주식회사바텍, 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0973338-0000 (2010.07.26)
공개번호/일자 10-2010-0012621 (2010.02.08) 문서열기
공고번호/일자 (20100730) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.29)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사바텍 대한민국 경기도 화성시 삼
2 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노창준 대한민국 경기 성남시 분당구
2 김호경 대한민국 부산 금정구
3 윤승만 대한민국 울산광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사바텍 대한민국 경기도 화성시 삼
2 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0547446-57
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0098737-11
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0579591-53
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2009-5045505-33
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2010-5048943-56
6 등록결정서
Decision to grant		 2010.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0181101-32
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.09.29 수리 (Accepted) 4-1-2010-5179097-73
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2012-5048640-07
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2012-5048638-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2013-5126130-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.10.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5130700-30
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2014-5123891-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2015-5001533-99
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입사된 엑스선을 광으로 변환시키는 섬광체층; 및 상기 섬광체층에서 변환된 광을 수신하는 화소 어레이층;을 포함하며, 상기 화소 어레이층;은 매트릭스 형태로 배열된 복수개의 단위 화소; 및 상기 단위 화소들 각각에 연결되며, 연결된 단위 화소를 온/오프시키는 박막트랜지스터;를 포함하며, 상기 섬광체층:은 상기 엑스선을 광으로 변환시키는 섬광체; 및 상기 광을 반사시키는 광가이드;를 포함하되, 상기 엑스선이 입사되는 일측 표면에서 일정 깊이까지의 섬광체층은 상기 섬광체로만 이루어져 있으며, 상기 엑스선이 입사되는 일측 표면에서의 일정 깊이 이하의 섬광체층은 섬광체 및 광가이드로 이루어져 있되, 상기 단위 화소들 상부에는 섬광체로 이루어져 있고, 상기 단위 화소들 사이의 상부에는 광가이드로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 일정 깊이는 하기 식의 t로부터 획득되는 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 섬광체는 Gd2O2S:Tb 혹은 CsI:Tl로 이루어진 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 광가이드는 실리콘 또는 폴리머로 이루어진 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 광가이드는 그 표면에 광을 반사하기 위한 광 반사체 물질이 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 광 반사체 물질은 산화막 또는 금속막인 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 산화막은 TiO2 또는 SiO2이고, 상기 금속막은 Cr 또는 Al인 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서
8 8
제 4 항에 있어서, 상기 광가이드는 상기 섬광체에서 발생된 광을 단위화소로의 전달 효율을 높이기 위한 기학적 구조를 구비하는 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 광가이드는 상기 일측 표면에 가까운 단부의 단면은 이등변 삼각형의 형상을 가지고, 상기 단부 이외의 영역의 단면은 사각형의 형상을 가진 형태인 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서
10 10
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단위 화소는 포토다이오드를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서는 맘모그래피의 엑스선 검출부로 이용되는 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서
12 12
제 10 항에 있어서, 상기 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서는 오랄 센서의 엑스선 검출부로 이용되는 것을 특징으로 하는 부분 화소형 섬광체 엑스선 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.