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씨드 층이 없는 보머-웨버 형 ＺｎＯ나노 막대의 제조 방법및 그에 의한 씨드 층이 없는 보머-웨버 형 ＺｎＯ 나노 막대

  • 기술번호 : KST2015171843
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 씨드 층이 없는 보머 웨버형 ZnO 나노 막대를 제조하는 방법 및 상기 방법으로 제조된 씨드 층이 없는 보머 웨버형 ZnO 나노 막대에 관한 것이다. 본 발명은 백금 기판 위에 보머 웨버형 ZnO 나노 크리스탈을 RF 스퍼터링으로 형성하는 단계; 및 상기 보머 웨버형 ZnO 나노 크리스탈을 Zn(NO3)2·6H2O와 NaOH 혼합 수용액에 담그고 외부에서 이중탕 가열하는 단계를 포함하는 씨드 층이 없는 보머 웨버형 ZnO 나노 막대를 제조하는 방법을 제공할 수 있다. 본 발명에 의하면, 보머-웨버형 ZnO 나노 막대는 씨드 층이 없기 때문에 전자가 전극으로 이동할 수 있는 효율을 증가시킬 수 있고 이를 전기장 효과 트랜지스터, 발광 다이오드, 염료 감응형 태양 전지의 전자 전달체에 적용하여 소자의 효율을 향상시킬 수 있다는 장점이 있다. ZnO 나노 막대, 씨드 층이 없는 보머 웨버형 ZnO 나노 막대, RF 스퍼터링, 열수용액법
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/363 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0028(2013.01) B82B 3/0028(2013.01) B82B 3/0028(2013.01) B82B 3/0028(2013.01) B82B 3/0028(2013.01) B82B 3/0028(2013.01) B82B 3/0028(2013.01)
출원번호/일자 1020090006616 (2009.01.28)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1067529-0000 (2011.09.19)
공개번호/일자 10-2010-0087543 (2010.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (20110927) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.01.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박세정 대한민국 경상남도 밀양시
2 허태봉 대한민국 부산광역시 금정구
3 김형국 대한민국 경상남도 밀양시
4 황윤회 대한민국 경상남도 밀양시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주은희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** 선릉엘지에클라트 B-***(아이디어로특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0052904-25
2 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0415132-54
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0030304-31
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0142220-07
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0142208-58
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0486934-02
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
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번호 청구항
1 1
백금 기판 위에 보머 웨버형 ZnO 나노 크리스탈을 라디오 주파수 스퍼터링(Radio Frequency Sputtering)으로 형성하는 단계; 및 상기 보머 웨버형 ZnO 나노 크리스탈을 Zn(NO3)2·6H2O와 NaOH 혼합 수용액에 담그고 외부에서 이중탕 가열하는 단계를 포함하고, 상기 ZnO 나노 크리스탈을 형성하는 단계는, 라디오 주파수 스퍼터링(Radio Frequency Sputtering)을 실시하는 동안, Zn 이온이 서로 달라붙지 않도록 백금 기판을 왕복 회전운동시키는 것을 특징으로 하는 씨드 층이 없는 보머 웨버형 ZnO 나노 막대를 제조하는 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 ZnO 나노 크리스탈을 형성하는 단계는, 라디오 주파수 스퍼터링(Radio Frequency Sputtering) 실시를 위한 챔버에 중앙 히터를 설치하고, 상기 중앙 히터의 중심으로부터 중앙 히터의 반지름의 1/2 이상이 되고 원주면을 벗어나지 않는 위치에 상기 백금 기판을 부착시키는 단계를 포함하는 씨드 층이 없는 보머 웨버형 ZnO 나노 막대를 제조하는 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 보머 웨버형 ZnO 나노 크리스탈을 제작하는 데 있어서, 스퍼터링 건은 상기 백금 기판이 부착된 중앙 히터의 중심과 스퍼터링 건의 중심 방향이 일치하지 않는 오프 액시스 방향으로 장착되어 상기 보머 웨버형 ZnO 나노 크리스탈을 증착시키는 단계를 포함하는 씨드 층이 없는 보머 웨버형 ZnO 나노 막대를 제조하는 방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 보머 웨버형 ZnO 나노 크리스탈의 증착 단계에서 상기 중앙 히터는 45°왕복 회전 운동하는 것을 포함하는 씨드 층이 없는 보머 웨버형 ZnO 나노 막대를 제조하는 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 보머 웨버형 ZnO 나노 크리스탈의 방향을 [002]로 하기 위해, 기판에 가해지는 온도를 650℃ 내지 700℃로 하는 것을 포함하는 씨드 층이 없는 보머 웨버형 ZnO 나노 막대를 제조하는 방법
6 6
제1항에 있어서, 스퍼터링 건은 상기 백금 기판이 부착된 중앙 히터의 중심으로부터 외측으로 20°내지 60°경사진 방향으로 장착되는 것을 포함하는 씨드 층이 없는 보머 웨버형 ZnO 나노 막대를 제조하는 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 스퍼터링 건에는 Zn 타겟을 부착하여 상기 백금 기판에 Zn 원자를 증착시키면서 동시에 외부로부터 진공 챔버 내로 산소를 도입하여 상기 증착된 Zn 원자를 산화시키는 것을 포함하는 씨드 층이 없는 보머 웨버형 ZnO 나노 막대를 제조하는 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 보머 웨버형 ZnO 나노 크리스탈을 Zn(NO3)2·6H2O와 NaOH 혼합 수용액에 담그고 외부에서 이중탕 가열하는 단계에 있어서, 가열 온도를 70℃ 내지 80℃로 하고 상기 온도에서의 가열 시간을 15분 내지 90분으로 하는 것을 포함하는 씨드 층이 없는 보머 웨버형 ZnO 나노 막대를 제조하는 방법
9 9
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