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컴퓨터 시뮬레이션을 이용한 딥펜 나노리소그래피의 실시간박막성장 예측 방법

  • 기술번호 : KST2015171871
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 개념적으로 간단한 이론적 모형을 바탕으로 실제 나노 구조 제작과 일치하는 정확한 시뮬레이션이 가능하게 하는 딥펜 나노리소그래피의 실시간 박막성장 컴퓨터 시뮬레이션 방법을 제공하기 위한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 딥펜 나노리소그래피 기술에 의해 제작되는 영구 박막의 구조를 예측하고 박막의 성장을 실시간 추적하는 방법에 있어서; AFM 탐침으로부터 공급될 분자특성 및 시뮬레이션 조건을 입력받는 단계와, 상기 분자특성 및 시뮬레이션 조건에 기초하여 격자간격, 타임스텝, 단위시간당 낙하 분자 갯수, 시뮬레이션 시간단위에 대한 탐침의 상대속도를 결정하는 단계와, AFM 탐침으로부터 떨어뜨릴 분자의 낙하 위치를 결정하는 단계와, AFM 탐침으로부터 기판상으로 분자를 떨어뜨려 랜덤 워크를 수행시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 시뮬레이션을 이용한 딥펜 나노리소그래피의 실시간 박막성장 예측 방법을 제공한다. 딥펜, 나노리소그래피, 컴퓨터, 시뮬레이션, 박막, 성장, 실시간, 예측
Int. CL B82Y 35/00 (2011.01) H01L 21/00 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
CPC G06F 17/5009(2013.01) G06F 17/5009(2013.01)
출원번호/일자 1020090000103 (2009.01.02)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1094341-0000 (2011.12.08)
공개번호/일자 10-2010-0080693 (2010.07.12) 문서열기
공고번호/일자 (20111219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.01.02)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장준경 대한민국 부산광역시 해운대구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오위환 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **, *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0000712-14
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0157590-66
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.08.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0058406-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0485010-27
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0844999-75
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0845002-60
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2011.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0289933-35
9 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2011.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0449977-06
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0585278-56
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0666096-76
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0757508-08
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0757509-43
14 등록결정서
Decision to grant
2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0700462-18
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
딥펜 나노리소그래피 기술에 의해 제작되는 영구 박막의 구조를 예측하고 박막의 성장을 실시간 추적하는 방법에 있어서; AFM 탐침으로부터 공급될 분자특성 및 시뮬레이션 조건을 입력받는 제1단계와; 상기 분자특성 및 시뮬레이션 조건에 기초하여 격자간격, 타임스텝, 단위시간당 낙하 분자 갯수, 시뮬레이션 시간단위에 대한 탐침의 상대속도를 결정하는 제2단계와; 상기 제2단계에서 결정된 탐침의 상대속도에 따라 분자를 낙하시키기 위한 위치를 결정하고 이 결정된 위치로 AFM탐침을 이동시키게 되는 제3단계와; 상기 AFM탐침의 이동에 따른 위치 결정 완료 후, 상기 제2단계에서 결정된 단위시간당 낙하 분자 갯수에 따라 AFM 탐침으로부터 기판상으로 분자를 떨어뜨려 랜덤 워크를 수행하는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 시뮬레이션을 이용한 딥펜 나노리소그래피의 실시간 박막성장 예측 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 랜덤 워크 수행 단계는, 각 횡적위치에서 분자의 적층 상태를 체크하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 시뮬레이션을 이용한 딥펜 나노리소그래피의 실시간 박막성장 예측 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 랜덤 워크 수행 단계는, 매 시간단위마다 분자들을 3차원 입방격자 상에서 무작위적으로 운동시킴으로써 이루어짐을 특징으로 하는 컴퓨터 시뮬레이션을 이용한 딥펜 나노리소그래피의 실시간 박막성장 예측 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 랜덤 워크 수행 단계는, 난수발생기에 의해 순차적으로 이루어짐을 특징으로 하는 컴퓨터 시뮬레이션을 이용한 딥펜 나노리소그래피의 실시간 박막성장 예측 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 분자특성은 유효반경 및 확산계수임을 특징으로 하는 컴퓨터 시뮬레이션을 이용한 딥펜 나노리소그래피의 실시간 박막성장 예측 방법
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제 1 항에 있어서, 확산계수는 그 값이 주어지지 않은 경우에는 분자의 점성도 및 유효반경으로부터 Stokes-Einstein 관계식에 의해 구하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 시뮬레이션을 이용한 딥펜 나노리소그래피의 실시간 박막성장 예측 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제3단계에서 AFM 탐침으로부터 떨어뜨릴 분자의 낙하 위치는, 시뮬레이션 시간단위에 대한 상대속도(v*)가 1보다 클 경우, 매 시간단위마다 기결정된 상대속도로 AFM 탐침을 이동시킴에 따라 결정되어지고, 시뮬레이션 시간단위에 대한 상대속도(v*)가 1미만일 경우, 매 1/v* 시간단위마다 AFM 탐침을 한 격자 간격식 이동시킴에 따라 결정되어지는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 시뮬레이션을 이용한 딥펜 나노리소그래피의 실시간 박막성장 예측 방법
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제 1 항에 있어서, AFM 탐침으로부터 분자를 낙하시킴에 있어, 낙하 위치에 이미 다른 분자가 있는 경우에는, 그 다른 분자 바로 위에 떨어진 분자를 낙하시키는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 시뮬레이션을 이용한 딥펜 나노리소그래피의 실시간 박막성장 예측 방법
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삭제
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삭제
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제 1 항에 있어서, 상기 AFM 탐침은 일정한 속도로 분자를 떨어뜨리는 공급원으로 가정하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 시뮬레이션을 이용한 딥펜 나노리소그래피의 실시간 박막성장 예측 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 학술진흥재단 부산대학교 산학협력단 지역대학우수과학자지원사업 나모미터 크기의 AFM 첨단을 이용한 박막성장 연구