1 |
1
4차화된 이미다졸늄 이온을 포함하는 하기 화학식 1로 표시되는 랜덤 공중합체
|
2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1의 R1은 메틸, 에틸, 프로필 및 부틸로 구성된 군으로부터 선택된 랜덤 공중합체
|
3 |
3
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1의 R2는 수소인 랜덤 공중합체
|
4 |
4
a)분자량 조절제 합성하여 라프트(RAFT) 중합을 준비하는 준비 단계;b)분자량 조절제, 유기물질, 자유라디칼개시제를 유기용매에 혼합하는 혼합 단계;c)RAFT 중합에 따라 상기 혼합물이 중합하여 랜덤고분자를 형성하는 형성 단계; 및d)RAFT 중합에 의해 형성된 랜덤고분자를 용매에서 탈분해(Deprotection) 하여 구조를 개질시키는 개질 단계를 포함하는 제1항의 랜덤 공중합체를 제조하는 방법
|
5 |
5
제 4항에 있어서,상기 고분자는 아래의 화학식 2로 표시되는 분자량 조절제, CTA-1을 이용하여 라프트중합(RAFT, reversible addition-fragmentation chain transfer polymerization)하여 랜덤고분자를 생성하는 것을 특징으로 하는 제1항의 랜덤 공중합체를 제조하는 방법
|
6 |
6
제 4항에 있어서, 상기 혼합 단계에서,상기 유기화합물은 아래의 화학식 3으로 표시되는 쿼터나이즈 한 비닐이미다졸(Quaternized vinyl-imidazole, QVIm), 비닐프탈이미드(vinyl phthalimide, NPVI) 단량체를 포함하는 것을 특징으로 하는 제1항의 랜덤 공중합체를 제조하는 방법
|
7 |
7
제 4항에 있어서, 상기 개질 단계는 화학식 4에 기재된 것과 같이, 랜덤고분자 형성하고 탈분해(Deprotection)하여 랜덤 고분자 구조를 개질하여 구조내에 비닐 아민(vinyl amine;VA)을 포함하는 랜덤 고분자 구조식으로 개질 되는 것을 특징으로 하는 제1항의 랜덤 공중합체를 제조하는 방법
|
8 |
8
제 4항에 있어서, 상기 자유라디칼개시제는 유기과산화물, 하이드로 과산화물, 또는 아조 화합물인 제1항의 랜덤 공중합체를 제조하는 방법
|
9 |
9
제 1항의 랜덤 공중합체를 용매에 용해시키고, 여기에 금속 화합물을 첨가하는 단계를 포함하는 금속 나노입자의 제조방법
|
10 |
10
제 9항에 있어서, 상기 금속은 금, 은, 백금, 구리, 코발트, 니켈, 또는 티타늄인 것을 특징으로 하는 금속 나노입자의 제조방법
|
11 |
11
제 9항 또는 제 10항의 제조방법에 의하여 제조된 금속 나노입자
|
12 |
12
제 11항에 있어서, 상기 금속은 상기 금속은 금, 은, 백금, 구리, 코발트, 니켈, 또는 티타늄인 것을 특징으로 하는 금속 나노입자
|
13 |
13
제 1항에 따른 공중합체를 함유하는 염료감응 태양전지용 전해질 조성물
|
14 |
14
제 13항의 조성물을 전해질로서 포함하는 염료감응 태양전지
|