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하기의 화학식을 갖는 N-모노클로로페닐노보넨디카르복시이미드 모노머
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하기의 화학식을 가지며, 이미드의 N 위치가 모노클로로페닐기로 치환된 폴리노보넨디카르복시이미드
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청구항 2의 폴리노보넨디카르복시이미드를 시트 형상으로 건조하여 생성한 투명필름을 기판으로 하여 그 위에 성막된 인듐주석산화물(ITO)이나 산화아연(ZnO), 및 상기 인듐주석산화물이나 산화아연 위에 순차로 증착된 정공수송층, 전자수송층, 및 음극을 포함하는 유기전기발광소자
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청구항 2의 폴리노보넨디카르복시이미드를 시트 형상으로 건조하여 생성한 투명필름을 기판으로 이용한 유기박막트랜지스터
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청구항 2의 폴리노보넨디카르복시이미드를 시트 형상으로 건조하여 생성한 투명필을 기판으로 이용한 유기 태양전지
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엔도 이성질체인 노보넨디카르복실릭언하이드라이드를 엑소 이성질체의 노보넨디카르복실릭언하이드라이드로 전환시키는 제 1 단계; 상기 엑소 이성질체의 노보넨디카르복실릭언하이드라이드를 N-모노클로로페닐노보넨디카르복시이미드로 합성시키는 제 2 단계; 및상기 합성된 N-모노클로로노보넨디카르복시이미드를 중합하여 폴리(N-모노클로로페닐노보넨디카르복시이미드)로 합성시키는 제 3 단계로 이루어지는 모노클로로페닐기를 포함하는 폴리노보넨디카르복시이미드의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 제 1 단계는, 상기 엔도 이성질체인 노보넨디카르복실릭안하이드라이드를 질소 분위기 하에서 220℃ 이상으로 가열시킨 후, 120℃까지 식히는 단계; 120℃가 되었을 때, 폴리노보넨디카르복실릭안하이드라이드에 클로로벤젠을 첨가하여 혼합물을 만드는 단계; 상기 혼합물을 상온으로 식힌 후 결정을 여과하고 세척한 후 건조하는 단계로 이루어지는 모노클로로페닐기를 포함하는 폴리노보넨디카르복시이미드의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 제 2 단계는, 상기 엑소 이성질체의 노보넨디카르복실릭언하이드라이드를 톨루엔에 용해시키는 단계; 상기 노보넨디카르복실릭언하이드라이드 용액에 클로로아닐린을 첨가하여 교반시키는 단계;교반되면서 현탁액이 형성되면 여과 및 건조시켜 아믹산을 생성하는 단계; 및 상기 아믹산을 무수소듐아세테이트, 무수초산 용매에서 교반, 환류시키고, 메탄올로 재결정시키는 단계로 이루어지는 모노클로로페닐기를 포함하는 폴리노보넨디카르복시이미드의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 아믹산, 무수소듐아세테이트, 및 무수초산의 몰 비는 7 : 4 : 64인 모노클로로페닐기를 포함하는 폴리노보넨디카르복시이미드의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 제 3 단계는, N-모노클로로페닐노보넨디카르복시이미드를 질소 분위기에서 다이클로로에탄 용매에 금속 촉매를 중합 개시제로 하여 용해시키는 단계; 질소 분위기에서 에틸바이닐이서를 첨가하여 반응을 정지시키는 단계; 상온에서 헥산을 첨가하여 침전시키는 단계; 상기 침전물을 클로로포름에 녹이고 염산을 첨가한 다음 헥산을 첨가하여 재침전시키는 단계; 및 상기 재 침전물을 건조하는 단계로 이루어지는 모노클로로페닐기를 포함하는 폴리노보넨디카르복시이미드의 제조방법
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청구항 6의 제조방법으로 제조되어 투명하고 유연성을 갖는, 이미드의 N 위치가 모노클로로페닐기로 치환된 폴리노보넨디카르복시이미드 필름;상기 필름 위에 스퍼터링으로 성막된 인듐주석산화물(ITO) 또는 산화아연(ZnO);상기 인듐주석산화물 또는 산화아연 위에 순차로 증착된 정공수송층, 전자수송층, 및 음극을 포함하는 유기전기발광소자
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