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하기 화학식 1의 구조를 갖는 이리듐 착화합물
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제 1항에 있어서,
상기 화학식 1의 Ar은 페닐기, 나프탈렌기, 카바졸기, 플루오레닐기, 페나진기, 페난트롤린기, 페난트리딘기, 퍼미딘기, 아크리딘기, 시놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 나프티드린기, 프탈라진기, 퀴놀리진기, 인돌기, 인다졸기, 피리다진기, 피라진기, 피리미딘기, 피리딘기, 피라졸기, 이미다졸기, 피롤기에서 선택되는 방향족 고리인 것을 특징으로 하는 이리듐 착화합물
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3 |
3
제 1항에 있어서,
상기 화학식 1의 Ar은 페닐기, 나프탈렌기, 카바졸기, 플루오레닐기에서 선택되는 방향족 고리인 것을 특징으로 하는 이리듐 착화합물
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4 |
4
제 1항에 있어서,
상기 화학식 1의 R1은 탄소수 1~20의 알킬기 또는 탄소수 1~20의 알콕시기인 것을 특징으로 하는 이리듐 착화합물
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5
제 1항에 있어서,
상기 화학식 1의 R1은 불소 또는 염소에서 선택되는 할로겐인 것을 특징으로 하는 이리듐 착화합물
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6
제 1항 내지 제 5항 중 어느 하나의 항에 기재되어 있는 이리듐 착화합물이 발광층에 포함되어 있는 유기전계발광소자
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7 |
7
제 6항에 있어서,
상기 유기전계발광소자는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극과 대향적으로 형성된 제 2 전극을 포함하며, 상기 발광층은 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
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8
제 7항에 있어서,
상기 제 1 전극과 발광층 사이로 정공주입층 및 정공전달층을, 상기 발광층과 제 2 전극 사이로 전자전달층을 더욱 포함하는 유기전계발광소자
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9
제 6항에 있어서,
상기 이리듐 착화합물은 상기 발광층의 도판트로 포함되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
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10 |
10
제 6항에 있어서,
상기 이리듐 착화합물은 상기 발광층 총량을 기준으로 3~20 중량%의 농도로 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
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