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무기물 타겟과 표시판을 서로 평행하게 챔버 내부에 위치시키고,상기 챔버 내부를 제 1 압력으로 진공화하고,상기 챔버 내부로 방전 가스를 유입하고,상기 챔버 내부의 압력을 상기 제 1 압력보다 높은 제 2 압력으로 진공화하여,상기 무기물 타겟으로부터 무기물 입자를 인출하여 상기 표시판 상에 무기막이 증착되도록 하는 것을 포함하는 배향막 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 무기물 타겟은 실리콘 산화물(SiOx)을 포함하는 배향막 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 증착은 스퍼터법 또는 화학 기상 증착법에 의해 수행되는 배향막 형성 방법
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제 3 항에 있어서,상기 제 1 압력은 8×10-6 Torr이하인 배향막 형성 방법
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제 4 항에 있어서,상기 제 2 압력은 1×10-2 내지 8×10-2 Torr인 배향막 형성 방법
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제 3 항에 있어서,상기 챔버 내부의 온도는 30 내지 200℃인 배향막 형성 방법
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제 3 항에 있어서,상기 방전 가스는 아르곤 가스를 포함하는 배향막 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 무기막은 상기 무기막 상에 위치하는 액정의 상기 표시판에 대한 선경사각이 80 내지 90°가 되도록 하는 배향막 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 무기막의 표면 조도는 15 내지 30Å인 배향막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 표시판 상에 무기막을 증착 시킨 후, 상기 무기막 상에 이온빔을 조사하는 것을 더 포함하는 배향막 형성 방법
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제 10 항에 있어서,상기 이온빔의 상기 무기막에 대한 입사 각도(θ)는 0°<θ≤90°인 배향막 형성 방법
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제 11 항에 있어서,상기 이온빔의 조사는 상기 무기막 상에 위치하는 액정이 상기 표시판에 대한 선경사각이 85 내지 90°의 선경사각을 갖도록 하는 배향막 형성 방법
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제 11 항에 있어서,상기 이온빔의 조사는 상기 무기막 상에 위치하는 액정의 상기 표시판에 대한 선경사각이 10° 이하가 되도록 하는 배향막 형성 방법
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무기물 타겟과 표시판을 서로 평행하게 챔버 내부에 위치시키고, 상기 챔버 내부를 제 1 압력으로 진공화하고, 상기 챔버 내부로 방전 가스를 유입하고, 상기 챔버 내부의 압력을 상기 제 1 압력보다 높은 제 2 압력으로 진공화하여, 상기 무기물 타겟으로부터 무기물 입자를 인출하여 상기 표시판 상에 무기막이 증착되도록 하는 것을 포함하는 방법에 의해 형성된 배향막
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제 14 항에 있어서,상기 무기막은 상기 무기막 상에 조사된 이온빔에 의해 소정의 선경사각을 갖는 배향막
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액정층을 개재하여 형성된 제 1 및 제 2 표시판; 및상기 제 1 및 제 2 표시판과 상기 액정층 사이에 각각 형성된, 무기물 타겟과 표시판을 서로 평행하게 챔버 내부에 위치시키고, 상기 챔버 내부를 제 1 압력으로 진공화하고, 상기 챔버 내부로 방전 가스를 유입하고, 상기 챔버 내부의 압력을 상기 제 1 압력보다 높은 제 2 압력으로 진공화하여 상기 무기물 타겟으로부터 무기물 입자를 인출하여 상기 표시판 상에 무기막이 증착되도록 하는 것을 포함하는 방법에 의해 형성된 배향막을 포함하는 액정 표시 장치
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제 16 항에 있어서,상기 무기막은 상기 무기막 상에 조사된 이온빔에 의해 소정의 선경사각을 갖는 액정 표시 장치
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