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하나 이상의 저분자 액정물질 또는 고분자 액정물질에서 선택되는 액정물질과, 매트릭스 폴리머를 포함하는 매트릭스 성분으로서, 상기 액정물질은 상기 매트릭스 성분을 기준으로 5~95 중량%로 함유되며, 상기 저분자 액정물질은 하기 일반식 Ⅰ로 표시되며, 상기 고분자 액정물질은 하기 일반식 Ⅱ로 표시되는 실록산계 고분자 액정물질 또는 하기 일반식 Ⅲ으로 표시되는 아크릴계 고분자 액정물질에서 선택되는 것을 특징으로 하는 매트릭스 성분과; 전해질 조성물을 포함하는 고체 전해질
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제 1항에 있어서,상기 액정물질은 상기 매트릭스 성분을 기준으로 20~80 중량%로 포함되는 고체 전해질
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제 1항에 있어서, 상기 일반식 Ⅰ로 표시되는 저분자 액정물질은 상기 R1이 C1~C20 알킬기로 치환된 액정 물질(알킬-치환 액정물질)과, C1~C20의 알콕시기로 치환된 액정 물질(알콕시-치환 액정물질) 및 C1~C20의 알킬아릴기로 치환된 액정 물질(알킬아릴-치환 액정물질)의 혼합물인 것을 특징으로 하는 고체 전해질
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제 3항에 있어서, 상기 알킬-치환 액정물질은 펜틸-치환 액정물질 및 헵틸-치환 액정물질을 포함하고, 상기 알콕시 치환 액정물질은 옥틸록시-치환 액정물질을 포함하며, 상기 알킬아릴-치환 액정물질은 펜틸벤질-치환 액정물질을 포함하는 고체 전해질
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제 3항에 있어서, 상기 알킬 치환 액정물질은 4-n-펜틸-4'-시아노바이페닐 또는 4-n-헵틸-4'-시아노바이페닐이고, 상기 알콕시 치환 액정물질은 4-n-옥틸록시-4'-시아노바이페닐이며, 상기 알킬아릴 치환 액정물질은 4-펜틸-[1,1';4',1"]-4"-카보니트릴인 것을 특징으로 하는 고체 전해질
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제 5항에 있어서, 상기 액정 혼합물을 기준으로 상기 4-n-펜틸-4'-시아노바이페닐 35~65 중량%, 상기 4-n-헵틸-4'-시아노바이페닐 15~35 중량%, 상기 4-n-옥틸록시-4'-시아노바이페닐 10~30 중량%, 상기 4-펜틸-[1,1';4',1"]-4"-카보니트릴 3~15 중량%를 포함하는 고체 전해질
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제 1항에 있어서, 상기 실록산계 고분자 액정물질 또는 상기 아크릴계 고분자 액정물질의 평균 분자량은 5,000 ~ 1,000,000 범위인 것을 특징으로 하는 고체 전해질
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제 1항에 있어서, 상기 실록산계 고분자 액정물질은 하기 화학식 2a 또는 하기 화학식 2b로 표시되는 고분자를 포함하는 고체 전해질
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제 1항에 있어서, 상기 아크릴계 고분자 액정물질은 poly(4'-시아노-바이페닐-4-일록시카르보닐데실 메타크릴레이트), poly(4'-시아노-바이페닐-4-일록시프로필 아크릴레이트), poly(4'-시아노-바이페닐-4-일록시카르보닐부틸 아크릴레이트)를 포함하는 고체 전해질
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제 1항에 있어서, 상기 전해질 조성물은 용매와, 상기 용매에 용해된 산화/환원쌍을 포함하는 고체 전해질
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11
제 10항에 있어서, 상기 매트릭스 폴리머는 상기 용매를 기준으로 1:30 ~ 1:5의 중량비로 조합되어 있는 고체 전해질
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제 1 전극과; 상기 제 1 전극에 대향하는 제 2 전극과;상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 형성되며 염료가 흡착된 산화물층과;상기 산화물층에 인접하며, 하기 일반식 Ⅰ로 표시되는 하나 이상의 저분자 액정물질, 또는 하기 일반식 Ⅱ로 표시되는 실록산계 고분자 액정물질 또는 하기 일반식 Ⅲ으로 표시되는 아크릴계 고분자 액정물질에서 선택되는 고분자 액정물질을 포함하는 매트릭스 성분과, 전해질 조성물을 포함하는 고체 전해질층 을 포함하는 염료감응형 태양 전지
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13
제 12항에 있어서, 상기 제 1 전극은 ITO(indium-tin oxide), FTO(Fluorine doped tin oxide), ZnO-(Ga2O3 또는 Al2O3), SnO2-Sb2O3를 포함하는 태양전지 소자
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제 12항에 있어서, 상기 제 2 전극은 백금, 금, 탄소를 포함하는 태양전지 소자
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제 12항에 있어서, 상기 산화물층은 전이금속 산화물층인 것을 특징으로 하는 태양전지 소자
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