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전계 방출 표시 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015172252
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계 방출 표시 소자를 제조하는 방법으로서, 상기 금속막 상단의 일 지점에 탄소나노튜브로 이루어지는 생장점을 형성시키는 단계와, 탄소나노튜브를 다량 함유하고 있는 전해질 용액의 일 측에 대전 극판을 위치시키고 상기 전해질 용액의 타 측에 탄소나노튜브의 생장점이 형성된 부분을 상기 대전 극판에 대향하도록 기판을 위치시키는 단계와, 상기 대전 극판 및 기판 각각에 전원을 인가하여 전해질 용액에 함유된 탄소나노튜브를 상기 기판의 탄소나노튜브 생장점 부분에 전기화학적으로 부착시키는 단계를 포함하여 이루어지는 전계 방출 표시 소자의 제조방법을 제공함을 그 기술적 특징으로 한다.또한, 본 발명이 제공하는 다른 기술적 특징은 탄소나노튜브 에미터 형성 단계 이후에, 상기 금속막 상단에 부착된 탄소나노튜브 에미터와 금속막 사이의 결합력을 증진시키기 위해 상기 기판을 열처리하고 고전압을 인가하는 고온열처리 및 어노딕본딩 단계가 더욱 부가되는 전계 방출 표시 소자의 제조방법이다.전계 방출 표시 소자, 탄소나노튜브, 에미터, 방전, 생장점, 어노딕본딩, 고온열처리
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) H01J 1/304 (2000.01) C01B 31/02 (2006.01)
CPC H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020050098290 (2005.10.18)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0776359-0000 (2007.11.07)
공개번호/일자 10-2007-0042398 (2007.04.23) 문서열기
공고번호/일자 (20071115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.10.18)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정우 대한민국 부산 금정구
2 김남훈 대한민국 부산 금정구
3 이득우 대한민국 부산 금정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최한수 대한민국 부산광역시 강서구 신호산단*로 **(신호동) 허브원B/D ***호(한스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2005-0589115-19
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0663461-08
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.11.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0871155-63
4 의견서
Written Opinion		 2006.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0871166-65
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2007-5049227-69
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.05.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0251567-76
7 의견서
Written Opinion		 2007.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0346348-32
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.05.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0346339-21
9 등록결정서
Decision to grant		 2007.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0524600-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
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번호 청구항
1 1
기판 상부에 패터닝된 금속막 상단에 탄소나노튜브로 이루어지는 전계 방출 표시 소자를 제조하는 방법으로서,상기 금속막 상단의 일 지점에 탄소나노튜브로 이루어지는 생장점을 형성시키는 단계와;탄소나노튜브를 다량 함유하고 있는 전해질 용액의 일 측에 대전 극판을 위치시키고, 상기 전해질 용액의 타 측에 탄소나노튜브의 생장점이 형성된 부분을 상기 대전 극판에 대향하도록 기판을 위치시키는 단계와;상기 대전 극판 및 기판 각각에 전원을 인가하여 전해질 용액에 함유된 탄소나노튜브를 상기 기판의 탄소나노튜브 생장점 부분에 전기화학적으로 부착시켜 탄소나노튜브 에미터를 형성시키는 단계를;포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브 에미터 형성 단계 이후에는, 상기 금속막 상단에 부착된 탄소나노튜브 에미터와 금속막 사이의 결합력을 증진시키기 위해 상기 기판을 열처리하고 고전압을 인가하는 고온열처리 및 어노딕본딩 단계가 더욱 부가되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 대전 극판 및 기판에 인가되는 전원은 직류, 교류, 펄스 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 금속막 상단의 생장점은 외부로 돌출되는 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조방법
5 5
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.