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나노입자 마그네시아 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015172383
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 생성된 나노입자의 입경이 100 내지 500 nm인 나노입자 마그네시아로서, 상기 나노입자의 평균 입경이 200 내지 300 nm이며, 상기 나노입자 중 입경이 가장 작은 10%의 평균값 및 입경이 가장 큰 10%의 평균값이 상기 평균 입경으로부터 30% 이내의 범위에서 분포되는 것을 특징으로 하는 나노입자 마그네시아 및 이의 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따라 균일한 나노입자 마그네시아 입경이 작고 입자의 분포가 일정하고 균일하기 때문에 소결, 결정화 특성이 좋아지고 전자재료를 포함한 다양한 응용분야로 확대할 수 있다. 마그네시아(magnesia, MgO), 폴리아크릴산(Polyacrylic acid), 이소프로필알코올(isopropyl alcohol), 나노입자(nano particle size)
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01F 5/08 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C01F 5/02 (2006.01)
CPC C01F 5/08(2013.01) C01F 5/08(2013.01) C01F 5/08(2013.01) C01F 5/08(2013.01) C01F 5/08(2013.01)
출원번호/일자 1020080083077 (2008.08.25)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1086192-0000 (2011.11.16)
공개번호/일자 10-2010-0024288 (2010.03.05) 문서열기
공고번호/일자 (20111125) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.25)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김미라 대한민국 부산광역시 금정구
2 이진국 대한민국 부산광역시 해운대구
3 김두화 대한민국 경상남도 양산시
4 장성일 대한민국 부산광역시 동래구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성현 대한민국 부산광역시 연제구 중앙대로 ****, *층 (거제동)(아너스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0604920-69
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.12.29 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2008-0895567-91
3 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2009.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0000175-88
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2009-0001597-16
5 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2009.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0001010-32
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.03.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.04.13 수리 (Accepted) 9-1-2010-0020591-11
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0404312-89
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.11.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0738193-84
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0738192-38
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2011.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0060932-31
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0093350-95
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.02.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0093374-80
14 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2011.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0149661-25
15 등록결정서
Decision to grant
2011.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0543527-04
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
생성된 나노입자의 입경이 100 내지 500 nm인 나노입자 마그네시아로서, 상기 나노입자의 평균 입경이 200 내지 300 nm이며, 상기 나노입자 중 입경이 가장 작은 10%의 평균값 및 입경이 가장 큰 10%의 평균값이 상기 평균 입경으로부터 30% 이내의 범위에서 분포되는 것을 특징으로 하는 나노입자 마그네시아
2 2
제1항에 있어서, 상기 입자는 투명한 마그네시아 액체를 800 내지 1,600℃로 가열함으로써 얻어지는 것을 특징으로 하는 나노입자 마그네시아
3 3
염화마그네슘에 알칼리 화합물을 제공하고 전기로에서 가열하여 산화마그네슘을 형성하는 제1단계; 상기 산화마그네슘을 템플레이트 물질과 용매에 투입하고 40 내지 150℃의 온도로 가열하여 투명한 산화마그네슘 용액을 형성하는 제2단계; 및 상기 투명한 산화마그네슘 용액을 전기로에서 800 내지 1,600℃로 가열함으로써 나노입자의 마그네시아를 형성하는 제3단계를 포함하는 나노입자 마그네시아의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 템플레이트는 아크릴산 유도체, 폴리아크릴산, 아크릴산 공중합체, 및 인산염 유도체 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 나노입자 마그네시아의 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 아크릴산 공중합체는 아크릴산과 2-아크릴아미도-2-메틸프로필 설폰산의 공중합체, 아크릴산과 2-히드록시프로필 아크릴레이트와 2-아크릴아미도-2-메틸프로필 설폰산의 공중합체, 폴리무수말레산의 수화물, 무수말레산과 아크릴산의 공중합체 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 나노입자 마그네시아의 제조방법
6 6
제4항에 있어서, 상기 인산염 유도체는 ATMP(Amino tri(methylene phosphonic acid), BHMT(Bis(hexamethylene) triamine penta(methylene phosphonic acid)), DTPMP(Diethylenetriamine penta(methylene phosphonic acid)), Na7DTPMP(Diethylenetriamine penta(methylene phosphonic acid) sodium), DPSC(N,N-Diphosphonomethyl-N-sulfomethyl-N-carboxymethyl ethylenediamine), EDTMP(Ethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid)), EDTMPS(Ethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid) sodium), K6HDTMP(Hexamethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid) hexapotassium Salt), HEDP(1-Hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid), Na4HEDP(1-Hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid sodium), HPAA(2-Hydroxy phosphonoacetic acid), PBTC(Phosphonobutane-1,2,4-tricarboxylic acid), TETHMP(riethylenetetramine hexa(methylene phosphonic acid)) 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 나노입자 마그네시아의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.