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1
미립화 처리된 산화금속 입자를 첨가한 고분자 전해질 복합막
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2
제 1항에 있어서,
상기 산화금속 입자는 알루미나(Al2O3), 실리카(SiO2), 지르코니아(ZrO2) 또는 타이타니아(TiO2) 중에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 복합막
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3
제 1항에 있어서,
상기 산화금속 입자는 볼밀(ball mill), 아트리션밀(attrition mill) 또는 초음파균질기(ultrasonic homogenizer) 중에서 선택된 하나 이상의 장치를 사용하여 미립화 처리되는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 복합막
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4
제 1항에 있어서,
상기 산화금속 입자는 나피온(NafionTM), 플레미온(FlemionTM), 또는 아시플렉스(AciplexTM) 중에서 선택되는 하나 이상의 고분자 전해질에 0
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5
제 1항의 미립화 처리된 산화금속 입자를 첨가한 고분자 전해질 복합막을 이용하여 제조한 이온성 고분자-금속 복합체(IPMC) 작동기
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6 |
6
(1) 미립화 처리된 산화금속 입자를 제조하는 단계(S11);
(2) 상기 미립화 처리된 산화금속 입자를 고분자 전해질에 첨가하여 고분자 전해질 복합막을 제조하는 단계(S12); 및
(3) 상기 고분자 전해질 복합막의 양 표면에 금속 전극이 도금된 이온성 고분자-금속 복합체 작동기를 제조하는 단계(S13);를 포함하는 IPMC 작동기 제조 방법
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7 |
7
제 6항에 있어서,
상기 산화금속 입자는 알루미나(Al2O3), 실리카(SiO2), 지르코니아(ZrO2) 또는 타이타니아(TiO2) 중에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 IPMC 작동기 제조 방법
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8
제 6항에 있어서,
상기 산화금속 입자는 볼밀(ball mill), 아트리션밀(attrition mill) 또는 초음파균질기(ultrasonic homogenizer) 중에서 선택된 하나 이상의 장치를 사용하여 미립화 처리하는 것을 특징으로 하는 IPMC 작동기 제조 방법
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9 |
9
제 6항에 있어서,
상기에서 고분자 전해질 막은 나피온(NafionTM), 플레미온(FlemionTM), 또는 아시플렉스(AciplexTM) 중에서 하나 이상을 선택하는 것을 특징으로 하는 IPMC 작동기 제조 방법
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10 |
10
제 6항에 있어서,
상기 고분자 전해질 복합막은 고분자 전해질 막에 대해 상기 미립화 처리된 산화금속을 0
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11
제 6항에 있어서,
상기 고분자 전해질 복합막은 솔루션 캐스팅(solution casting)법으로 제조하는 것을 특징으로 하는 IPMC 작동기 제조 방법
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12
제 6항에 있어서,
상기 IPMC 작동기는 무전해도금법(electroless plating)으로 제조하는 것을 특징으로 하는 IPMC 작동기 제조 방법
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13 |
13
제 12항에 있어서,
상기 무전해도금법은 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 또는 동(Cu)을 금속전극으로 사용하는 것을 특징으로 하는 IPMC 작동기 제조 방법
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14
제 12항 또는 제 13항에 있어서,
상기 무전해도금법은 백금(Pt)을 5~10 ㎛ 두께로 도금하는 것을 특징으로 하는 IPMC 작동기 제조 방법
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