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음극과, 상기 음극과 쌍을 이루는 양극과, 상기 양극에 접하고 또한 상기 양극과 상기 음극 사이에 형성된 정공주입층과, 상기 정공주입층과 상기 음극 사이에 형성되고 전계를 인가하는 것으로 발광하는 발광층을 포함하는 발광소자에 있어서,
상기 정공주입층은 안티모니 주석 산화물(ATO)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제 1항에 있어서,
상기 정공주입층은 (1) 패턴된 ITO 기판을 세정하는 단계; (2) 상기 세정된 기판 위에 안티모니 주석 산화물(ATO) 용액을 코팅하여 코팅막을 형성하는 단계; 및 (3) 상기 코팅막을 어닐링(annealing) 하는 단계;를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제 1항에 있어서,
상기 정공주입층의 두께는 80~360㎚인 것을 특징으로 하는 발광소자
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제 2항에 있어서,
상기 안티모니 주석 산화물(ATO) 용액은 2~10㎚ 크기의 SnO2/Sb2O3 금속 산화물을 사용하여 Sb2O3가 물에 15~30wt%의 비율로 혼합되도록 제조하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제 2항에 있어서,
상기 안티모니 주석 산화물(ATO) 용액은 담금법, 스핀 코팅법, 또는 스프레이법을 이용하여 코팅하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제 2항에 있어서,
상기 코팅막은 100~350℃의 온도 범위에서 30분~5시간 동안 어닐링(annealing) 하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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패턴된 ITO 기판을 세정하고; 상기 세정된 기판 위에 2~10㎚ 크기의 SnO2/Sb2O3 금속 산화물을 사용하여 Sb2O3가 물에 15~30wt%의 비율로 혼합되도록 제조한 안티모니 주석 산화물(ATO) 용액을 담금법, 스핀 코팅법, 또는 스프레이법을 이용하여 코팅하여 코팅막을 형성하고; 및 상기 코팅막을 100~350℃의 온도 범위에서 30분~5시간 동안 어닐링(annealing) 하여 제조되는 것을 특징으로 하는 안티모니 주석 산화물(ATO) 정공주입층
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제 7항의 ATO 정공주입층을 도입한 전자소자
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제 8항에 있어서,
상기 전자소자는 패턴된 ITO 기판 위에 ATO 정공주입층을 코팅하여 어닐링(annealing)하고, 그 위에 정공의 주입 및 수송을 돕기 위한 정공수송층을 코팅하여 어닐링 한 후, 발광층으로 사용하고자 하는 고분자를 코팅하여 어닐링 한 다음 불화바륨(BaF2) 또는 불화리튬(LiF); 바륨(Ba) 또는 칼슘(Ca); 알루미늄(Al)을 각각 진공 증착하여 소자를 제조되는 것을 특징으로 하는 전자소자
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제 8항에 있어서,
상기 정공수송층은 PEDOT:PSS를 사용하고, 30~75㎚ 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 전자소자
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제 8항에 있어서,
각 기능층은 딥 코팅법, 스핀 코팅법, 잉크젯법, 또는 인쇄법으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 전자소자
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제 8항에 있어서,
상기 전자소자는 고분자 발광다이오드인 것을 특징으로 하는 전자소자
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