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a) 웨이퍼 상에서 탄소나노튜브 포레스트(forest)를 성장시키는 단계;b) 상기 탄소나노튜브 포레스트에서 반응기체와 전구체를 이용하여 금속산화물의 원자층 증착을 수행하는 단계:를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 포레스트 상에서 나노입자를 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 포레스트는 표면에 결함 또는 불순물을 갖는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 포레스트 상에서 나노입자를 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브 포레스트는 단일벽 탄소나노튜브(SWCNT) 포레스트인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 포레스트 상에서 나노입자를 제조하는 방법
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제1항에 있어서,상기 생성된 나노입자들은 포도 형상(botryoidal)을 갖는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 포레스트 상에서 나노입자를 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 a) 웨이퍼 상에 탄소나노튜브 포레스트를 성장시키는 단계는 i) 실리콘 웨이퍼 상에서 알루미늄(Al) 박막을 증착하는 단계, ii) 상기 알루미늄(Al) 박막 위에 탄소나노튜브 포레스트 성장을 위한 촉매로서 철(Fe) 초박막을 증착하는 단계; 및iii) 상기 철(Fe) 초박막 위에서 물을 이용한 화학기상증착(CVD) 방식으로 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 포레스트 상에서 나노입자를 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼는 SiO2/Si 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 포레스트 상에서 나노입자를 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 알루미늄(Al) 박막은 열증착법을 이용하여 증착되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 포레스트 상에서 나노입자를 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 철(Fe) 초박막은 전자빔을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 포레스트 상에서 나노입자를 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 b) 단계에서 사용되는 반응기체는 디에틸아연(Diethyl Zinc)이고, 전구체는 수증기인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 포레스트 상에서 나노입자를 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속산화물은 산화아연(ZnO)인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 포레스트 상에서 나노입자를 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 생성된 ZnO 나노입자는 구형(spherical)이고, 단결정인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 포레스트 상에서 나노입자를 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 생성된 ZnO 나노입자는 섬유아연석(wurtzite) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 포레스트 상에서 나노입자를 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 나노입자의 성장율은 사이클당 2 ~ 4 Å인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 포레스트 상에서 나노입자를 제조하는 방법
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