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할로겐 원자의 흡착을 이용하여 에너지 밴드갭 조절이 가능한 그래파인을 갖는 반도체 소자용 물질

  • 기술번호 : KST2015173163
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 할로겐 원자의 흡착을 이용하여 에너지 밴드갭 조절이 가능한 그래파인을 갖는 반도체 소자용 물질에 관한 것이다.상기와 같은 본 발명에 따르면, sp-결합된 탄소 원자와 sp2-결합된 탄소 원자의 네트워크로 이루어진 2차원 레이어인 그래파인의 sp-결합된 탄소 원자에 할로겐 원자를 부착시키고 할로겐 원자의 농도를 조절함으로써, 에너지 밴드갭을 ~4 eV까지 조절 가능한 그래파인을 갖는 반도체 소자용 물질을 제공하는 효과가 있다.
Int. CL B01J 20/02 (2006.01) C01B 31/02 (2006.01)
CPC C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01)
출원번호/일자 1020130101991 (2013.08.27)
출원인 건국대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0028872 (2015.03.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.08.27)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이훈경 대한민국 서울 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0782524-84
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0595498-23
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-1007828-05
4 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0032056-08
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2015-0152160-83
6 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2015.02.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0152162-74
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0211349-79
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번호 청구항
1 1
sp-결합된 탄소 원자와 sp2-결합된 탄소 원자의 네트워크로 이루어진 2차원 레이어인 그래파인의 sp-결합된 탄소 원자에 할로겐 원자가 부착되어 sp2-결합된 탄소 원자를 형성하고, 상기 할로겐 원자의 농도에 의해 조절되는 밴드갭을 갖는 반도체 소자용 물질
2 2
제 1항에 있어서,상기 그래파인은 γ-그래파인인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 물질
3 3
제 1항에 있어서,상기 할로겐 원자는 F, Cl, Br 또는 I인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 물질
4 4
제 1항에 있어서,상기 할로겐 원자는 가장 근접하게 위치한 두 개의 sp-결합된 탄소 원자 한 쌍에 대하여 한 쌍의 할로겐 원자가 부착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 물질
5 5
제 4항에 있어서,상기 한 쌍의 할로겐 원자는 sp-결합된 탄소 원자 한 쌍에 대하여 서로 반대편에 부착되고 그래파인 레이어의 면외(out-of-plane)에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 물질
6 6
제 1항에 있어서,상기 sp-결합된 탄소 원자에 수소 원자가 더 부착되어 sp2-결합된 탄소 원자를 형성하고, 상기 할로겐 원자 및 수소 원자의 농도에 의해 조절되는 밴드갭을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 물질
7 7
sp-결합된 탄소 원자와 sp2-결합된 탄소 원자의 네트워크로 이루어진 2차원 레이어인 그래파인의 sp-결합된 탄소 원자에 플루오린(F) 원자가 부착되어 sp3-결합된 탄소 원자를 형성하고, 상기 플루오린(F) 원자의 농도에 의해 조절되는 밴드갭을 갖는 반도체 소자용 물질
8 8
제 7항에 있어서,상기 그래파인은 γ-그래파인인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 물질
9 9
제 7항에 있어서,상기 플루오린(F) 원자는 그래파인 레이어의 면내(in-plane) 또는 면외(out-of-plane)에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 물질
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 건국대학교 산학협력단 신진연구지원사업 에너지 저장 신나노물질 전산 연구