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전류 제어 회로 구조

기술번호 : KST2015173269
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 전류 제어 회로 구조에 관한 것으로서, 입력 노드에 콜렉터(Collector) 측이 연결되고, 에미터(Emitter) 측에 저항 또는 유도성 소자의 일측이 연결된 복수의 제1그룹 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 소자; 및 중간 노드에 콜렉터 측이 연결되고, 에미터 측에 저항 또는 유도성 소자의 일측이 연결된 복수의 제2그룹 IGBT 소자;를 포함하고, 각 제1그룹 IGBT 소자에 연결된 저항 또는 유도성 소자의 타측은 상기 중간 노드에 연결되고, 각 제2그룹 IGBT 소자에 연결된 저항 또는 유도성 소자의 타측은 출력 노드에 연결되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL	G05F 3/16 (2006.01)
CPC	G05F 3/16(2013.01)
출원번호/일자	1020130163611 (2013.12.26)
출원인	건국대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-1527049-0000 (2015.06.02)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20150616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2013.12.26)
심사청구항수	15

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	건국대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 광진구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	정순철	대한민국	충북 충주시
2	김형식	대한민국	충북 충주시

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	윤병국	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 *길, , *층 (대치동, 삼호빌딩)(지성국제특허법률사무소)
2	이영규	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 *길, , *층 (대치동, 삼호빌딩)(지성국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	건국대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 광진구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.12.26	수리 (Accepted)	1-1-2013-1188043-81
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2014.05.12	수리 (Accepted)	1-1-2014-0445381-15
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2014.08.06	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2014.09.15	수리 (Accepted)	9-1-2014-0074712-97
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2015.02.23	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0122855-05
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2015.03.20	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-0276556-23
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2015.03.20	수리 (Accepted)	1-1-2015-0276557-79
8	등록결정서 Decision to grant	2015.05.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0341732-13
9	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2018.03.19	불수리 (Non-acceptance)	1-1-2018-0274277-57
10	서류반려이유통지서 Notice of Reason for Return of Document	2018.03.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2018-0047035-40
11	서류반려통지서 Notice for Return of Document	2018.05.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2018-0067442-88

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 입력 노드에 콜렉터(Collector) 측이 연결되고, 에미터(Emitter) 측에 저항 또는 유도성 소자의 일측이 연결된 복수의 제1그룹 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 소자; 및중간 노드에 콜렉터 측이 연결되고, 에미터 측에 저항 또는 유도성 소자의 일측이 연결된 복수의 제2그룹 IGBT 소자;를 포함하고, 각 제1그룹 IGBT 소자에 연결된 저항 또는 유도성 소자의 타측은 상기 중간 노드에 연결되고, 각 제2그룹 IGBT 소자에 연결된 저항 또는 유도성 소자의 타측은 출력 노드에 연결되는 전류 제어 회로 구조
2	2 제 1 항에 있어서,상기 복수의 제1그룹 IGBT 소자는, 상기 입력 노드에 콜렉터 측이 연결되고, 에미터 측에 제1-1저항의 일측이 연결된 제1-1 IGBT 소자;상기 입력 노드에 콜렉터 측이 연결되고, 에미터 측에 제1-2저항의 일측이 연결된 제1-2 IGBT 소자;상기 입력 노드에 콜렉터 측이 연결되고, 에미터 측에 제1-3유도성 소자의 일측이 연결된 제1-3 IGBT 소자; 및상기 입력 노드에 콜렉터 측이 연결되고, 에미터 측에 제1-4유도성 소자의 일측이 연결된 제1-4 IGBT 소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전류 제어 회로 구조
3	3 제 2 항에 있어서,상기 복수의 제1그룹 IGBT 소자는, 상기 입력 노드에 콜렉터 측이 연결되고, 에미터 측에 저항 또는 유도성 소자의 일측이 연결된 제1-N IGBT 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전류 제어 회로 구조
4	4 제 2 항에 있어서,상기 복수의 제2그룹 IGBT 소자는, 상기 중간 노드에 콜렉터 측이 연결되고, 에미터 측에 제2-1저항의 일측이 연결된 제2-1 IGBT 소자; 및상기 중간 노드에 콜렉터 측이 연결되고, 에미터 측에 제2-2유도성 소자의 일측이 연결된 제2-2 IGBT 소자;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전류 제어 회로 구조
5	5 제 4 항에 있어서,상기 복수의 제2그룹 IGBT 소자는, 상기 중간 노드에 콜렉터 측이 연결되고, 에미터 측에 저항 또는 유도성 소자의 일측이 연결된 제2-N IGBT 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전류 제어 회로 구조
6	6 제 4 항에 있어서,상기 입력 노드에 콜렉터 측이 연결되고, 상기 중간 노드에 에미터 측이 연결되는 제3-1 IGBT 소자; 또는상기 중간 노드에 콜렉터 측이 연결되고, 상기 출력 노드에 에미터 측이 연결된 제3-2 IGBT 소자;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전류 제어 회로 구조
7	7 제 1 항에 있어서,상기 입력 노드에 입력 IGBT의 에미터 측이 연결되고, 상기 입력 IGBT의 콜렉터 측에 입력 다이오드의 캐소드(Cathode) 측이 연결되며, 상기 입력 다이오드의 애노드(Anode) 측에 입력 전원이 연결되는 것을 특징으로 하는 전류 제어 회로 구조
8	8 제 1 항에 있어서, 상기 출력 노드에 출력 저항의 일측이 연결되고, 상기 출력 저항의 타측에 출력 IGBT의 콜렉터 측이 연결되며, 상기 출력 IGBT의 에미터 측에 출력 소자가 연결되는 것을 특징으로 하는 전류 제어 회로 구조
9	9 제 1 항에 있어서,에미터 측에 저항이 연결된 제1그룹 IGBT 소자 또는 에미터 측에 저항이 연결된 제2그룹 IGBT 소자를 제어하여 출력 전류의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 전류 제어 회로 구조
10	10 제 1 항에 있어서, 에미터 측에 유도성 소자가 연결된 제1그룹 IGBT 소자 또는 에미터 측에 유도성 소자가 연결된 제2그룹 IGBT 소자를 제어하여 출력 전류의 모양을 조절하는 것을 특징으로 하는 전류 제어 회로 구조
11	11 제 6 항에 있어서,상기 제1-2 IGBT 소자, 상기 제1-3 IGBT 소자 및 상기 제3-2 IGBT 소자가 동시에 ON 상태로 된 뒤에, 상기 제1-3 IGBT 소자만 OFF 상태가 되도록 제어되는 것을 특징으로 하는 전류 제어 회로 구조
12	12 제 6 항에 있어서,상기 제1-2 IGBT 소자, 상기 제1-3 IGBT 소자 및 상기 제3-2 IGBT 소자가 동시에 ON 상태로 된 뒤에, 상기 제1-2 IGBT 소자 및 상기 제1-3 IGBT 소자가 OFF 상태와 ON 상태를 반복하는 것을 특징으로 하는 전류 제어 회로 구조
13	13 제 1 항에 있어서,에미터 측에 유도성 소자가 연결된 제1그룹 IGBT 소자 및 에미터 측에 유도성 소자가 연결된 제2그룹 IGBT 소자가 모두 OFF 상태로 제어되고,에미터 측에 저항이 연결된 제1그룹 IGBT 소자 또는 에미터 측에 저항이 연결된 제2그룹 IGBT 소자가 ON 상태로 제어되며,시간에 따라 ON 상태가 되는 IGBT 소자의 종류 또는 개수가 변화하는 것을 특징으로 하는 전류 제어 회로 구조
14	14 제 1 항에 있어서,에미터 측에 저항이 연결된 제1그룹 IGBT 소자 및 에미터 측에 저항이 연결된 제2그룹 IGBT 소자가 모두 OFF 상태로 제어되고,에미터 측에 유도성 소자가 연결된 제1그룹 IGBT 소자 또는 에미터 측에 유도성 소자가 연결된 제2그룹 IGBT 소자가 ON 상태로 제어되며,시간에 따라 ON 상태가 되는 IGBT 소자의 종류 또는 개수가 변화하는 것을 특징으로 하는 전류 제어 회로 구조
15	15 입력 노드에 콜렉터(Collector) 측이 연결되고, 에미터(Emitter) 측에 저항 또는 유도성 소자의 일측이 연결된 복수의 제1그룹 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 소자; 및중간 노드에 콜렉터 측이 연결되고, 에미터 측에 저항 또는 유도성 소자의 일측이 연결된 복수의 제2그룹 IGBT 소자;를 포함하고, 각 제1그룹 IGBT 소자에 연결된 저항 또는 유도성 소자의 타측은 상기 중간 노드에 연결되고, 각 제2그룹 IGBT 소자에 연결된 저항 또는 유도성 소자의 타측은 출력 노드에 연결되는 전류 조절 장치

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	교육과학기술부	건국대학교(글로컬캠퍼스) 산학협력단	미래유망 융합기술 파이오니어 사업	레이저 촉감 제시 기술개발

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1527049-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20131226 출원 번호 : 1020130163611 공고 연월일 : 20150616 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150522 청구범위의 항수 : 15 유별 : G05F 3/16 발명의 명칭 : 전류 제어 회로 구조 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 건국대학교 산학협력단 서울특별시 광진구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	315,000 원	2015년 06월 03일	납입
제 4 년분	금 액	185,000 원	2018년 05월 28일	납입
제 5 년분	금 액	185,000 원	2019년 05월 20일	납입

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.12.26	수리 (Accepted)	1-1-2013-1188043-81
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2014.05.12	수리 (Accepted)	1-1-2014-0445381-15
3	선행기술조사의뢰서	2014.08.06	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2014.09.15	수리 (Accepted)	9-1-2014-0074712-97
5	의견제출통지서	2015.02.23	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0122855-05
6	[명세서등 보정]보정서	2015.03.20	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-0276556-23
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2015.03.20	수리 (Accepted)	1-1-2015-0276557-79
8	등록결정서	2015.05.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0341732-13
9	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2018.03.19	불수리 (Non-acceptance)	1-1-2018-0274277-57
10	서류반려이유통지서	2018.03.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2018-0047035-40
11	서류반려통지서	2018.05.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2018-0067442-88


과제고유번호	1345198439
세부과제번호	2011-0027920
연구과제명	레이저 촉감 제시 기술 개발
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2013
연구기간	201107~201702
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	BT(생명공학기술)

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