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MoS2 박막 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015173410
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 MoS2 박막 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 MoS2 박막 및 이의 제조방법은 MoS2 박막을 원자층증착법에 의하여 제공하는 것이다. 특히 원자층증착법에 의하면서도 H2S와 같은 유독 가스를 황 전구체로 사용하지 않기 때문에 친환경적이다. 또한 제조 과정에서 제조 장비의 손상 및 오염을 방지할 수 있다. 또한 MoS2 박막의 두께를 원자층 수준에서 정교하게 조절하여 제조하는 것이 가능하다.
Int. CL C23C 16/448 (2006.01) C23C 16/06 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130090880 (2013.07.31)
출원인 건국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1621470-0000 (2016.05.10)
공개번호/일자 10-2015-0015183 (2015.02.10) 문서열기
공고번호/일자 (20160516) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.31)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민요셉 대한민국 경기 광주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 서울특별시 광진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0695902-10
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0748400-15
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-1269017-61
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.02.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0112561-51
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.02.02 무효 (Invalidation) 1-1-2015-0108536-70
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0112554-31
7 보정요구서
Request for Amendment		 2015.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0033506-67
8 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2015.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0053894-14
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0504186-17
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0923355-52
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.09.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0923374-19
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0145636-20
13 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2016.03.28 수리 (Accepted) 7-1-2016-0015097-09
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2016-0335701-11
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.04.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0335707-84
16 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2016.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0334485-11
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번호 청구항
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1) 진공 상태인 반응기 내에 몰리브덴 전구체를 공급하여 기판에 Mo을 포함하는 화학작용기층을 형성하는 단계;2) 상기 1)단계 이후 반응기 내에 비활성기체를 공급하여 Mo을 포함하는 화학작용기층을 형성하지 못한 여분의 몰리브덴 전구체 및 부산물을 제거하는 단계;3) 상기 반응기 내에 다이알킬디설파이드인 황 전구체를 공급하여 Mo을 포함하는 화학작용기 층에 황 전구체를 화학 흡착시켜 MoS2 원자층을 형성하는 단계; 및4) 상기 3)단계 이후 반응기 내에 비활성기체를 공급하여 3)단계에서 흡착하지 못한 황 전구체와 부산물을 제거하는 단계;를 포함하며,상기 3)단계에 따른 MoS2 원자층의 형성은 ALD temperature window가 100-120 ℃인 것을 특징으로 하는 반도체 활성층용 MoS2 박막의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 몰리브덴 전구체는 MoF6, MoCl6 및 Mo(CO)6로 이루어지는 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 활성층용 MoS2 박막의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 몰리브덴 전구체는 Mo(CO)6이며, 황 전구체는 다이메틸디설파이드인 것을 특징으로 하는 반도체 활성층용 MoS2 박막의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 1)단계에서 몰리브덴 전구체의 공급 압력은 0
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제8항에 있어서,상기 3)단계에서 황 전구체의 공급 압력은 0
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제8항에 있어서,상기 1)단계 내지 4)단계를 반복하게 되면 상기 MoS2 박막의 두께가 증가하고, 상기 MoS2 박막의 두께는 상기 1)단계 내지 4)단계의 반복 회수에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체 활성층용 MoS2 박막의 제조방법
16 16
제15항에 있어서,상기 1)단계 내지 4)단계를 반복한 후에 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 활성층용 MoS2 박막의 제조방법
17 17
제16항에 있어서,상기 열처리는 400-1,000 ℃로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 활성층용 MoS2 박막의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 제조방법에 의해 제조된 MoS2 박막의 라만 스펙트럼은 375-385 cm-1 및 400-410 cm-1에서 피크가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 활성층용 MoS2 박막의 제조방법
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1 CN105408516 CN 중국 FAMILY
2 EP03037569 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP03037569 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 US09863039 US 미국 FAMILY
5 US20160168694 US 미국 FAMILY
6 WO2015016412 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 CN105408516 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN105408516 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP3037569 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP3037569 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP3037569 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
6 US2016168694 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US9863039 US 미국 DOCDBFAMILY
8 WO2015016412 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 건국대학교 산학협력단 기본연구지원사업 원자층증착법에 의한 그래핀 성장 및 특성
2 교육과학기술부 건국대학교 산학협력단 기본연구지원사업 표면확산을 이용한 원자층증착법