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유기물층 상에, 상기 유기물층과 반응하지 않으며 비유기용매에 의해 현상 및 리프트오프가 되는 물질로서 완전불소화폴리머를 포함하는 제1레지스트층을 형성하는 단계;상기 유기물층 상면의 일부가 노출되도록 상기 제1레지스트층을 패터닝하는 단계;상기 유기물층의 노출된 상면의 적어도 일부 상에 금속층을 형성하는 단계; 및상기 제1레지스트층을 제거하는 리프트오프 단계;를 포함하는, 유기물층을 포함하는 적층체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1레지스트층을 형성하는 단계와 상기 제1레지스트층을 패터닝하는 단계 사이에,상기 제1레지스트층 상에 제2레지스트층을 형성하는 단계; 및상기 제1레지스트층 상면의 일부가 노출되도록 상기 제2레지스트층을 패터닝하는 단계;를 더 포함하며,상기 제1레지스트층을 패터닝하는 단계는, 상기 제1레지스트층의 패터닝된 상기 제2레지스트층을 통해 노출된 부분의 적어도 일부를 제거하는 단계인, 유기물층을 포함하는 적층체 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1레지스트층은 폴리(퍼플루오로-부테닐 비닐 에테르), 플루오리네이티드(에틸레닉-사이클로 옥시알리패틱 섭스티튜티드 에틸레닉)코폴리머 및 폴리[(테트라플루오로에틸렌-코-(2,2,4-트리플루오로-5-트리플루오로메톡시-1,4-디옥솔)] 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 유기물층을 포함하는 적층체 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1레지스트층을 패터닝하는 단계와 상기 제1레지스트층을 제거하는 리프트오프 단계는 완전불소화용매를 이용하는, 유기물층을 포함하는 적층체 제조방법
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제2항에 있어서,상기 제1레지스트층을 패터닝하는 단계와 상기 제2레지스트층을 패터닝하는 단계는 전자빔 리소그래피를 이용하며, 상기 제2레지스트층이 포함하는 물질은 상기 제1레지스트층이 포함하는 물질과 전자빔 리소그래피 시 이온주입량(dose)이 같은, 유기물층을 포함하는 적층체 제조방법
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제6항에 있어서,상기 제1레지스트층은 폴리(퍼플루오로-부테닐 비닐 에테르), 플루오리네이티드(에틸레닉-사이클로 옥시알리패틱 섭스티튜티드 에틸레닉)코폴리머 및 폴리[(테트라플루오로에틸렌-코-(2,2,4-트리플루오로-5-트리플루오로메톡시-1,4-디옥솔)] 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 제2레지스트층은 폴리(클로로메타크릴레이트-코-메틸스티렌)와 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 유기물층을 포함하는 적층체 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1레지스트층을 제거하는 리프트오프 단계는, 완전불소화용매를 이용하는, 유기물층을 포함하는 적층체 제조방법
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