맞춤기술찾기

이전대상기술

자동 전력 조절 루프 및 부하 보상 회로를 포함하는 클래스-이 전력 증폭기

  • 기술번호 : KST2015173545
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자동 전력 조절 루프 및 부하 보상 회로를 포함하는 클래스-이 전력 증폭기에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 부하가 증가하면서 급격하게 효율이 나빠지는 종래 전력 증폭기를 개선하기 위해, 부하에 의한 효율의 변화를 보상하는 부하 보상 루프와, 전력을 일정하게 유지시키는 전력 조절 루프를 포함하는 클래스-이 전력 증폭기에 대한 것이다. 본 발명은 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)를 포함하는 클래스-이(Class-E) 전력 증폭기에 있어서, 부하보상캐패시터뱅크와 이를 조절하는 캐패시터뱅크조절기를 통하여 부하에 의한 효율의 변화를 보상하는 부하 보상 루프와, 에러엠플리파이어(Error Amplifier )를 포함하고, 전력을 기준 전압(Vref)에 맞춰 일정하게 유지시키기는 전력 조절 루프로 구성된다.
Int. CL H03F 3/217 (2006.01) H03F 1/30 (2006.01)
CPC H03F 3/2176(2013.01) H03F 3/2176(2013.01) H03F 3/2176(2013.01)
출원번호/일자 1020100117385 (2010.11.24)
출원인 건국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1094095-0000 (2011.12.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20111215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.24)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이강윤 대한민국 서울특별시 광진구
2 박형구 대한민국 서울특별시 노원구
3 박준성 대한민국 서울특별시 강동구
4 부영건 대한민국 제주특별자치도 제주

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 구현서 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **-**(서초동)(특허법인키)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0767681-22
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0564328-51
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0909235-15
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0909236-50
5 등록결정서
Decision to grant
2011.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0725288-00
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2012-5116974-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)를 포함하는 클래스-이(Class-E) 전력 증폭기에 있어서,부하보상캐패시터뱅크와 이를 조절하는 캐패시터뱅크조절기를 통하여 부하에 의한 효율의 변화를 보상하는 부하 보상 루프와;에러엠플리파이어(Error Amplifier )를 포함하고, 전력을 기준 전압(Vref)에 맞춰 일정하게 유지시키기는 전력 조절 루프;로 구성되며,상기 부하 보상 루프는,금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터가 항상 켜져있는 상태로 동작하도록 상기 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터의 게이트에는 0의 신호가 인가되고,부하의 변화에 따른 전압의 변화를 감지하여, 상기 캐패시터뱅크조절기는 상기 부하보상캐패시터뱅크의 캐패시터 값을 조절하여 효율을 증가시키는 것을 특징으로 하는 자동 전력 조절 루프 및 부하 보상 회로를 포함하는 클래스-이 전력 증폭기
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 전력 조절 루프는,상기 클래스-이 전력 증폭기에서 사인파 형태로 나오는 출력 전압(Vout)이 다이오드를 통해 정류회로를 거쳐 디씨 레벨(DC Level)로 변환되고, 상기 기준전압과 에러엠플리파이어를 통해 비교하여 상기 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터의 게이트 전압을 형성시키도록 하는 것을 특징으로 하는 자동 전력 조절 루프 및 부하 보상 회로를 포함하는 클래스-이 전력 증폭기
4 4
제1항 또는 제3항에 있어서,상기 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터는,파워콘트롤모스에프이티(Power Control MOSFET)인 것을 특징으로 하는 자동 전력 조절 루프 및 부하 보상 회로를 포함하는 클래스-이 전력 증폭기
5 5
제3항에 있어서,상기 전력 조절 루프는,상기 기준전압과 상기 에러엠플리파이어를 통해 비교하여 상기 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터의 게이트 전압을 형성시킨 후, 이를 반복시켜 일정 전력을 유지하도록 하는 것을 특징으로 하는 자동 전력 조절 루프 및 부하 보상 회로를 포함하는 클래스-이 전력 증폭기
6 6
제 1항의 클래스-이 전력 증폭기를 이용하여 부하에 의한 효율의 변화를 보상하는 방법
7 7
제 1항의 클래스-이 전력 증폭기를 이용하여 전력을 일정하게 유지시키는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 건국대학교 산학협력단 산업원천기술 개발사업 휴대단말용 Dual Band 멀티모드 칩/모듈