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하기 화학식 1로 표기되는 a 내지 n으로 이루어진 유기 절연 고분자 군으로부터 선택되는 1종 이상의 유기 절연 고분자, 하기 화학식 4로 표기되는 실레인계 화합물 군으로부터 선택되는 1종 이상의 실레인계 화합물을 포함시켜 형성된 유기 게이트 절연막;
[화학식 1]
상기 식에서 n은 1 이상의 정수이며,
n 화합물의 R1은 하기 화학식 2로 표시되는 작용기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 4가기로서, 반드시 구조식 (I), (II), (III), (IV) 및 (V) 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 지방족 고리계 4가기를 포함하고, R2는 하기 화학식 3으로 표시되는 작용기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 2가기로서, R2의 (V)는 반드시 알킬숙시닉이미드 측쇄를 가지는 방향족 2가기를 포함한다
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제1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표기되는 유기 절연 고분자는 PVP (polyvinylphenol)인 것을 특징으로 하는 유기 게이트 절연막
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제1항에 있어서, 상기 화학식 4로 표기되는 실레인계 화합물은 OTS (octadecyltrichlorosilane)인 것을 특징으로 하는 유기 게이트 절연막
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제1항에 있어서, 상기 유기 게이트 절연막은 화학식 1의 절연 고분자 및 화학식 4의 실레인계 화합물을 용매에 용해시켜 단일공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 게이트 절연막
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제4항에 있어서, 부탄올 또는 펜탄올인 것을 특징으로 하는 유기 게이트 절연막
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제1항에 있어서, 상기 화학식 4의 실레인계 화합물은 화학식 1의 절연 고분자에 대하여 0
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화학식 4의 실레인계 화합물은 화학식 1의 절연 고분자에 대하여 3중량% ~ 10중량% 범위 내로 사용되는 것을 특징으로 하는 유기 게이트 절연막
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기판 위에 게이트 전극, 게이트 절연막, 유기활성막, 소스/드레인 전극 또는 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스/드레인 전극, 유기활성막이 차례로 적층되어 형성된 유기 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 절연막이 상기 청구범위 제1항의 유기 게이트 절연막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제8항에 있어서, 상기 유기활성막이 펜타센, Tips-펜타센, 금속 프탈로시아닌 (metal phthalocyanine), 폴리티오펜 또는 페닐렌비닐렌, C60, 페닐렌테트라카르복실산2무수물 (phenylenetetracarboxylic dianydride), 나프탈렌테트라카르복실산2무수물 (naphthalenetetracarboxylic dianydride), 플루오르화 프탈로시아닌 (fluorophthalocyanine) 및 이들의 유도체로 이루어진 군에서부터 선택되는 물질로 형성되는 것을 특징으로 유기 박막 트랜지스터
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제8항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극이 각각 금, 백금, 팔라듐, 구리, 니켈, 알루미늄, 인듐, 주석, 인듐-주석 합금 및 전도성 고분자인 PEDOT (poly 3,4-ethylenedioxythiophene)으로 군에서부터 선택되는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제8항에 있어서, 상기 유기 게이트 절연막이 스핀코팅, 잉크젯 프린팅 또는 딥핑을 통하여 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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