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하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 폴리설폰계 고분자:[화학식 1](상기 화학식 1에서,a, b, c, d 및 e는 각각 1 내지 5의 정수이고, R1 내지 R5는 각각 독립적으로 SO3H 또는 SO3M이고, M은 K, Na, 또는 Li 이고,이때 R1이 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하며, R2가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하고, R3가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하며, R4가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하고, R5가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하며;Ar1은 페닐기(phenylene group), , 또는 이고, E1, 및 E2는 각각 독립적으로 단일결합(null), O, S, C(=O), S(=O), S(=O)2, C(CH3)2, C(CF3)2, Si(CH3)2, P(=O)CH3 또는 C(=O)NH이며,Ar3는 C6~C36의 아릴렌기임)
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제1항에 있어서, 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위를 추가로 포함하는 것이 특징인 폴리설폰계 고분자:[화학식 2](상기 화학식 2에서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 페닐기, , 또는 이고, E1 및 E2는 각각 독립적으로 단일결합(null), O, S, C(=O), S(=O), S(=O)2, C(CH3)2, C(CF3)2, Si(CH3)2, P(=O)CH3 또는 C(=O)NH임)
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제1항에 있어서, 하기 화학식 3으로 표시되는 폴리설폰계 고분자:[화학식 3](상기 화학식 3에서,a, b, c, d, e, R1 내지 R5, Ar1 및 Ar3는 각각 화학식 1에서 정의한 바와 같고,Ar2은 페닐기, , 또는 이고, E1 및 E2는 각각 독립적으로 단일결합(null), O, S, C(=O), S(=O), S(=O)2, C(CH3)2, C(CF3)2, Si(CH3)2, P(=O)CH3 또는 C(=O)NH이며,m은 몰분율로서 0
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제1항에 있어서, 하기 화학식 4로 표시되는 폴리설폰계 고분자:[화학식 4](상기 화학식 4에서,m은 몰분율로서 0
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하기 반응식 1에 따라,화학식 A로 표시되는 화합물, 화학식 B로 표시되는 화합물 및 화학식 C로 표시되는 화합물을 중합하여 화학식 D로 표시되는 고분자를 합성하는 단계;화학식 D로 표시되는 고분자를 C6~C36의 아릴아민과 함께 분자 내 폐환반응(intramolecular ring-closure reaction)시켜 화학식 E로 표시되는 고분자를 합성하는 단계;화학식 E로 표시되는 고분자에 술폰산기 또는 술폰염기를 도입하여 화학식 F로 표시되는 고분자를 합성하는 단계; 및화학식 F로 표시되는 고분자에 인산을 도핑시키는 단계를 포함하는, 화학식 3으로 표시되는 폴리설폰계 고분자를 제조하는 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 폴리설폰계 고분자를 포함하는 전해질막
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캐소드(cathode); 애노드(anode); 및 제6항에 기재된 전해질 막;을 포함하는 막-전극 접합체(membrane-electrode assembly: MEA)
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제7항의 막전극 접합체를 구비하는 연료전지
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제8항에 있어서, 상기 연료전지는 수소이온 교환막 연료전지인 것이 특징인 연료전지
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