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기판;상기 기판 상부에 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극 및 기판을 덮는 한천(Agar) 절연막 층;상기 절연막 층 상부에 형성되는 유기 반도체 층;상기 유기 반도체 층 상부에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 한천 절연막 층은 한천 수용액을 도포한 후 어닐링하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제2항에 있어서, 상기 한천 수용액의 한천 함량은 1중량% 내지 15 중량%인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제2항에 있어서, 상기 한천 수용액은 도포 전 한천이 완전히 녹아 용액상태로 존재할 때까지 가열되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제2항에 있어서, 상기 한천 수용액의 도포는 스핀코팅, 잉크젯 프린팅, 롤코팅, 스크린 프린팅, 및 딥핑으로부터 선택되는 하나 이상의 방법으로 수행되는 유기박막트랜지스터
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제5항에 있어서, 상기 스핀 코팅은 1000 rpm 내지 3000 rpm의 속도로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제2항에 있어서, 상기 어닐링은 진공 분위기 50℃ 내지 80℃에서 30분 내지 48시간 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 기판은 유리, 실리콘 및 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), FTO(Fluorine-doped Tin Oxide), ZnO(zinc oxide), Al-도핑된 ZnO(AZO), Ga-도핑된 ZnO(GZO), In/Ga-도핑된 ZnO(IGZO), Mg-도핑된 ZnO(MZO), Mo-도핑된 ZnO, Al-도핑된 MgO, 및 Ga-도핑된 MgO으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 백금(Pt), 텅스텐(W)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 유기 반도체층은 p-tpye 반도체 재료 및 n-type 반도체 재료 중 하나 이상이고, 상기 p-tpye 반도체 재료는, 펜타센(pentacenes), 테트라센(tetracenes), 프탈로시아닌(phtalocyanines), 폴리알킬티오펜(polyalkythiophenes), 알킬플루오렌 유니트(alkyfluorene units)와 알킬티오펜(alkythiophenes)의 공중합체(copolymers), 폴리플루오렌(polyfluorenes), 폴리(티에닐렌 비닐렌)(poly(thienylene vinylenes), 폴리(페닐렌 비닐렌)(poly(phenylene vinylenes), 그리고 페닐렌(phenylene), 나프탈렌-(napthalene-) 및 안트라닐(anthranyl) 유니트 중의 하나 이상의 호모중합체(homopolymers)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상이고,상기 n-type 반도체 재료는 PTCDI-C13, 페릴렌 테트라 카르복시산 디이미드 및 나프탈렌 테트라 카르복시산 디이미드 및 플러렌(fullerenes)의 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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