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스트레스이완된장주기광섬유격자

  • 기술번호 : KST2015173721
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 멀티클래드 광섬유 및 그를 이용한 스트레스 이완된 장주기 광섬유 격자에 관한 것으로서, 멀티클래드 광섬유는 광을 도파하며 GeO2-SiO2로 이루어지는 코어; F-SiO2 로 이루어지고 코어보다 굴절율이 낮으며 코어를 감싸는 내부클래딩; 및 SiO2로 이루어지고 코어보다 굴절율이 낮으며 내부클래딩을 감싸는 외부클래딩을 포함함을 특징으로 한다. 그리고 스트레스 이완된 장주기 광섬유 격자는, GeO2-SiO2로 이루어지고 광을 도파하는 코어와, F-SiO2 로 이루어지고 코어보다 굴절율이 낮으며 코어를 감싸는 내부클래딩과, SiO2로 이루어지고 코어보다 굴절율이 낮으며 내부클래딩을 감싸는 외부클래딩으로 이루어지는 멀티클래드 광섬유의 소정 부위를 어닐링하여 생성됨을 특징으로 한다.본 발명에 의하면, 최적화된 광섬유를 설계할 수 있다. 즉, F의 양, F이 첨가된 내부클래딩(inner clading)의 두께, 코어의 GeO2의 양, 외부 클래딩(outer clading) 글래스 성분비 및 광섬유 인출장력을 통해 최적화된 광섬유를 설계할 수 있다.
Int. CL G02B 6/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019980023921 (1998.06.24)
출원인 광주과학기술원, 삼성전자주식회사
등록번호/일자 10-0333897-0000 (2002.04.11)
공개번호/일자 10-2000-0002929 (2000.01.15) 문서열기
공고번호/일자 (20020731) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.06.24)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백운출 대한민국 광주광역시 광산구
2 오경환 대한민국 서울특별시 서초구
3 한영근 대한민국 부산광역시 연제구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 권석흠 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)(유미특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자 주식회사 대한민국 경기 수원시 팔달구
2 광주과학기술원 대한민국 광주 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination
1998.06.24 수리 (Accepted) 1-1-1998-0074948-34
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1998.06.24 수리 (Accepted) 1-1-1998-0074947-99
3 특허출원서
Patent Application
1998.06.24 수리 (Accepted) 1-1-1998-0074946-43
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002075-52
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0027796-82
6 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification
1999.08.12 수리 (Accepted) 1-1-1999-5290708-78
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.09.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0119956-71
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2000-0001373-12
9 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
2000.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2000-5190778-78
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.08.09 수리 (Accepted) 4-1-2000-0106069-21
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2000.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0252857-27
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2000.11.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5366024-00
13 의견서
Written Opinion
2000.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2000-5366006-88
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2001.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0136693-83
15 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2001.07.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-5209052-19
16 의견서
Written Opinion
2001.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2001-5209051-74
17 등록결정서
Decision to grant
2002.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0086395-10
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2002-0039038-35
19 FD제출서
FD Submission
2002.06.19 수리 (Accepted) 2-1-2002-5117783-10
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.10.11 수리 (Accepted) 4-1-2002-0079231-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2003-0000806-26
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2003-5079986-93
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5072608-11
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2005-5079334-14
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

광을 도파하며, 재질이 게르마늄이 도핑된 실리카(GeO2-SiO2)인 코어와, 재질이 불소가 도핑된 실리카(F-SiO2 )이고 굴절률이 상기 코어의 굴절률보다 작으며 상기 코어를 감싸도록 형성되는 내부 클래드와, 재질이 실리카이고 굴절률이 상기 코어의 굴절률보다 작고 상기 내부 클래드이 굴절률보다 크며 상기 내부 클래드를 감싸도록 형성되는 외부클래드를 포함하는 멀티클래드 광섬유가 주기적으로 어닐링되어 상기 코어의 굴절률이 주기적으로 변화됨을 특징으로 하는 스트레스 이완된 장주기 광섬유 격자

2 2

제1항에 있어서, 상기 어닐링은

아크방전(arc dischagre)을 사용함을 특징으로 하는 스트레스 이완된 장주기 광섬유 격자

3 3

제1항에 있어서, 상기 어닐링은

CO 레이저를 사용함을 특징으로 하는 스트레스 이완된 장주기 광섬유 격자

4 4

제2항에 있어서, 상기 멀티클래드 광섬유는

상기 내부클래드의 F의 양, 상기 내부 클래드의 두께, 상기 코어의 GeO2양, 상기 외부 클래드의 SiO2 성분비 및 광섬유의 인출장력 중에서 적어도 하나를 조절하여 그 특성이 조절됨을 특징으로 하는 스트레스 이완된 장주기 광섬유 격자

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN1239779 CN 중국 FAMILY
2 JP12075159 JP 일본 FAMILY
3 US06307994 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN1239779 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 DE19928971 DE 독일 DOCDBFAMILY
3 FR2780516 FR 프랑스 DOCDBFAMILY
4 FR2780516 FR 프랑스 DOCDBFAMILY
5 GB2338800 GB 영국 DOCDBFAMILY
6 GB2338800 GB 영국 DOCDBFAMILY
7 GB9914425 GB 영국 DOCDBFAMILY
8 JP2000075159 JP 일본 DOCDBFAMILY
9 US6307994 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.