| 1 |
1
n-형 질화갈륨층과; 상기 n-형 질화갈륨층상에 형성되며, 내부 일면이 굴곡 처리된 p-형 질화갈륨층과; 상기 p-형 질화갈륨층상에 형성되며, 내부 일면이 굴곡 처리된 투명 전극과; 상기 투명 전극상에 형성되며, 중심측의 일단의 모서리가 굴곡 처리된 p-형 전극과; 상기 n-형 질화갈륨층상에 형성되며, 상기 굴곡 처리된 p-형 전극의 일단의 모서리와 인접하는 중심측의 모서리가 굴곡 처리된 n-형 전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 n- 및 p-형 질화갈륨층은 질화갈륨(GaN), 알루미늄 질화갈륨(AlGaN), 인듐 질화갈륨(InGaN)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서, 상기 p-형 전극은 상기 p-형 전극보다 적은 폭을 갖는 상기 p-형 전극에 연장 처리된 구조인 것을 특징으로 하는 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 p-형 질화갈륨층 및 투명 전극의 내부 일면은 상기 n-형 전극과 인접하는 면인 것을 특징으로 하는 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 p-형 질화갈륨층, 투명 전극, p-형 전극 및 n-형 전극은 내부 일면이 굴곡 처리됨으로써 발광 영역의 확장 및 모서리 부분에서의 전류 집중 현상을 방지하는 것을 특징으로 하는 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드
|
| 6 |
6
사파이어 기판상에 질화갈륨 핵생성층(nucleation layer)을 형성하는 단계와; 제 1 설정 시간 동안 제 1 설정 두께의 실리콘이 도핑된 n-형 질화갈륨 박막을 형성하는 단계와; 제 2 설정 시간 동안 제 2 설정 두께의 마그네슘이 도핑된 p-형 질화갈륨 박막을 형성하는 단계와; 상기 n-형 질화갈륨 박막상에 n-형 전극을 형성하는 단계와; 상기 p-형 질화갈륨 박막상에 투명 전극을 형성하는 단계와; 상기 투명 전극상에 p-형 전극을 형성하는 단계와; 상기 p-형 질화갈륨 및 투명 전극의 내부 일면을 굴곡 형태로 변형시키고 상기 n- 및 p-형 전극의 상호 인접하는 모서리를 굴곡 형태로 변형시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드 제조 방법
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서, 상기 방법은, 상기 p-형 전극에서 상기 투명 전극상에 연장되는, 상기 p-형 전극보다 적은 폭을 갖는 가지 형태의 전극을 덧붙이는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드 제조 방법
|
