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ＦＨＤ 공정을 이용한 광민감성 평면 도파로형 소자의제작방법

  • 기술번호 : KST2015173756
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 FHD 공정을 이용한 광민감성 평면 도파로형 소자의 제작방법에 관한 것으로서, 실리콘 웨이퍼 위에 FHD 공정을 통해 각 층의 기능을 수행할 수 있는 여러 층의 조성을 차례로 증착한 후, 이렇게 증착시킨 각 층의 조성을 한번의 소결과정에 의해 고밀도화시켜서 클래딩층과 코어층을 이루는 전구역의 굴절률을 같게 하면서도 필요에 따라 코어층에만 광민감성을 높게 유지하여 광도파로를 만들 수 있도록 함으로써, 광도파로의 기능을 훌륭하게 수행할 수 있도록 제작하는 방법으로서, 기존의 방법에 비해 간편하고 빠른 시간에 광민감성 평면 도파로형 소자를 효과적으로 제작할 수 있도록 한 FHD 공정을 이용한 광민감성 평면 도파로형 소자의 제작방법을 제공하고자 한 것이다. 집적형 광학부품, FHD 공정, 광도파로, 클래딩층, 코어층, 광민감성, 굴절률, 매칭, 일괄소성(Co-Sintering), 평면형 광소자, UV writing
Int. CL G02B 6/12 (2006.01)
CPC G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01)
출원번호/일자 1020020053275 (2002.09.04)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0461874-0000 (2004.12.06)
공개번호/일자 10-2004-0021433 (2004.03.10) 문서열기
공고번호/일자 (20041214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.09.04)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한원택 대한민국 광주광역시광산구
2 정우영 대한민국 광주광역시북구
3 유성우 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2002-0289916-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
3 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2004.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2004-5037788-73
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.03.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.04.13 수리 (Accepted) 9-1-2004-0022971-07
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0173411-41
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0285206-90
8 의견서
Written Opinion		 2004.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2004-0285207-35
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
10 등록결정서
Decision to grant		 2004.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0501301-88
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

FHD 공정을 이용하여 광민감성 평면 도파로형 소자를 제조하는 방법에 있어서, 일정한 두께의 실리카층을 갖는 기재 위에 하부 클래딩층, 코어층, 상부 클래딩층을 형성할 분말을 순차적으로 증착한 후, 이렇게 각 층을 증착한 기재 위에 증착된 하부 클래딩층, 코어층, 상부 클래딩층을 승온속도 및 냉각속도 3∼10℃/min, 소결 온도 1000∼1500℃, 소결 시간 1∼5시간의 조건하에서 세층을 동시에 한번의 소결과정으로 고밀도화하여 전구역의 굴절률을 같게 하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 FHD 공정을 이용한 광민감성 평면 도파로형 소자의 제작방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 기재는 실리콘 웨이퍼를 수증기를 주입한 로 내에서 승온속도 5℃/min로 1100℃ 까지 가열한 후 12시간 동안 유지하고, 냉각속도 5℃/min로 상온까지 낮추는 습식산화를 통해 2㎛ 이상되는 두께의 실리카층을 갖게 하는 과정으로 제조하는 것을 특징으로 하는 FHD 공정을 이용한 광민감성 평면 도파로형 소자의 제작방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 기재 위에 하부 클래딩층, 코어층, 상부 클래딩층을 증착시 기재의 온도 150∼300℃, 기재의 속도 400∼600cm/min, 토치의 속도 3

4 4

삭제
5 5

제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 기재 위에 하부 클래딩층과 상부 클래딩층을 증착하는 과정에서의 원료조성은 GeO2-B2O3-P2O5-SiO2 또는 B2O3-P2O5-SiO2 또는 GeO2-B2O3-SiO2 또는 GeO2-P2O5-SiO2로 구성되는 것을 특징으로 하는 FHD 공정을 이용한 광민감성 평면 도파로형 소자의 제작방법

6 6

제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 기재 위에 코어층을 증착하는 과정에서의 원료조성은 B2O3-GeO2-SiO2 또는 GeO2-B2O3-P2O5-SiO2로 구성되는 것을 특징으로 하는 FHD 공정을 이용한 광민감성 평면 도파로형 소자의 제작방법

7 7

제 1 항에 있어서, 상기 하부 클래딩층, 코어층, 상부 클래딩층의 굴절률을 맞추기 위해 소량의 GeCl4를 하부 클래딩층과 상부 클래딩층에 첨가하는 것을 특징으로 하는 FHD 공정을 이용한 광민감성 평면 도파로형 소자의 제작방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.