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완충층을 이용한 박막전지용 양극의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015173770
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판의 온도를 변화시킬 수 있는 스퍼터링(sputtering) 방법으로 박막전지를 제조하는 방법에 있어서, 완충층(buffer layer)과 결정질 양극물질로 이루어진 양극 구조를 제조하는 것을 특징으로 박막전지의 제조방법이 제공된다.이러한 본 발명에 따르면 기존의 결정질 양극물질의 두께 증가에 따른 균열(cracking) 등의 문제점을 해결 할 수 있으며, 이로부터 고 용량(capacity)을 지닌 박막전지의 제조가 가능하게 된다. 완충층, 박막전지, 양극, 음극, 전해질, 전류집전체, 기판
Int. CL H01M 4/139 (2010.01)
CPC
출원번호/일자 1020000052809 (2000.09.06)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0379244-0000 (2003.03.26)
공개번호/일자 10-2002-0020007 (2002.03.14) 문서열기
공고번호/일자 (20030408) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.09.06)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안광순 대한민국 광주광역시북구
2 김우성 대한민국 광주광역시북구
3 송근만 대한민국 광주광역시북구
4 안효진 대한민국 충청남도천안시
5 성영은 대한민국 광주광역시북구
6 김신국 대한민국 전라남도목포시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재화 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 덕천빌딩 *층 이재화특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2000-0189229-61
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.03.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2002-0003486-05
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0220331-10
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.08.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0272090-17
6 의견서
Written Opinion		 2002.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2002-0272091-52
7 등록결정서
Decision to grant		 2003.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0012735-18
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1

기판(1), 양극 및 음극의 전류집전체(2, 3), 양극물질(5), 전해질(6) 및 음극(7)을 박막형태로 순차적으로 형성하는 박막전지의 제조방법에 있어서,

상기 기판(1)의 온도를 변화시킬 수 있는 스퍼터 장비를 이용하여, 상기 양극의 전류집전체(2)위에 상기 양극물질(5)의 스퍼터 타겟으로 상온-500℃의 저온영역에서 완충층(4)을 먼저 형성하고, 이어서, 연속적으로 온도를 400∼900℃의 고온영역으로 올린 후 상기 양극물질(5)의 스퍼터 타겟으로 결정질 양극물질(5)을 형성하는 것을 특징으로 하는 완충층을 이용한 박막전지용 양극의 제조방법

2 2

삭제
3 3

삭제
4 4

삭제
5 5

제 1항에 있어서, 상기 완충층은 1∼60분 동안 5Å∼1㎛ 두께로 성장시키는 것을 특징으로 하는 완충층을 이용한 박막전지용 양극 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.