요약 | 본 발명은 플로린을 함유한 광소자용 설폰 및 설파이드 고분자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 펜타플루오로페닐설파이드 및 펜타플로오로페닐설폰을 단위체로 하여 디하이드록시 단위체와 축합반응을 통하여 제조한 플로린을 함유한 광소자용 폴리아릴렌에테르설파이드, 폴리아릴렌에테르설폰 및 그의 제조 방법에 관한 것이며 특히, 이들 고분자의 말단에 에티닐 페놀 및 페닐에티닐페놀을 붙임으로서 내용매성등을 현저히 증가시킨 고분자에 관한 것이다.이들 고분자는 내열성, 내용매성 및 내수성이 향상되고, 광손실이 매우 낮은 수동공도파로용 고분자이며, 이들의 제조방법은 종래에 비하여 공정이 매우 단순화 된 특징이 있다. |
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Int. CL | C08G 65/40 (2006.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020000078167 (2000.12.19) |
출원인 | 광주과학기술원 |
등록번호/일자 | 10-0399018-0000 (2003.09.08) |
공개번호/일자 | 10-2002-0049084 (2002.06.26) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20030919) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2000.12.19) |
심사청구항수 | 7 |