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반사막이 삽입된 ｐ형 전극구조를 가지는 질화물계 발광다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015173777
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 절연기판 상에 형성되는 n형 질화물 반도체층와, 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 순차적으로 적층되는 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층와, 상기 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 형성되지 않은 상기 n형 질화물 반도체층 표면 상에 형성되는 n형 전극과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되는 p형 전극을 구비하며; 상기 p형 전극은, 상기 p형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성되는 반사막과, 상기 반사막을 포함하여 상기 p형 질화물 반도체층의 표면을 덮도록 형성되는 투명전극과, 상기 반사막의 상부에 위치하도록 상기 투명전극 상에 형성되는 와이어 접촉전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 와이어 접촉 전극에서 광이 흡수되는 것이 반사막에 의하여 방지되기 때문에 발광효율이 좋을 뿐만 아니라, 반사막에 의하여 반사된 빛이 발광 활성층의 발광에 다시 관여하기 때문에 발광효율이 더욱 크게 증가하게 된다.발광다이오드, 투명전극, 와이어 접촉 전극, p형 전극
Int. CL H01L 33/10 (2014.01)
CPC H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01)
출원번호/일자 1020000060201 (2000.10.13)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0391373-0000 (2003.07.02)
공개번호/일자 10-2002-0029464 (2002.04.19) 문서열기
공고번호/일자 (20030716) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.10.13)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허철 대한민국 광주광역시북구
2 김상우 대한민국 광주광역시북구
3 김현민 대한민국 광주광역시북구
4 박성주 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2000-0214760-71
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0333563-12
3 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2002.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2002-0367331-10
4 의견서
Written Opinion		 2002.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2002-0411100-58
5 등록결정서
Decision to grant		 2003.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0236120-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

절연기판 상에 형성되는 n형 질화물 반도체층와, 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 순차적으로 적층되는 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층와, 상기 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 형성되지 않은 상기 n형 질화물 반도체층 표면 상에 형성되는 n형 전극과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되는 p형 전극을 구비하는 질화물계 발광다이오드에 있어서,

상기 p형 전극이,

상기 p형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성되는 반사막과,

상기 반사막을 포함하여 상기 p형 질화물 반도체층의 표면을 덮도록 형성되는 투명전극과,

상기 반사막의 상부에 위치하도록 상기 투명전극 상에 형성되는 와이어 접촉전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드

2 2

제1항에 있어서, 상기 투명전극이 백금, 니켈, 금 또는 팔라디움으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드

3 3

제1항에 있어서, 상기 반사막이 알루미늄, 금 또는 은으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드

4 4

제1항에 있어서, 상기 와이어 접촉 전극이 니켈층 및 금층이 순차적으로 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드

5 5

제1항에 있어서, 상기 반사막이 1~1000Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드

6 6

절연기판 상에 형성되는 n형 질화물 반도체층와, 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 순차적으로 적층되는 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층와, 상기 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 형성되지 않은 상기 n형 질화물 반도체층 표면 상에 형성되는 n형 전극과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되는 p형 전극을 구비하는 질화물계 발광다이오드에 있어서,

상기 p형 전극이,

상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되는 투명전극과,

상기 투명전극 상의 소정 영역에 형성되는 반사막과,

상기 반사막 상에 형성되는 와이어 접촉 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드

7 7

제6항에 있어서, 상기 투명전극이 백금, 니켈, 금 또는 팔라디움으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드

8 8

제6항에 있어서, 상기 반사막이 알루미늄, 금 또는 은으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드

9 9

제6항에 있어서, 상기 와이어 접촉 전극이 니켈층 및 금층이 순차적으로 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드

10 10

제6항에 있어서, 상기 반사막이 1~1000Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드

11 11

절연 기판 상에 n형 질화물 반도체층, 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;

상기 n형 질화물 반도체층이 노출되도록 상기 p형 질화물 반도체층 및 발광 활성층을 순차적으로 식각하는 단계;

상기 노출된 n형 질화물 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계;

상기 p형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 반사막을 형성하는 단계;

상기 반사막을 포함하여 상기 p형 질화물 반도체층의 표면을 덮는 투명전극을 형성하는 단계; 및

상기 반사막 상부에 위치하도록 상기 투명전극 상에 와이어 접촉전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드 제조방법

12 12

제11항에 있어서, 상기 투명전극이 백금, 니켈, 금 또는 팔라디움으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드 제조방법

13 13

제11항에 있어서, 상기 반사막이 알루미늄, 금 또는 은으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드 제조방법

14 14

제11항에 있어서, 상기 와이어 접촉 전극이 니켈층 및 금층이 순차적으로 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드 제조방법

15 15

제11항에 있어서, 상기 반사막이 1~1000Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드 제조방법

16 16

절연 기판 상에 n형 질화물 반도체층, 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;

상기 n형 질화물 반도체층이 노출되도록 상기 p형 질화물 반도체층 및 발광 활성층을 순차적으로 식각하는 단계;

상기 노출된 n형 질화물 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계;

상기 p형 질화물 반도체층 상에 투명전극을 형성하는 단계;

상기 투명전극 상의 소정영역에 반사막을 형성하는 단계; 및

상기 반사막 상에 와이어 접촉 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드 제조방법

17 17

제16항에 있어서, 상기 투명전극이 백금, 니켈, 금 또는 팔라디움으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드 제조방법

18 18

제17항에 있어서, 상기 반사막이 알루미늄, 금 또는 은으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드 제조방법

19 19

제18항에 있어서, 상기 와이어 접촉 전극이 니켈층 및 금층이 순차적으로 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드 제조방법

20 20

제19항에 있어서, 상기 반사막이 1~1000Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.