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반절연 기판 위에 성장되고 도핑되어 있지 않은 버퍼층(20)과; 상기 버퍼층(20) 위에 성장되고 p형으로 도핑되어 있으며, 광신호를 흡수하여 전자 정공쌍을 생성시키고 전달하는 채널층(22)과; 상기 채널층(22) 위에 성장되고 도핑되어 있지 않으며, 광신호를 흡수하여 전자 정공쌍을 생성시키고 전달하는 채널층(24)과; 상기 채널층(24) 위에 성장되고 도핑되어 있지 않으며, 상기 채널층(22,24)보다 밴드갭 에너지가 큰 물질로 이루어지는 장벽층(26)과; 상기 장벽층(26) 위에 성장되고 n형으로 델타 도핑되어 있으며, 상기 채널층(22,24)보다 밴드갭 에너지가 큰 물질로 이루어지는 장벽층(28)과; 상기 장벽층(28) 위에 성장되고 도핑되어 있지 않으며, 상기 채널층(22,24)보다 밴드갭 에너지가 큰 물질로 이루어지는 장벽층(30)을 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT 구조를 이용한 광검출기
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청구항 1에 있어서, 상기 장벽층(28,30) 대신에, 상기 장벽층(26) 위에 성장되고 n형으로 균일하게 도핑되어 있으며, 상기 채널층(22,24)보다 밴드갭 에너지가 큰 물질로 이루어지는 장벽층(32)으로 구성됨을 특징으로 하는 HEMT 구조를 이용한 광검출기
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GaAs 반절연 기판 위에 성장되는 도핑되어 있지 않은 AlxGa1-xAs(0≤x≤0
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청구항 3에 있어서, 상기 장벽층(28,20) 대신에, 상기 장벽층(26) 위에 성장되는 n형으로 균일 도핑된 AlxGa1-xAs(0≤x≤0
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InP 반절연 기판 위에 성장되는 도핑되어 있지 않은 InP, In0
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청구항 5에 있어서, 상기 장벽층(28,30) 대신에, 상기 장벽층(26) 위에 성장되는 n형으로 균일 도핑된 InxAl1-xAs(0
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사파이어, GaN 중 어느 하나로 이루어지는 기판 위에 성장되는 도핑되어 있지 않은 AlxGa1-xN(0≤x≤0
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청구항 5에 있어서, 상기 장벽층(28,30) 대신에, 상기 장벽층(26) 위에 성장되는 n형으로 균일 도핑된 AlxGa1-xN(0≤x≤0
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청구항 1, 청구항 3, 청구항 5, 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장벽층(30)이 n형으로 도핑됨을 특징으로 하는 HEMT 구조를 이용한 광검출기
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