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수정된 화학기상증착법에 의한 광섬유모재 제조방법 및이를 이용하여 제조된 비선형광섬유

  • 기술번호 : KST2015173800
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광섬유에 소정 불순물성분을 첨가시켜 특수기능을 갖는 광섬유모재를 제조하는 방법에 있어서, 석영유리관 양 끝단을 부분함몰시킨 후 불순물성분 도핑공정을 수행함으로써, 안정적인 불순물 성분의 도핑을 수행함과 더불어 도핑 물질의 양을 증가시킬 수 있도록 된 수정된 화학기상증착법에 의한 광섬유모재 제조방법에 관한 것이다.또한, 본 발명에 따른 광섬유모재 제조방법은, 석영유리관내에 클래딩층 및 코어층을 형성하고, 코어층을 부분소결하여 이 부분소결된 부분에 불순물성분을 도핑시켜 소정 기능을 갖는 광섬유모재를 생성하는 수정된 화학기상증착법에 의한 광섬유모재 생성방법에 있어서, 상기 클래딩층 및 부분 소결된 코어층이 형성된 석영유리관의 양 끝단을 부분 함몰시킨 후 상기 불순물 성분을 도핑시키도록 된 것을 특징으로 한다.또한, 본 발명에 따른 비선형 광섬유는 석영유리관내에 클래딩층 및 코어층을 형성하고, 코어층을 부분소결한 후 석영유리관의 양 끝단을 부분 함몰시키고, 부분 함몰된 석영유리관으로 소정 불순물 성분, 특히 반도체 미립자를 도핑하여 생성되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C03B 37/018 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010013531 (2001.03.16)
출원인 (주)옵토네스트, 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2002-0073748 (2002.09.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.03.16)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (주)옵토네스트 대한민국 광주광역시 북구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한원택 대한민국 광주광역시 광산구
2 조정식 대한민국 전라남도 담양군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인세신 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 *** (가산동, 월드메르디앙벤처센터II)
2 김종수 대한민국 서울특별시 서초구 서운로 **, **층 ****호(서초동)(다율국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2001-0057552-21
2 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2002.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2002-0099969-64
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.11.15 수리 (Accepted) 9-1-2002-0029301-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.12.11 수리 (Accepted) 4-1-2002-0092777-34
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2010-5031911-19
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021419-15
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번호 청구항
1 1

석영유리관내에 클래딩층 및 코어층을 형성하고, 코어층을 부분소결하여 이 부분소결된 부분에 불순물성분을 도핑시켜 소정 기능을 갖는 광섬유모재를 생성하는 수정된 화학기상증착법에 의한 광섬유모재 생성방법에 있어서,

상기 클래딩층 및 부분 소결된 코어층이 형성된 석영유리관의 양 끝단을 부분 함몰시킨 후 상기 불순물 성분을 도핑시키도록 된 것을 특징으로 하는 수정된 화학기상증착법에 의한 광섬유모재 생성방법

2 2

제 1항에 있어서,

상기 석영유리관으로 수 nano크기의 반도체 미립자성분이 함유된 물질을 제공하는 것을 특징으로 하는 수정된 화학기상증착법에 의한 광섬유모재 생성방법

3 3

제 2항에 있어서,

상기 반도체 미립자성분은 PbTe, PbS, SnTe, CuCl, CdSe 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 수정된 화학기상증착법에 의한 광섬유모재 생성방법

4 4

석영유리관내에 클래딩층 및 코어층을 형성하고, 코어층을 부분소결한 후 석영유리관의 양 끝단을 부분 함몰시키고, 부분 함몰된 석영유리관으로 소정 불순물 성분을 도핑하여 생성된 비선형광섬유

5 5

제 4항에 있어서,

상기 불순물성분은 반도체 미립자성분인 것을 특징으로 하는 비선형광섬유

6 6

제 5항에 있어서,

상기 반도체 미립자성분은 PbTe, PbS, SnTe, CuCl, CdSe 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 비선형광섬유

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1 CN1458909 CN 중국 FAMILY
2 JP16519403 JP 일본 FAMILY
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4 KR100650036 KR 대한민국 FAMILY
5 US06898357 US 미국 FAMILY
6 US20020131736 US 미국 FAMILY
7 WO2002074708 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CA2409187 CA 캐나다 DOCDBFAMILY
2 CA2409187 CA 캐나다 DOCDBFAMILY
3 CN1303444 CN 중국 DOCDBFAMILY
4 CN1458909 CN 중국 DOCDBFAMILY
5 CN1629666 CN 중국 DOCDBFAMILY
6 JP2004519403 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP2004519403 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 JP2004519403 JP 일본 DOCDBFAMILY
9 KR100572202 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
10 KR100650036 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
11 KR20030009488 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
12 KR20030009488 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
13 KR20060002018 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
14 KR20060002018 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
15 US2002131736 US 미국 DOCDBFAMILY
16 US6898357 US 미국 DOCDBFAMILY
17 WO02074708 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
18 WO02074708 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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