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아조벤젠 물질을 이용한 에칭 마스크

  • 기술번호 : KST2015173825
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 감광성 물질의 특성에 의존하는 기존의 광화학 반응이 아닌 아조벤젠 화합물의 광물리적 물질이동 원리를 도입하여, 넓은 면적에서 선택성이 높은 마스크 제작 기술을 획득하고, 광반응에 의한 물질의 수축, 팽창 등의 변형 문제가 발생하지 않을 뿐만 아니라, 미광반응 부분의 제거단계인 현상단계과 같은 후공정단계를 필요로 하지 않는 노광 단일공정에 의한 에칭 마스크 제작공정을 제공하고, 또한 종래 평면상의 단순 격자구조물에서 격자의 간격 및 깊이의 조절이 가능했었음에 반해, 미세구조 패턴의 중첩원리를 이용하여 다양한 형상의 미세 표면요철구조를 성형할 수 있어서 광학소자 및 반도체소자 및 미세 기계시스템(micro electro mechanical system)등 미세 표면요철구조를 필요로 하는 소자 제작을 용이하게 구현할 수 있도록 개선한 에칭 마스크를 제공하고자 한 것이다. 에칭 마스크, 아조벤젠, 미세표면요철구조
Int. CL G03F 1/80 (2006.01) G03F 7/00 (2006.01) G03F 7/021 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020020951 (2002.04.17)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0501247-0000 (2005.07.05)
공개번호/일자 10-2003-0082295 (2003.10.22) 문서열기
공고번호/일자 (20050718) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.04.17)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동유 대한민국 광주광역시북구
2 김미정 대한민국 광주광역시북구
3 강재욱 대한민국 광주광역시북구
4 김장주 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2002-0114784-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.02.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 대리인 변경 신고서
Agent change Notification
2004.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2004-0085242-98
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.03.12 수리 (Accepted) 9-1-2004-0013498-01
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0499228-48
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0045202-80
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.02.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-5025493-18
10 의견서
Written Opinion
2005.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-5025491-27
11 등록결정서
Decision to grant
2005.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0266558-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
아조벤젠 그룹을 가진 물질의 표면에 소정의 광선을 노광시켜, 그 표면에 미세 표면요철구조가 형성되어 달성된 것을 특징으로 하는 아조벤젠 물질을 이용한 에칭 마스크
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 아조벤젠 물질의 표면을 노광시킬 때, 사용하는 광선은 하나 또는 둘 이상의 선형 편광, 원 편광, 타원편광중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 아조벤젠 물질을 이용한 에칭 마스크
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 아조벤젠 물질의 표면을 노광시킬 때, 상기 각 광원들의 편광 및 파장이 다르게 조합된 간섭광선을 사용하는 것을 특징으로 하는 아조벤젠 물질을 이용한 에칭 마스크
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 아조벤젠 물질은 아조벤젠 기능기가 화학적으로 결합된 유기 또는 무기 단분자 또는 고분자이거나, 또는 아조벤젠 화합물이 화학적으로 비결합된 상태ㅜ로 첨가(doping)된 유기 또는 무기 물질인 것을 특징으로 하는 아조벤젠 물질을 이용한 에칭 마스크
5 4
제 1 항에 있어서, 상기 아조벤젠 물질은 아조벤젠 기능기가 화학적으로 결합된 유기 또는 무기 단분자 또는 고분자이거나, 또는 아조벤젠 화합물이 화학적으로 비결합된 상태ㅜ로 첨가(doping)된 유기 또는 무기 물질인 것을 특징으로 하는 아조벤젠 물질을 이용한 에칭 마스크
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.