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적층형 태양 전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015174238
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이종의 태양 전지를 구비하는 적층형 태양 전지 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 적층형 태양 전지는 하부 전극 상에 위치하는 상기 p형 화합물 반도체층 및 n형 화합물 반도체층을 포함하는 화합물 반도체인 무기 태양 전지; 상기 무기 태양 전지 상에 위치하는 중간 전극; 및 상기 중간 전극 상에 위치하고, 상기 중간 전극을 대향하는 면 상에 상부 전극을 구비하는 유기 태양 전지를 포함한다.
Int. CL H01L 51/42 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020100027499 (2010.03.26)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1089587-0000 (2011.11.29)
공개번호/일자 10-2011-0108154 (2011.10.05) 문서열기
공고번호/일자 (20111205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.29)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박동원 대한민국 광주광역시 북구
2 문승현 대한민국 광주광역시 북구
3 정연길 대한민국 광주광역시 북구
4 심희상 대한민국 광주광역시 북구
5 오승환 대한민국 광주광역시 북구
6 이재광 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0195284-04
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0195952-95
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.20 수리 (Accepted) 9-1-2011-0045564-42
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0274065-79
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0540673-90
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0540667-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0687381-67
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번호 청구항
1 1
하부 전극 상에 위치하는 p형 화합물 반도체층 및 n형 화합물 반도체층을 포함하는 화합물 반도체인 무기 태양 전지; 상기 무기 태양 전지 상에 위치하는 중간 전극; 및 상기 중간 전극 상에 위치하고, 상기 중간 전극을 대향하는 면 상에 상부 전극을 구비하는 유기 태양 전지를 포함하는 적층형 태양 전지
2 2
제 1항에 있어서, 상기 p형 화합물 반도체층 및 n형 화합물 반도체층은 메타모픽 InGaP, InGaAs 및 InGaN으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체층인 적층형 태양 전지
3 3
제 1항에 있어서, 상기 중간 전극은 금속 나노 입자를 포함하는 적층형 태양 전지
4 4
제 3항에 있어서, 상기 중간 전극은 그리드 패턴 형상인 적층형 태양 전지
5 5
제 4항에 있어서, 상기 중간 전극은 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 니켈(Ni), 인듐(In) 및 이들의 합금으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 적어도 하나의 나노 입자를 포함하는 적층형 태양 전지
6 6
제 1항에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 상기 상부 전극의 중간 전극 방향 면 상에 배치되고, 금속 산화물 입자 및 상기 금속 산화물 입자에 흡착된 광감응성 흡착제를 포함하는 금속 산화물층; 및 상기 금속 산화물층의 무기 태양 전지 방향의 면에 접하는 전해질층;을 포함하는 적층형 태양 전지
7 7
제 6항에 있어서, 상기 전해질층은 할로겐계 산화-환원쌍을 포함하는 액체, 고체 및 준고체 중 어느 하나 상태의 전해질을 포함하는 적층형 태양 전지
8 8
제 6항에 있어서, 상기 무기 태양 전지는 상기 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 위치하는 상기 p형 화합물 반도체층; 및 상기 p형 화합물 반도체 상의 상기 n형 화합물 반도체층을 포함하는 적층형 태양 전지
9 9
제 1항에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 상기 중간 전극 및 상부 전극 사이에 위치하는 전자 주게 유기물과, 전자 받게 유기물을 함유하는 광활성층을 포함하는 적층형 태양 전지
10 10
제 9항에 있어서, 상기 광활성층은 P3HT(poly-3-hexylthiophene), MDMO-PPV(poly[2-methyl,5-(3',7'-dimethyloc tyloxy)]-1,4-phenylenevinylene 및 MEH-PPV(poly[2-methoxy,5-(2-ethyl-hexyloxy)1,4 phenylenevinylene]으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 전자 주게 물질; 및 C60 유도체의 혼합물인 전자 받게 물질을 포함하는 적층형 태양 전지
11 11
제 9항에 있어서, 상기 무기 태양 전지는 상기 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 위치하는 상기 p형 화합물 반도체층; 및 상기 p형 화합물 반도체 상의 상기 n형 화합물 반도체층을 포함하는 적층형 태양 전지
12 12
제 9항에 있어서, 상기 광활성층 및 상부 전극 사이에 위치하는 정공 전달층을 더 포함하는 적층형 태양 전지
13 13
하부 전극 상에 p형 화합물 반도체층 및 n형 화합물 반도체층을 형성하여 무기 태양 전지를 형성하는 단계; 상기 무기 태양 전지 상에 중간 전극을 형성하는 단계; 및 상기 중간 전극을 대향하는 면 상에 상부 전극을 구비하는 유기 태양 전지를 상기 중간 전극 상에 형성하는 단계;를 포함하는 적층형 태양 전지의 제조 방법
14 14
제 13항에 있어서, 상기 중간 전극을 형성하는 단계는 금속 나노 입자를 포함하는 콜로이드 용액을 그리드 패턴(grid pattern)으로 인쇄하는 단계; 및 인쇄된 콜로이드 용액을 열처리하는 단계;를 포함하는 적층형 태양 전지의 제조 방법
15 15
제 13항에 있어서, 상기 무기 태양 전지를 형성하는 단계는 하부 전극 상에 메타모픽 결정 성장을 통하여 p형 화합물 반도체층 및 n형 화합물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 p형 화합물 반도체층 및 n형 화합물 반도체층에서 기판을 제거하는 단계; 및 상기 기판이 제거된 상기 p형 화합물 반도체층 및 n형 화합물 반도체층을 이종의 기판과 접합하는 단계;를 포함하는 적층형 태양 전지의 제조 방법
16 16
제 13항에 있어서, 상기 유기 태양 전지를 형성하는 단계는 상기 상부 전극 상에 정공 전달층을 형성하는 단계; 및 상기 정공 전달층 상에 광활성층을 형성하는 단계;를 포함하는 적층형 태양 전지의 제조 방법
17 17
제 13항에 있어서, 상기 유기 태양 전지를 형성하는 단계는 상기 상부 전극 상에 금속산화물층을 형성하는 단계; 상기 금속산화물층이 상기 무기 태양 전지와 이격되도록 위치시키는 단계; 및 상기 이격 공간에 전해질을 주입하여 전해질층을 형성하는 단계;를 포함하는 적층형 태양 전지의 제조 방법
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1 지식경제부 전북대학교 지역산업기술개발사업 RISE 태양광 국제협력센터 유치사업