| 1 |
1
기판 상에 적어도 두 층의 실리콘층이 순차적으로 적층되되,상기 각 실리콘층은 상기 기판 상에 경사각을 조절하여 점진적으로 굴절률이 변화되도록 경사지게 증착되는 것을 특징으로 하는 실리콘 다층 무반사막
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서,상기 기판은 유리 기판 또는 반도체 기판으로 이루어지며, 상기 반도체 기판은 Si, GaAs, InP, GaP, GaN 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 다층 무반사막
|
| 3 |
3
제1 항에 있어서,상기 각 실리콘층은 점진적으로 증가 또는 감소하는 굴절률의 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 다층 무반사막
|
| 4 |
4
제1 항에 있어서,상기 경사각은 1도 내지 90도로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 다층 무반사막
|
| 5 |
5
제1 항에 있어서,상기 점진적으로 굴절률이 변화하는 구조는 계단식으로 이루어지며,상기 점진적으로 굴절률이 변화하는 분포는 선형, 다항형(Polynomial), 가우시안형(Gaussian) 또는 비선형 분포 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 다층 무반사막
|
| 6 |
6
기판 상에 적어도 두 층의 실리콘층을 순차적으로 적층하되,상기 각 실리콘층은 상기 기판 상에 경사지게 증착하며, 그 경사각을 조절하여 점진적으로 굴절률을 변화시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 다층 무반사막의 제조방법
|
| 7 |
7
제6 항에 있어서,상기 경사지게 증착하는 방법은 스퍼터링 또는 증발법을 이용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 다층 무반사막의 제조방법
|
| 8 |
8
제7 항에 있어서,상기 각 실리콘층은 점진적으로 증가 또는 감소하는 굴절률의 분포를 갖도록 경사지게 증착하는 것을 특징으로 하는 실리콘 다층 무반사막의 제조방법
|
| 9 |
9
제7 항에 있어서,상기 경사각은 1도 내지 90도인 것을 특징으로 하는 실리콘 다층 무반사막의 제조방법
|
| 10 |
10
제7 항에 있어서,상기 점진적으로 굴절률이 변화하는 구조는 계단식으로 이루어지며,상기 점진적으로 굴절률이 변화하는 분포는 선형, 다항형(Polynomial), 가우시안형(Gaussian) 또는 비선형 분포 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 다층 무반사막의 제조방법
|
| 11 |
11
기판 상에 형성되는 제1 투명전극;상기 제1 투명전극 상에 점진적으로 굴절률이 변화되도록 경사지게 형성되는 실리콘 다층 무반사막;상기 실리콘 다층 무반사막 상에 순차적으로 적층된 p형, i형, n형 실리콘층;상기 n형 실리콘층 상에 형성되는 제2 투명전극; 및상기 제2 투명전극 상에 형성되는 n형 전극을 포함하는 실리콘 다층 무반사막을 구비하는 태양전지
|
| 12 |
12
제11 항에 있어서,상기 기판은 유리 기판 또는 반도체 기판으로 이루어지며, 상기 반도체 기판은 Si, GaAs, InP, GaP, GaN 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 다층 무반사막을 구비하는 태양전지
|
| 13 |
13
제11 항에 있어서,상기 다층 구조는 2 내지 5층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 다층 무반사막을 구비하는 태양전지
|
| 14 |
14
제11 항에 있어서,상기 실리콘 다층 무반사막은 점진적으로 증가 또는 감소하는 굴절률의 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 다층 무반사막을 구비하는 태양전지
|
| 15 |
15
제11 항에 있어서,상기 점진적으로 굴절률이 변화하는 구조는 계단식으로 이루어지며,상기 점진적으로 굴절률이 변화하는 분포는 선형, 다항형(Polynomial), 가우시안형(Gaussian) 또는 비선형 분포 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 다층 무반사막을 구비하는 태양전지
|
| 16 |
16
기판 상에 제1 투명전극을 형성하는 단계;상기 제1 투명전극 상에 점진적으로 굴절률이 변화되도록 경사지게 실리콘 다층 무반사막을 형성하는 단계;상기 실리콘 다층 무반사막 상에 p형, i형, n형 실리콘층을 순차적으로 적층하는 단계;상기 n형 실리콘층 상에 제2 투명전극을 형성하는 단계; 및상기 제2 투명전극 상에 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 다층 무반사막을 구비하는 태양전지의 제조방법
|
| 17 |
17
제16 항에 있어서,상기 실리콘 다층 무반사막은 점진적으로 증가 또는 감소하는 굴절률의 분포를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 다층 무반사막을 구비하는 태양전지의 제조방법
|
| 18 |
18
제17 항에 있어서,상기 점진적으로 굴절률이 변화하는 구조는 계단식으로 이루어지며,상기 점진적으로 굴절률이 변화하는 분포는 선형, 다항형(Polynomial), 가우시안형(Gaussian) 또는 비선형 분포 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 다층 무반사막을 구비하는 태양전지의 제조방법
|
